拉扎维模拟cmos设计基础

最新推荐文章于 2026-05-19 05:13:17 发布

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GEO检测

前言

由于学习变动的原因，以及考虑到集电方向的不确定性，作者还是学习了下模拟电路的知识。由于作者是第一次学习模集，可能疏忽了某些错误，恳请读者能够谅解。

参考：模拟cmos设计（拉扎维），课件主要来自B站西安交大课程。

笔记记录了拉扎维第二章到十章的内容，不过噪声那一章节记录的较为潦草，原谅作者时间很紧吧。

第二章器件基础

备注：

$V_{DS}$ 表示源漏电压。 $V_{TH}$ 表示阈值电压。 $V_{GS}-V_{TH}$ 表示过驱动电压，也记作 $V_{OD}$ 。

工作机制：

mos管在电路中相当于开关，在栅电压大于阈值电压的时候导通，小于阈值电压的时候关闭。工作原理是当栅极加上一定的电压后，其衬底会逐渐形成耗尽层，随着栅极电压增大，耗尽层宽度也会增大。当耗尽层增大到一定界面时，氧化层介质就会形成反型层，电流就能通过反型层在源漏之间流动。

反型层也称作 “沟道” ，按照类型可分为p沟道和n沟道。

工作状态：

由于器件类型的差异，NMOS的阈值电压一般是正的，而PMOS的阈值电压通常是负的，我们需要保证源级和漏级都保持反偏状态。

因此，对于nmos，衬底一般默认接GND, 对于pmos，衬底一般默认接VDD。

此外，NOMS管的漏极为高电位，电流是从漏流向源；PMOS管的源级为高电位，电流是从源流向漏，它们的电流方向相反。

根据 $V_{DS}$ 的大小可以将mos管区分为四个工作状态：

当 $V_{DS}< V_{GS}-V_{TH}$ 时，mos管工作在三级管区，也叫做线性区。
当 $V_{DS}< < 2( V_{GS}-V_{TH})$ 时，mos管工作在深三级管区，也叫做深线性区。

此时 $I_{DS}$ 和 $V_{DS}$ 看成线性关系 $I_{DS}\approx u_{n}C_{OX}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}$ ，因此源漏电阻可以表示为一个线性电阻 $R_{on}=\frac{V_{DS}}{I_{DS}}= \frac{1}{u_{n}C_{OX}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})}$ 。

当 $V_{DS}> V_{GS}-V_{TH}$ 时，mos管工作在饱和区。

对于工作在饱和区的NMOS管来说： $I_{D}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2$ 。

对于工作在饱和区的PMOS管来说： $I_{D}=-\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2$ 。

如果上式中L不会变化的话，那么饱和区的MOS管漏极电流是可以看作是恒定的。在常见的设计中我们都默认让MOS管工作在饱和区，这些饱和区内的MOS管可以等效为连接漏和源的电流源。

从上面的公式中我们也可以看出，NMOS电流源和PMOS电流源的电流方向相反，NMOS电流源向地注入电流，PMOS从VDD抽取电流。

实际上想要等效成电流源是很困难的，原因在于二级效应。

二级效应：

体效应：

体效应表明，衬底的电位会影响阈值电压的大小，当衬底电位不等于源电位时，具体影响可概括为：

对于NMOS来说，衬底电压突然变得更低，阈值电压就会增大。

对于PMOS来说，衬底电压突然变得更高，阈值电压就会增大。

体效应影响阈值电压的变化，从而引起漏电流的变化，继而引出体跨导。
为了解决这个效应影响，衬底都要接上稳定不变的电位，或者源极和衬底共用一个电位。

沟道调制效应：

在栅极和漏极之间的电压差逐渐增大时，即 $V_{GS}$ 与 $V_{DS}$ 的电压差增大时会出现沟道夹断现象。

当沟道发生夹断时，实际上的沟道长度会逐渐变化缩短，甚至出现短沟道效应。

工作在饱和区的MOS管，沟道长度变化会使得漏极电流不再恒定输出，此时等效的电流源将不再是理想电流源。

$V_{DS}$ 对沟道长度的变化尺度 $\frac{\Delta L}{L}$ 影响因子为 $\lambda$ ，不同长度L，影响因子也不同，一般情况下，长度越短，其影响程度越大。

$I_{DS}=\frac{1}{2}{u_{n}C_{ox}}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2 (1+\lambda V_{DS})$

为了表述 $V_{DS}$ 对 $I_{DS}$ 的影响，将其表述为电阻形式：

$r_{o}=\frac{\partial V_{DS}}{\partial I_{DS}}=\frac{1}{\frac{1}2u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2 \lambda}=\frac{1}{\lambda I_{DS}}$ ，这个电阻就是等效成电流源后的输出电阻，也称为沟道电阻，理想电流源的该电阻应该无穷大。

沟道调制效应表明：MOS管漏电流会随着源漏电压变化而变化。

亚阈值导电效应：

亚阈值效应表明MOS管在截至的情况下仍然存在很小的漏电流，这个漏电流并非无限小。

可以理解为器件在关闭的时刻并非完全关断，这在某些时刻会产生不必要的功耗。

漏极势垒降低效应：

对于短沟道而言，当漏偏压较大时，漏极的耗尽层扩大到源极区，导致漏源之间的耗尽层相连，电流绕过沟道从连通的耗尽区泄露出去，栅极失去漏电流的控制能力，器件无法关断。

跨导：

跨导是衡量MOS管电压转换成电流输出的品质因素，事实上它表示的就是栅极电压控制漏极电流的能力。

在饱和区：

对于NMOS管： $g_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{GS}}=u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})=\frac{2I_{D}}{V_{GS}-V_{TH}}=\sqrt{2u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}I_{D}}$

对于PMOS管： $g_{m}=-\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{GS}}=-u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})=\frac{2I_{D}}{V_{GS}-V_{TH}}=\sqrt{2u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}I_{D}}$

在线性区： $g_{m}= u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}V_{DS}$

从上述算式中可以看出饱和区的跨导等于深线性区的源漏电阻 $R_{on}$ 的倒数，并且饱和区的跨导与输入信号 $V_{GS}$ 有关，这意味着非线性问题将会诞生。

饱和区的跨导会随着栅极输入增大而线性增大，线性区的跨导会随着栅极输入的增大而减小，这是要求MOS管工作在饱和区的原因。

晶体管会根据栅极输入的电压通过跨导控制漏电流输出，这期间栅极输入电压的变化都会影响漏电流的输出。

体跨导：

除了栅极电压能控制漏电流大小，衬底电位也能控制漏电流的大小，我们称衬底电压控制漏电流的能力为体跨导。

$g_{mb}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{BS}}=u_{n}C_{ox}(V_{GS}-V_{TH})\frac{\partial V_{TH}}{\partial V_{BS}}=\eta g_{m}$ 。

式中的 $\eta$ 大约为0.1~0.3倍，表示衬底电压对漏电压的控制能力大约为栅电压控制漏电流能力的0.1~0.3倍。

小信号模型：

对于一个完整的电路，直流提供偏置，交流提供小的变化。也就是说，电路中的瞬态量=偏置量+小信号量。

小信号：均值为0，变化量很小的信号，这里的变化很小指的是幅值的变化和频率的变化都很小。

比如将一个2V直流电压与一个0.2V正弦小信号叠加，得到一个均值为2V，幅值为2.2到1.8的交流信号。

图中 $V_{in}$ 是直流偏置与交流小信号的叠加，可以看出MOS输出的漏电流中也包含了直流分量，线性小信号分量 $i_{d}$ 和一个高阶小信号分量。

由于小信号的变化非常微小，通常情况下我们可以忽略这个高阶小信号分量。如果小信号的变化超过一定程度，就可能延伸出噪声，因为此刻高阶小信号分量无法忽略。

小信号分析实质上是泰勒展开，即将偏置点处的小信号进行泰勒展开，必要条件下忽略高阶非线性小信号分量。

从小信号模型中可以看出，漏电流会被 $V_{GS} , V_{BS}, V_{DS}$ 影响。

第三章：放大器

放大器基本功能是对小信号进行放大，注意的是，放大的信号是小信号，不是直流偏置信号。

理想的放大情况是将小信号的幅值放大，不改变它的相位和频率，我们称这种放大为理想放大，也叫线性放大。

理想电压放大器的输入阻抗无限大，输出阻抗无限小。

理想电流放大器的输入阻抗无限小，输出阻抗无限大。

大信号的分析，分析的就是直流偏置的范围，原因是我们讨论的放大器一般都要它工作在饱和区，这对放大器输入的偏置范围提出要求。即使放大器工作在饱和区，偏置的变化和小信号的摆幅大小也会让增益发生变化。

增益的计算可以用大信号计算，也可以用小信号模型计算，相比之下小信号模型计算更为简单。（为方便理解，下述描述中默认使用大信号进行推导增益）

大信号特性的斜率就是小信号的放大的能力，因此在输入输出特性曲线中，找到斜率最大的点，该点就是最佳输入偏置点，问题在于输入随时变化导致偏置随时变化。

分析方法：

低增益的放大器，我们同时要考虑输入和输出，对于高增益的放大器，由于输入偏置范围很窄，我们只考虑输出。

共源极：

共极，就是以哪一极为参考电平，通常将该极接到交流地上。

共源极，就是以源极为参考电平，将它接到交流地上，其余两级作为输入和输出。

以电阻为负载的共源极放大器：

分析：随着输入信号的增大，共源极放大器会先导通，然后进入饱和区，最后进入线性区。

饱和区：

$V_{out}=V_{DD}-\frac{u_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{in}-V_{TH})^2 R_{D}$

$A_{v}=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}= - u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{in}-V_{TH})R_{D} = -g_{m}R_{D}$ ( 符号代表反向，即输出与输入反向）

可以从增益算式中看出共源放大器的增益会随着 $V_{in}$ 的变化而变化，因此偏置点的位置会影响该放大器的增益。由于放大器的输入会随时变化，它的偏置点也是随时变化的，增益就不能确定。

确定偏置范围，也就是确定器件工作在饱和区的输入偏置范围，需要两点：导通点( $V_{TH}$ )，饱和线性分界点( $V_{in1}$ )，分别对应着饱和区最小输入偏置和最大输入偏置。

饱和与线性分界点，也就是最大输入偏置 $V_{in1}$ 是会变化的，可由临界条件 $V_{DS}=V_{in1}-V_{TH} = V_{DD}-I_{D}R_{D}=V_{out}$ 解出。

由增益表达式可知 $R_{D}$ 越大， $A_{v}$ 就越大，但是 $R_{D}$ 增大输入的最大偏置就会减小，输入范围也就减小。

所以我们的输入信号很小，也就是输入的偏置与小信号叠加后的其变化范围也变得很小，既能减小了非线性的影响，又提高增益，但是损失了饱和区的更大输入范围。

线性区：

共源放大器进入线性区之后，其跨导迅速减小，增益也会随之减小。

以二极管作为负载的共源放大器：

将MOS管的栅极和漏极连接在一起，就构成了二极管，如图：

分析： $M_{2}$ 会自适应地改变它的源电压来满足漏电流 $I_{D1}$ ，也就是说，该放大器MOS管的漏电流是由 $M_{1 }$ 确定的，尽管 $M_{1}$ 的漏电流 $I_{D1}$ 是从 $M_{2}$ 的漏极流下来的，但是支配地位还是属于 $M_{1}$ ， $M_{2}$ 是被动的产生与 $M_{1}$ 相同的电流。因此 $I_{D1}=I_{D2}$ ，可以列出等式：

$\frac{1}{2}u_{n}C_{ox1}\frac{W}{L}(V_{in}-V_{TH})^2 = \frac{1}{2}u_{n}C_{ox2}\frac{W}{L}(V_{DD}-V_{out}-V_{TH})^2$

将其消解可以得出 $V_{out}$ 与 $V_{in}$ 成线性关系，这是理想状态。事实上可以从图中看出 $M_{2}$ 晶体管存在体效应，这是因为该器件的源极电位会随时改变，引起 $V_{TH}$ 的变化。此外还有亚阈值效应，这里先将其忽略。

饱和区输入输出范围：

假设 $M_{1}$ 工作在饱和区，那么它可以等效成一个受 $V_{in}$ 控制的电流源。再次强调其流过的电流是由 $V_{in}$ 控制的，不是由 $M_{2}$ 控制的。 $M_{2}$ 为了自适应产生相同的漏电流，会先自适应产生一个 $V_{GS2}$ 来配合 $M_{1}$ 。

因此 $M_{2}$ 的 $V_{GS}$ 是不确定的，它实际上是 $V_{in}$ 的函数，即表明它也受 $V_{in}$ 的控制。

随着 $V_{in}$ 的逐渐增大，放大器中会先导通，然后进入饱和区，最后进入线性区。同样的，为了确定器件工作在饱和区的输入偏置范围，也需要两点：导通点和饱和线性临界点。

最小输入偏置等于导通时候的输入偏置，最大输入偏置由临界条件 $V_{in1}-V_{TH1}= V_{out}=V_{DS1}$ 解出，因为 $V_{out}$ 是变化的，故该偏置点同样是变化的。

大信号对增益进行计算：

可以看出二极管负载的增益大小与两个MOS管的宽长比例有关，另外还有体跨导系数 $\eta$ 有关。用小信号分析也同样如此。

想要获取更高增益，可以增大 $M_{1}$ 的宽长比或者减小 $M_{2}$ 的宽长比。问题在于当设计固定下来后，器件尺寸是无法改变的。同时由于NMOS管体效应的存在，会有部分非线性问题，我们采用PMOS管做二极管负载， $M_{2}$ 就没有体效应影响了。如图：

根据大信号分析可得

由此可见，二极管负载放大器中，想要提高增益，除了提高宽长比例外，还有就是提高 $V_{GS2}$ ，也就会牺牲更大的输入摆幅，以此来维持 $M_{1}$ 的漏电流。

解决办法为：在 $M_{2}$ 旁并联上一个电流源，让它分担部分 $M_{1}$ 的漏电流，这样 $M_{2}$ 只需要小的漏电流维持就好。

既然要并联上一个电流源，又已知饱和区的MOS管可以等效为电流源，因此我们可以将上图中的电流源等效成一支PMOS的晶体管。（不能使用NMOS，因为此处使用NMOS就等效成负载了，不是电流源。）

小信号分析增益：

放大器中二极管负载可以等效成一个电阻： $r_{eq}=r_{o} || \frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}}\approx \frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}}=\frac{1}{(1+\eta) g_{m2}}$ 。

那么增益可表达为 $A_{v}=-g_{m1}.(r_{eq} || r_{o1})\approx -g_{m1}r_{eq}$ 。

将 $r_{eq}$ 表达式代入可得 $A_{v}=-\frac{g_{m1}}{g_{m2}}.\frac{1}{1+\eta }$ 。如果将该算式中跨导用漏电流形式表示就会发现它与大信号分析出的增益算式是相同的。

无论从大信号，还是从小信号入手，得到的增益都表明它与体效应有关，这是引起非线性的原因，关于如何减弱体效应，上述已经叙述过。

输入输出电阻：

该放大器输入电阻无穷大，输入电阻为 $r_{o1}||r_{o2}||\frac{1}{g_{m2}}\approx\frac{1}{g_{m2}}$ 。

以电流源为负载的共源放大器：

分析可得，左图 $M_{1}$ 的漏电流只能是电流源 $I_{1}$ ,而漏电流本身由于输入 $V_{in}$ 有关，一旦 $V_{in}$ 有一点小的波动，那么NMOS管 $M_{1}$ 就会进入线性区。

左图中的增益 $A_{v}=-g_{m1}r_{o1}$ ，右图中的增益为 $A_{v}=-g_{m1}(r_{o1}||r_{o2})$ 。用漏电流的形式表示 $g_{m}$ ， $r_{o}$ 用 $\frac{1}{\lambda I_{D}}$ 表示，相乘可知，该放大器增益会随着漏电流的增大而降低。

因此该放大器的特点是，低电流，高增益，低速高噪声。

由于右图中两个晶体都可以等效成电流源，我们可以看作是两个电流源互相博弈，也就是输出电流由谁来确定的问题？通常我们会认为输出电流小的晶体管来决定输出电流，另一支起配合作用。

当两个晶体管都进入饱和区后，它们的漏电流应该相等。

问题在于工作时两支晶体管的漏电流时常不相等，想要确定一个输入偏置使得它们各自输出的漏电流相等是很困难的，因此我们只看输出摆幅：

输出摆幅：

该放大器的输出摆幅在 $M_{1}$ 过驱动电压到 $V_{DD}-M_{2}$ 过驱动电压之间摆动。

总结：

共源极放大器最大的问题在于跨导，因为它的跨导是随着输入 $V_{in}$ 变化的，引起的非线性问题很多。

为了减弱非线性问题，我们在共源极放大器的源极处放置一个电阻，减缓 $V_{GS}$ 的变化速度，从而减缓非线性问题。

带反馈的共源放大器：

如图所示：在这个NMOS的源极接了一个电阻，假设该晶体管是一个十分理想（不考虑体效应，沟道调制效应）的晶体管，那么流过电阻 $R_{S}$ 的电流就是 $I_{d}$ ，由于 $I_{d}$ 又受 $V_{in }$ 控制，所以电阻两端的电压也受 $V_{in}$ 控制。

分析：求漏电流可列出等式 $I_{d}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2 = \frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{in}-I_{d}R_{s}-V_{TH})^2$

将NMOS与电阻一同看作一个黑盒，将黑盒看作是一个新的晶体管，对上述等式求 $\frac{\partial I_{d}}{\partial V_{in}}$ ，将其命名为新的跨导 $G_{m}$ ，表示这个新的晶体管对漏电流的控制能力。

如果 $R_{S}$ 趋近于无穷大，那么 $G_{m}\approx \frac{1}{R_{S}}$ ,相反，此时跨导只与电阻有关，非线性问题完全消除。

增益分析：

与其他共源极电路增益推导相同， $A_{v}=-G_{m}R_{D}$ ,当 $R_{S}$ 趋近无穷大时增益为0。显然， $R_{S}$ 不可能无限大，因为这会让漏电流无限小。

所以该放大器的特点时需要牺牲增益来获得非线性，在开环电路中，使用大电阻来获取线性度是常用的方法。

小信号分析（无负载）：

$V_{1}=V_{in}-V_{x}=V_{in}-R_{s}i_{out}$ 。

可以看到小信号分析出的跨导和大信号分析出的跨导，在忽略体效应和沟道调制效应条件下，得出的结果是一样的，所以因此我们在分析增益和跨导时，建议使用小信号分析。

输出电阻（无负载）：

我们尝试使用小信号来分析该电路的输出电阻：

我们将栅极接上小信号地，在输出端接上 $V_{x}$ ，分析得流过 $r_{o}$ 的电流为 $i_{o}=i_{x}-(g_{m}+g_{mb})V_{1}$ ，

$V_{1}=-I_{x}R_{x}$ 。

列出方程得 $r_{o}[i_{x}+(g_{m}+g_{mb})I_{x}R_{s}] +I_{x}R_{s} = V_{x}$ 。据方程求出该放大器的输出电阻，如图：

图中可以看出，带反馈的放大器输出电阻中 $R_{s}$ 被放大了，放大的倍数为 $(g_{m}+g_{mb})r_{o}$ 倍，我们称这个效应为阻抗倍增效应。

如果该放大器漏端接了负载，那么输出阻抗为 $R_{o}=r_{OD}|| R_{D}\approx R_{D}$ 。

源跟随器：

通过共源极的分析，我们可以理解，想要获得大的增益就要增大负载，这意味着输出电阻会很大，不利于我们驱动下一级负载，有什么电路可以维持我们的驱动能力呢?

源跟随器可以提供很大的输入阻抗和很小的输出阻抗，恰好有很好的驱动能力。同时它的增益为1，不会改变上一级的输入。

源跟随器，指的是源极跟随栅极，或者说，输出跟随输入。

小信号分析（忽略了沟道电阻）：

根据小信号模型，我们有 $V_{in}-V_{1}= V_{out}$ ， $g_{m}V_{1}-g_{mb}V_{out}=\frac{V_{out}}{R_{s}}$ ，可求出增益：

$A_{v}=\frac{V_{out}}{V_{in}}= \frac{g_{m}R_{s}}{1+(g_{m}+g_{mb})R_{s}}$ 。

可以从增益表达式中可以看出， $A_{v}< 1$ 。随着输入 $V_{in}$ 增加，增益只会接近于1。

由于电路中的 $V_{in}$ 是随时变化的，如果输入一个波形，那么 $V_{GS}$ 就会时大时小的，其输出的波形会有很严重的二次谐波。

为了解决这个非线性问题，我们将电阻替换成一个稳定的电流源。

左图中用稳定的电流源替代掉电阻，可以将漏电流稳定住，继而将跨导稳定，非线性作用就会减弱。在实际中我们采用NMOS管来作等效的电流源，如右图。

右图中的增益推导为 $A_{v}=\frac{V_{out}}{V_{in}}= \frac{g_{m1}}{g_{m1}+g_{mb1}}$ ，它仍然小于1 。

我们考虑其他效应，包括体效应和沟道调制效应：

上图的增益表达式告诉我们，想要使得增益接近一，需要增大 $M_{1}$ 跨导，负载的变化随时会影响跟随器的增益，使得它有时不在跟随输入变化。

输出电阻（忽略了沟道电阻）：

我们使用小信号模型推导输出电阻：

$V_{1}=-V_{x}$ , $I_{x}=g_{m}V_{x}+ g_{mb}V_{x}$ , $r_{out}=\frac{V_{x}}{I_{x}}=\frac{1}{g_{m1}+g_{mb1}}$ 。

可以看出输出电阻距离0输出电阻还是很困难的，尽管增大跨导，输出电阻也只能无限趋近于0 。

为了能够减弱体效应的影响，我们将 $M_{1}$ 换成PMOS晶体管，体效应的问题就能够避免，如图：

影响源跟随器的主要因素仍然为 $V_{GS}$ 的变化和输出阻抗的变化，体效应可以使用PMOS来解决，当是沟道调制效应无法解决。

其他改进的跟随器结构有Flip跟随器和超级跟随器。

共栅极：

因为共源极的输入电阻无穷大，适合电压输入，在一些需要输入电流的场合，需要输入电阻比较小，共栅极电路诞生。

共栅电路，就是以栅极为参考电极的电路，我们将栅极接上小信号地（不是真正的地），信号从源极输入，漏极输出，如图：

右图中的偏置是由电流源 $I_{1}$ 决定的，因为晶体管只能流过固定电流 $I_{1}$ ，因此晶体管 $M_{1}$ 会自适应产生一个 $V_{GS}$ 来通过电流 $I_{1}$ 。(电容起到耦合作用)。

分析：

随着 $V_{in}$ 的变化，当 $V_{in}$ 很小时， $V_{GS}$ 会很大， $I_{D}$ 就会很大，导致输出电压很小， $M_{1}$ 可能进入线性状态。

相反，当 $V_{in}$ 逐渐增大时， $M_{1}$ 进入饱和区，随着 $V_{in}$ 变得更大， $V_{GS}$ 会变得更小，导致 $M_{1}$ 截止。

为了方便分析，我们将 $V_{in}$ 从大到小变化，其过程将会先截止，后饱和，最后到线性。如图：

可以看出共源极电路依旧工作在饱和区，其输入偏置范围是导通点和饱和线性分界点，具体的两点可根据条件列出方程求解，这里不在赘述。

小信号增益分析：

我们使用小信号模型分析增益如下：

如果信号输入源自带了内阻 $R_{S}$ ，分析小信号模型得：

可以看出如果输入信号带了信源电阻，那么增益会随着信源内阻增大而减小，这是因为信源内阻会对输入信号分压，造成增益损失。

如果使用输入内阻很小的电路，信源电阻会减少增益，我们应该使用输入电阻很大的电路，如共源电路。

输入输出电阻：

上式可看出输入电阻是一个很小的值，即使电路中的负载 $R_{D}$ 是一个内阻无穷大的电流源，原因在于实现电流源一般使用PMOS，它的内阻最大也只会等效成 $r_{o}$ ，输入电阻变成 $\frac{2}{g_{m}+g_{mb}}$ 而已，不会无穷大。

算式中的输出电阻考虑了源极负反馈的输出阻抗倍增效应，可以看到无论 $R_{S}$ 是否存在，它的输出电阻总是很大的。

共源共栅极：

从上述的学习中可以知道，共源极电路适合电压输入，共栅极电路适合电流输入，那么两个电路的级联我们就可以称它作共源共栅电路。

共源共栅电路如左图所示，该电路的输入是 $M_{1}$ 晶体管，通过该晶体管将输入电压转换成变化的电流在输入给共栅电路，最后输出。（右图相当于共源极电路，它的输入刚好相反）

输入输出范围：

随着输入的增大， $M_{1}$ 先导通，产生电流流过 $M_{2}$ ， $M_{2}$ 自适应产生一个 $V_{GS2}$ ，直到 $M_{2}$ 也导通，输出就从 $V_{DD}$ 降低，此后两只晶体管都需要进入饱和区工作。

想要让两只晶体管都进入饱和区工作，会对输入的偏置有着很高的要求，因为 $M_{2}$ 的漏源电压会比 $M_{1}$ 的漏源电压降低速率快很多。

输出电阻：

上图中的推导过程为将两只晶体管输入都接小信号地，再将电路等效成带负反馈的共源极电路，从而计算出它的输出阻抗。

如果我们再对共栅极电路进行级联，如图：

根据算式可知，级联后电路输出电阻将更加会趋近无穷大，问题在于级联后的电路需要消耗更大的电源电压，以保证每个晶体管都工作在饱和区。

既然共源共栅电路的输出阻抗可以接近无穷大，那么它就可以用来作电流源，它不一定要起到放大作用，另一种作用是作电流源。

小信号增益分析：

在忽略两只晶体管的沟道调制效应后， $M_{1}$ 将输入的电压转换成电流将流过 $M_{2}$ ，由于 $M_{2}$ 的电流跟随 $M_{1}$ ，这些电流将会完全流过负载 $R_{D}$ 。（事实上这些电流还是会有些损失的）

因此它的增益计算和共源极放大器的增益一样。

如果我们将负载 $R_{D}$ 换成内阻无穷大的电流源，那么它的增益是不是无穷大呢？当然不是。我们考虑体效应，并将放大器的电路跨导等效成新的跨导 $G_{m}$ ，它的值会比 $g_{m}$ 要小。

事实上从图中的 $r_{out}$ 是从漏极看进去的电阻，并没有考虑上负载，如果要考虑也可以并联上，由于都是趋近无穷大的，为了方便记忆，我们取沟道电阻，忽略负载。

从增益表达式可以看出增益是它们两个晶体管本征增益的乘积，由于压控电流源无法实现高增益，我们称共源共栅电路是高增益电路的基础。

折叠式共源共栅：

由于共源共栅电路极难偏置，我们考虑将电路中的 $M_{1}$ 替换成PMOS类型的，这样X点的电位降低时， $M_{1}$ 会更容易进入饱和区。如果是NMOS类型的话，一旦 $V_{b}$ 偏置改变，就有可能造成 $M_{1}$ 进入线性区。

折叠共源共栅电路会牺牲部分输出电阻，来获得偏置点的更大范围。

第四章：差动放大器

在集成电路中，我们知道信号的噪声主要来自于供电和地端。大部分模拟电路对噪声很敏感，一旦偏置输入被噪声污染，其放大器也会将噪声放大。

为了衡量一个系统的噪声特性，我们可以在输入端加入一个已知的频率信号，在输出端分别查看它们各自的FFT频谱图。

单端放大器很容易被噪声影响，为此有没有一种电路可以不那么容易被噪声影响？为此我们引入差动放大器。

共模电平： $V_{CM}=\frac{V_{in1}+V_{in2}}{2}$ ，既两个信号叠加后的均值。差模信号： $V_{diff}=V_{in1}-V_{in2}$ ，即两个幅值相等，相位相反的信号。

基础差动对：

差动对能能提供共源电路两倍的输出摆幅，同时抑制共模噪声，缺点在于面积和功耗增倍，同时它的噪声功率增大。

差动对的输入可以是共模输入( $V_{in1}=V_{in2}$ )，也可以是差分输入( $V_{in1}=-V_{in2}$ ) ，或者两者的混合，在大多数情况下，输入都是两者的混合形式。这样差动对会对差分信号进行放大，同时对共模信号进行抑制。

实际上电路的共模电平会随时摆动，这会导致差动对的晶体管很容易进入线性区，为此我们在晶体管的源极接上一个尾电流源，让它自动分配晶体管电流，以此来减少输入共模电平 $V_{CM}$ 摆动造成的影响。

如果两支晶体管输入信号一样，即差模输入为0，则理想差动对输出的共模电平保持不变，每只晶体管的电流也不会变。换句话说，理想的差动对只对差模信号响应，对共模信号的不响应。

共模信号输入输出范围：

根据输出曲线可知，当 $V_{in1}-V_{in2}=0$ 时，其斜率最大，小信号增益最高，此时电路处于最理想的对称状态。也就是说， $V_{in1}$ 和 $V_{in2}$ 在相同的偏置下，增益最大。

分析：

实际中我们以一个晶体管代替电流源，如上图，当 $V_{in,CM}$ =0 时， $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 晶体管均截止，此时 $M_{3}$ 处于线性区，等效成电阻， $V_{P} = 0 V$ 。

随着 $V_{in,CM}$ 增大， $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 晶体管开始导通， $V_{P}$ 增大， $M_{3}$ 从线性区进入饱和区，此时 $M_{3}$ 等效成电流源，输出的电流不变。

再随着 $V_{in,CM}$ 增大， $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 的 $V_{GS}$ 不断增大，直至进入线性区，增益减小。

由此我们得出共模信号的输入范围点： $M_{3}$ 进入饱和区的输入点， $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 进入线性区的输入点，这两点决定了共模信号的输入范围。

由此我们可以推出，共模电压的输入输出范围在: $V_{GS1}+(V_{GS3}-V_{TH3}) \leq V_{in,CM}\leq V_{out,12}+V_{TH}=V_{DD}-\frac{1}{2}I_{ss}R_{D}+V_{TH}$ 。

在这个范围内，差动对可以正常放大输入信号，但由于这个范围内 $V_{in,CM}$ 也是随时变化的，这会影响图中P点电位，进而让 $M_{3}$ 引起沟道调制效应。此时它将不再是个理想电流源，我们选择增大尺寸减小这种影响。（P点电位使用源跟随器来理解）。

共模输出范围：

共模对增益的分析：

差动对的增益与共模电压关系如图：

当共模电压处于合理的范围内时，理想差动对的增益应该保持不变，对应输入输出曲线图中的斜率应该保持不变。

差分信号输入输出范围：

我们等效出一个新的跨导 $G_{M}$ ,它表示差分电压对差分电流的控制能力，这个跨导会随着差分输入的变化而变化。

由于已知了 $I_{SS}$ ，我们可以借用漏电流表达出输入的差分电压 $V_{GS}$ ，再将两者的漏电流，输入电压分别相减，再相除得到新的跨导 $G_{M}$ 。（具体推导这里不做列出了，其实还是很复杂的）

根据 $G_{M}$ 的表达式可得到差分输入与跨导之间的关系：

当 $G_{M}=0$ 时，求解表达式可以得到最大差分输入，如上图。只要差分出入大小不超过这个绝对值，那么跨导就不为0，其增益也就不为0 。当差分输入=0时，其等效跨导最大，最大值仍为 $g_{m}$ 。

为了方便记忆，我们称输入差分电压的绝对值不超过整体过驱动电压的 $\sqrt{2}$ 倍。

差模增益分析：

我们使用小信号对差动对进行分析：

如下图左：我们以P点为对称轴将电路左右分开，可以看出， $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 对于P点是都是源跟随器，此时我们在输入端加入差分信号，P点的电位理论上都不会变化，我们可以将它看作交流地，如图右所示。

对于上图右来说，左右对称的结构又分别可以看作是共源极电路，它们各自的增益就很容易分析出，再将其叠加就能得到整个差动对的增益。使用该方法分析的前提是直流偏置条件已经确定下来，即已知了晶体管的跨导 $g_{m}$ ，（我们假设 $g_{m1}=g_{m2}$ )，就很容易推出差动对的增益。

事实上即使我们输入的差分信号是十分对称的，但由于晶体管流过的电流不与输入电压成线性关系（抛物线），两只晶体管流过P点的电流也不会相等，造成P点的电位就是未知的，它在某时刻可能是正电位，也可能是负电位。

由于频率的叠加，P点的频率是输入频率的2倍数，由此又能衍生出倍频器。

对此我们只能在一对差分信号振幅很小时，默认两只晶体管的流过的近似电流相等，P点也才会默认成交流地。

共模响应：

理想的输入信号中共模电压是不变的，然而大多数时候非理想，共模电压的微小变化就会影响差动对的放大能力。

这是因为共模电压的变化会引起P点电位的变化，又因为尾电流源的沟道调制效应，使得输出的电流不是一个定值；左右两边的非对称因素使得它们分配电流不均匀，从而产生了不对称的输出。

现象就是，两端输入的偏置是相同的，也没有添加小信号进去，按理来说输出的电压是不变的，但此时输出却产生了非对称波形，产生不对称的输入会混杂在放大信号中，形成噪声。

这种由工艺尺寸，负载等因素引起的非对称我们称它为失调（失配）。

由此我们产生了三个增益：共模输入到共模输出的增益 $A_{CM,CM}$ ；共模输入到差分输出的增益 $A_{CM,DM}$ ，差分出入到差分输出的增益 $A_{DM}$ 。我们当然希望前两者的增益越小越好，减小它们最可靠的方法就是增大 $R_{SS}$ ，使它趋近无穷大。

$A_{CM,DM}$ 的数值与晶体管的 $g_{m}$ 和负载 $R_{D}$ 有关，也就是与失调有关。如下图的推导过程中，只考虑了两支晶体管的跨导不同带来的增益，事实上还有负载 $R_{D}$ 不同带来的增益。

其中 $|\frac{A_{DM}}{A_{CM,DM}}|$ 叫做共模抑制比， $A_{CM,CM}$ 我们可以不关心它。

吉尔伯特单元：

在模拟设计中常常会用到可以调节增益的放大器，比如扬声器，麦克风，天线等常见地方都需要一种可以调节增益的器件。

吉尔伯特单元正是这种可以调节增益的电路，我们需要可以在任意方向调剂增益的电路。

图中的吉尔伯特单元是由 $V_{cont1}$ 和 $V_{cont2}$ 控制的，将两个控制信号合并到一起就形成了右图所示的电路。它们都是将电流二次分配后输出的，即将尾电流源先分配给 $M_{5}$ 和 $M_{6}$ ，再分配给差分对。由此输入输出都会牺牲一个过驱动电压的范围，原因是 $M_{5}$ 和 $M_{6}$ 会消耗一个电压。

吉尔伯特单元能够实现 $-A_{V}$ 到 $+A_{V}$ 的增益范围，如下图推导：

上述推导忽略了所有器件的二级效应，并且假设它们的尺寸，负载都完全相同。

第五章：电流镜

在模拟电路中，提供一个稳定的偏置是很有必要的，实现一个稳定的偏置，关键之一就在于电流源，实现电流源，我们需要先实现电流镜。

如果我们拥有了一个基准单元（参考单元），这个单元提供的电流是不变的，大小为 $I_{ref}$ 。在稳定性要求高的场合内，我们需要复制这个基准单元，让它的输出始终和基准单元提供的电流保持相等。

这个复制方法我们就可以称为镜像。

基础电流镜：

如上图：参考电流要顺利流过 $M_{1}$ ，就需要一个始终工作在饱和区的晶体管来代替，显然二极管结构的晶体管就能代替，这样能够保证电流与栅极电压的函数关系不变。

为了让 $I_{ref}$ 可以流过，二极管结构的晶体管 $M_{1}$ 会自适应产生一个 $V_{GS}$ ，这个转换出的电压又输出给下一个晶体管，将其转换称电流 $I_{out}$ 输出，这就是镜像过程。

两支晶体管的宽长比会影响镜像电流输出的倍数，在不考虑沟道调制的条件下，它们成线性关系。

从图中可以看出 $M_{1}$ 一定工作在饱和区，但是 $M_{2}$ 却不一定工作在饱和区，这取决于 $M_{2}$ 的外接条件。此外，由于尺寸比例，输出的电流与输入的电流成倍数关系，它们就可以形成电流放大器。

电流镜的形式还有背靠背的PMOS类型，上图展示的是NMOS类型的，其应用在I-V转换电路，也可以将将 $I_{ref}$ 电流转换成多路电压供给其他电路偏置。

由于电流镜中的晶体管受沟道调制效应的影响，（尤其是 $M_{2}$ 晶体管受影响最显著）两个背靠背晶体管的尺寸比例会存在一旦失配，此时电流镜拷贝的电流输出就不等于输入。

解决这个问题的方法有：用共源共栅电流源来抑制沟道长度调制的影响。

共源共栅电流镜：

如上图(a)，共源共栅极电路的输出阻抗很大，这使得当外部赋值电压变化时，Y点电压的变化会很小， $M_{2}$ 晶体管就不再容易进入线性区，电流镜就有很好的抗干扰性。（ $M_{3}$ 相当于避风港，但是偏置是多少还是个问题）。

上图(b)中，使用一个参考电流就能产生两个电压值，一个用来给 $M_{3}$ 偏置，另一个用来给 $M_{2}$ 进行拷贝电流，这样偏置问题就能很好解决，如图(c) 。

图(c)电路又可以看成是两个电流镜并联的结构，如下图，为了保证电流镜拷贝的电流相同，我们需要保证晶体管之间的尺寸比例关系：

共源共栅电流镜带来的问题是P点的最小电压不能低于 $2V_{OD} + V_{TH}$ ，也就是说除损失两倍的过驱动电压之外还要多损失一个 $V_{TH}$ 。

因此共源共栅电流镜虽然拷贝电流的精度更高了，但是输出的最低工作电压却提高了一个 $V_{TH}$ 。如何解决呢？在拉扎维中提出了两个办法。

法一：调整偏置电压，使其输出的范围减小，产生的问题是拷贝电流不精确( $V_{X}\neq V_{Y}$ ) ，以及偏置设置问题。

上图中显示，只要设置 $V_{b}$ 为一个合理的值时，输出的最小范围就能减少一个 $V_{TH}$ 。显然问题在于要怎么设置偏置呢？与要求高精度的共源共栅电路相比，它的偏置电压余度也跟着损失了一个 $V_{TH}$ 。

法二：直接对 $M_{1}$ 进行改动，然后将其镜像到旁路，得到完全对称的电路。拓扑结构名称为低压电流镜，如下图。

上图(a)中两支晶体管流过电流是仍然是由 $I_{ref}$ 决定的，电流要流过晶体管，那么 $V_{GS1}$ 一定是等于产生 $I_{ref}$ 一样的电压的，又因为 $V_{GS1}=V_{GS2}$ ，可以得到 $V_{DS1}=V_{DS2}$ 的。

也就是说，该电路强迫二极管连接型的 $M_{1}$ 的 $V_{DS}$ 等于电流源 $M_{2}$ 的 $V_{DS}$ ，只需要设置好偏置使得 $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 都工作在饱和区的边缘，那么就能消除共源共栅电流镜多消耗一个阈值的问题。

那么如何设置偏置呢？如上图(a)电路，采用半边电路分析法，我们都要让 $M_{1}$ 和 $M_{0}$ 都工作在饱和区，由此我们可以列出不等式：

$M_{0}$ 饱和时： $V_{b}-V_{TH0}\leq V_{x}=V_{GS1}$ 。

$M_{1}$ 饱和时： $V_{GS1}-V_{TH1}\leq V_{A}=V_{b}-V_{GS0}$ 。

实际解出范围为 $V_{GS0}+(V_{GS1}-V_{TH1})\leq V_{b}\leq V_{GS1}+V_{TH0}$ 。在不考虑沟道调制效应的情况下是可以认为 $V_{GS1}=V_{GS0}$ 的。

取不等式左边的值，得到最小的 $V_{b}$ ，即 $V_{bmin}=V_{GS0}+ V_{OD1}=2V_{OD}+V_{TH}$ 。

只要偏置在这个范围内，我们就能让两支晶体管都工作在饱和区。那么要如何产生满足这个条件的偏置呢？
书中提到了三种常见的产生偏置电路来解决这个问题，这里不再作描述了，只写出一些常用的偏置电路。

产生偏置电路：

（1）自偏置共源共栅电流镜

（2）单独产生偏置

在上图中单独产生偏置电路，其原理是将产生偏置的部分宽长比例改变，也就是让 $M_{7}$ 和 $M_{6}$ 串联起来，实现更小的宽长比，使得它等于 $M_{1}$ 宽长比的 $\frac{1}{4}$ ，继而让 $V_{OD5}=$ $2V_{OD1}$ 。

电流镜构成的电压放大器：

实际上电流镜可以用作放大器的负载，比如作为差动对的负载，这将构成一个很重要的电路：差动输入单端输出放大器。（据说考试必考）

上图展示了该放大器的电路，其工作原理是：差分输出时，两个端的相位总是相反的，假设 $M_{1}$ 栅电位上升，流过 $M_{1}$ 电流会增大，电流镜复刻电流到 $M_{4}$ ，那么 $M_{4}$ 的电流应该增大。

但是 $M_{2}$ 栅电位降低，流过 $M_{2}$ 的电流也该降低，继而应该让 $M_{4}$ 的电流降低。

矛盾就此产生了，实际上两个电流源博弈时，应该以小的电流源为主，因此 $M_{4}$ 的电流会迎合 $M_2$ 降低，此刻 $M_{4}$ 只能进入线性区了，输出电压也就会剧烈上升。

相反，当输入端的相位改变时，输出也随着改变。

输入输出偏置点：

要让所有的晶体管都工作在饱和区，因此共模输入范围为：

上述该范围是由最低值要使 $M_{5}$ 晶体管处在饱和区，最大值是不让 $M_{1}$ 和 $M_{2}$ 进入线性区推出。

小信号分析：

我们对电流镜负载的差动放大器进行小信号分析，假设该放大器整体的跨导为 $G_{m}=\frac{I_{out}}{V_{diff}}$ ，小信号模型如下图：

在上述推导过程中我们认为尾电流源的内阻是无穷大的，这么做是为了简化分析，实际上尾电流源的内阻不可能无穷大。

不用半边电路分析法的原因是该放大器左右两边的电路不对称，实质上是因为左右两支电路的输出阻抗不一样，导致分配尾电流源不可能是平均的，此时尾电流源不能看作是交流地，也就无法用半边电路法分析。

输出电阻推导：即输入端接地，在输出端接上一个电压源，看它流进去多少电流。需要注意的是这里也认为尾电流源对于小信号模型来说是开路的，即内阻无穷大。这样从 $M_{2}$ 流入的电流都会从 $M_{1}$ 流出，然后被镜像到 $M_{4}$ 。

另外一种分析方法是将 $M_{2}M_{1}$ 看成一个共源共栅电路，此时需要考虑共源共栅的阻抗倍增效应，如图：

上述分析是将 $I_{t}$ 分成四条之路，最后将其合并算出； $r_{eq}$ 是 $M_{1}M_{2}$ 共源共栅的输出阻抗。

增益分析：

从结果上看增益还是于用半边线路分析法得出的增益差不多，这个推导过程还是很麻烦的，并且结果于半边电路分析法的结果一样。

共模特性：

单端电流镜放大器的共模输入会直接影响输出，由于是单端输出的，共模影响会更加显著。如图：由于 $F$ 点和 $out$ 点是一起跟随变化的，我们将它并联到一起，得到一个带反馈的共源极放大电路。（假设当前两支晶体管无失配，仅仅是尾电流源非理想）

上述推导只考虑了尾电流源非理想情况下的共模抑制比，它还要晶体管的失配有关，一旦失配共模影响更加显著。与全差动放大器一样，我们希望共模抑制比越大越好。

以电流镜为负载的放大器也叫做五管放大器，它与常用的放大器符号相同，也是有五个引脚。缺点是共模抑制能力很弱，相比于全差动放大器来说，它很容易被噪声污染。

偏置应用：

常见的偏置电路一般用电流镜+耦合电路来进行偏置，这其中很多是工程经验的问题，可以先做了解。

第六章：频率响应

信号系统基础：

阶跃响应：在电路的输入端加上一个从低电平到高电平的上升沿，查看输出的响应，这个响应就叫做阶跃响应，也叫开机响应，阶跃响应主要与时间常数有关，时间常数越大，响应时间越长，即开机时间越长。

稳态响应：在电路稳定后，加上一个信号，查看输出的变化，这个响应就叫做稳态响应，比如输入的是正弦信号，响应就叫做稳态正弦响应。

冲激响应：在电路的输入端加上一个极短时间的脉冲，查看输出的响应。一般冲激响应并没有太大的意义，只是用来拉氏变换的算式。

响应反应了电路对信号的灵敏度，一个电路的响应通常会拆解为阶跃响应和稳态响应。

稳态响应很难在时域内分析，我们通常会将其转换到频域内分析。要把一个时域内的输入输出关系转换到频域内，通常需要拉氏变换。（傅氏变换是拉氏变换的一个特例）

由于拉氏变化包含了开机响应，而傅氏变换只包含无穷远的稳态响应，因此我们先拉氏变换，再进行傅氏变换。

拉氏变换是对冲激响应作变换，变换后得到传输函数。因此我们需要先求解电路的冲激响应。求解冲激响应的方式就是对阶跃响应求导。

在拉氏变换的算子 $S=\sigma +J\omega$ 中， $\sigma$ 代表开机响应时的指数衰减常数（阶跃响应在复频域的体现）， $\omega$ 代表复频域内的频率。通常我们不会在复频域内看阶跃响应，因此将 $\sigma$ 忽略就好了，只看 $J\omega$ 。

由于现代电路演变得很复杂了，单纯的拉氏变换会很麻烦，如果知道电路的复阻抗，就可以利用输入输出关系求解出传输函数。如图：

上图中的 $\omega _{p}$ 是电路的极点频率， $s_{p}$ 是传输函数的极点（分母为0）。

传输函数中分子为0 的点称为零点，表示电路系统输出为0时的输入频率。分母为0的点称为极点，表示电路系统输出无穷大时的输入频率。

幅频响应：当一个正弦信号输入系统时，随着输入信号的频率变化，增益的振幅和输出信号的频率相位都会变化。重点关注的是增益振幅的变化，相位的延时。相位的延时通常用角频率来表示，用复频域三角形中表示为 $arctan(-\frac{w}{w_{p}})$ 。

对于一个只有一个极点的系统（一阶系统），最大相移为-90度，对于两个极点的系统（二阶系统），最大相移为-180度。因为二阶系统，第一个极点频率处相移-45度，第二个极点频率处相移-90度，无穷远处为-180度。

通常来说，有几个独立节点就会提供几个极点，如图：

频率响应：

我们通常利用电路的复阻抗和电路输入输出关系写出传输函数，如图：

一个节点会贡献出一个极点频率，图中有3个节点，一共提供了3个极点频率。计算传输函数就可以用电路的直流特性乘以它的频率特性。

对于频率特性，我们只需要找到该节点对地的电阻和对地的电容，再将它们代入频率特性的算式中即可。

上图中的节点分别是x点和Y点，因此会贡献两个极点频率。这种简单的情况在于各个节点之间可以看成是独立的，但事实上有些节点之间并不独立，比如反馈网络，此时查看节点对地的电容和电阻就会变得很困难，为此我们引入米勒定理。

密勒定理：

对于两个节点之间不是相互独立的情况，可以使用米勒定理将两个节点之间的阻抗分别拆分为对地的阻抗，这样就能将两个相关的节点拆分成独立的节点了。

例如，如下图是米勒定理的应用：

上图是密勒定理一个十分简单的应用，使用密勒定理的条件是电路必须要有主电路和辅电路，主电路一般提供增益，辅电路一般提供阻抗。如果只有一条支路，则无法使用密勒定理，上图展示了密勒定理的错误使用，原因在于各个节点之间不存在辅电路。

大多数情况下，辅助电路的阻抗是一个电容，由于使用CMOS设计，放大器的增益大多也是负的，即反向放大的。如下例，我们应用密勒定理计算放大器的输入输出阻抗。

根据上图中算式我们可以看出，放大器的增益A很大很大时，其等效输入电容被放大了(1+A)倍，而输出电容几乎不变，我们可以称它为电容放大器，应用在一些大电容的地方上。

米勒定理只考虑了低频的情况，因此在我们只能将它看作是一种等效方法，在完整的传输函数推导中就能发现，密勒定理可能会等效出额外的极点。

解释例子详见于拉扎维书本的例6.4，可能由于版本打印的历史缘故，书中部分电路计算出错，图6.9(c)中右边的电容应该是错的，应该是相乘形式。无论如何，我们只要记住密勒只是近似就好。

共源极频率响应：（密勒近似）

如下图是共源放大电路的等效模型，在图中可以看到共源电路自带三个电容，实际上还应该有第四个 $C_{L}$ ，表示输出给下一级的负载电容。

需要注意的是电容 $C_{GD}$ 和电阻 $R_{S}$ 。在共源电路的应用中会分为两个情况：

一种是 $R_{S}$ 很小并且电容 $C_{GD}$ 没有并联 $C_{F}$ 的情况，此时 $R_{S}$ 看作是电压源的内阻， $C_{GD}$ 看作是栅漏电容。这种情况属于共源电路处在电路的第一级时考虑。
另一种是 $R_{S}$ 很大并且电容 $C_{GD}$ 并联了 $C_{F}$ 的情况，此时 $R_{S}$ 看作是上极电路的输出电阻， $C_{GD}$ 看作是栅漏电容与反馈电容的并联。这种情况属于共源电路处在二级电路时考虑。

当 $R_{S}$ 很小时，我们考虑第一种情况，使用密勒定理有：

当 $R_{S}$ 很大时，我们可以认为输入点与 $V_{in}$ 之间是开路的，如下图中的电路模型：

上图中的 $R_{X}$ 是输出电阻的一部分，原因在于如果在输出节点 $Z_{X}$ 处施加一个电压 $\Delta V$ 进入，那么该电压就会流过电容 $C_{GD}$ 和 $C_{GS}$ ，输入点分压后流入晶体管栅极，改变了 $M_{1}$ 流入的电流，从而产生了一个又等效电阻 $R_{X}$ 。

如果 $C_{GD}\gg C_{GS}$ ,那么输出总电阻可等效为 $\frac{1}{g_{m}}$ ，总电容为 $C_{GS}+C_{DB}$ ,得到输出极点频率为 $W_{p,out}=\frac{g_{m}}{C_{GS}+C_{DB}} (C_{GS}\gg C_{DB})$ 。

总结一下，无论是哪种情况，输入极点频率都是不变的，但是输出极点频率却会改变。对于输入极点频率，采用密勒定理就可以解决。

可以看到密勒定理忽略了零点，因为在高频的时候 $C_{GD}$ 相当于导线，而且增益在高频条件下也会变化。因此我们可以得出，密勒定理是在低频信号的时候的一种近似，在高频情况下并不适用。

再次强调的是密勒定理只是近似，想要获取精确的传输函数还需要进行小信号分析。书上的例子详细给出了通过小信号的计算传输函数计算过程，这里不做作推理了。

源跟随器：

先考虑低频时的情况，如下图：

考虑高频时的情况，如下图：

图中产生的负电阻是一种与正电阻相反的电阻，掺杂能量并能够振荡的一种东西，通常在振荡器中会用到，其他需要放大电路的地方，我们不希望它出现。

输出电阻如图：

可以看到源跟随器的输出电阻在频率逐渐增大的过程中，阻抗逐渐变成感性的，因此我们可以将源跟随器的输出电阻在高频时看成是电感。

共栅极电路：

我们使用低频密勒等效来计算下共栅极电路的传输函数，假设不忽略沟道效应，有：

在高频情况下，上图中的 $C_{L}$ 会失效，此时输入阻抗依旧与低频时小信号推导出的一样。由此我们也能说，密勒近似在低频的时候会让电路分析简单一些。

关于共栅极电路的传输函数在上文已做展示，这里不再赘述。

共源共栅电路：

共源共栅电路在高频信号下体现出高带宽，高速的特性，原因在于增益 $A_{V}\approx 1$ ，极点的绝对值距离原点的位置较远。

全差动对：

在计算全差动对的极点频率时，采用半边电路分析法就可以求出它的极点。由于是对称的，因此只需要分析左右两边任意一条支路的极点就行。

相比于差动对的极点频率，我们更关系它在高频条件下的共模响应是如何的。

上图对比可以看出，在高频条件下，共模到差模的增益会降低，因此共模抑制比也会变差。

电流源为负载的差动对：

上图中的输入点 $G$ 点不会产生极点，这是因为输出的差分信号会将G点产生的波动给抵消，因此G点可以看作是虚拟地，虚拟地之间不存在极点，故只有输出节点存在极点。

电流镜为负载的差动对频率响应：

我们将电流镜为负载的差动对输入端使用戴维南等效成一个电压源与电阻的并联，如图：

上图中直接给出了计算好的两个极点频率，此外还有一个零点。零点产生的原因是由于两条支路的叠加产生的，它可以增加相位裕度。在设计的时候，考虑到第一个极点可能很难改变，因此我们主要考虑改变 $g_{mp}$ 和 $C_{E}$ 。

第七章：噪声

噪声功率：噪声的幅值电压在一欧姆电阻上的功率就是噪声的功率，用数学表达式来说就是 $P=\int_{-\frac{t}{2}}^{\frac{t}{2}}\frac{U^{2}(x)}{1}$ 。使用它来描述噪声的大小。

一个电路中会存在很多噪声，如果这些噪声是不相关的，也就是独立的，那么总的噪声功率就等于各个噪声功率之和。如何理解噪声的相关问题呢？我们说如果噪声相关，那么两个噪声之间会相互抵消，如果不相关，那么它们会叠加引起更大的噪声。

电路的噪声通常由电阻和有源器件贡献的，但是贡献的的噪声大小不由电阻来决定，而是由电容来决定的。

对于MOS管，它本身存在三个噪声，沟道噪声（热噪声），栅噪声，闪烁噪声。

闪烁噪声也叫 $\frac{1}{f}$ 噪声，它是由栅极表面的悬挂键产生的，这个噪声与频率有关，在低频情况下这个噪声显得尤为明显，选用双极性晶体管BJT或者具有埋沟效应的PMOS能缓解部分闪烁噪声。

关于噪声的更多知识可以查看拉扎维书籍，噪声章节并不是很重要，这里不做简述了，直接进入下一章。

第八章：反馈系统

概述：

闭环增益：将反馈系统看成黑盒子后看输出与输入之比，它也可以看作传输函数，如下图中的表达式 $\frac{Y(s)}{X(s)}$ 。

环路增益：将输入短接后让信号完成回路一圈的增益，它等于两个分支电路的系数相乘，如下图中的表达式 $H(s)G(s)$ 。

开环增益：忽略反馈网络，单纯的看前向放大器输出与输入的比值。

上图中的Feedback error是反馈误差的意思，就是说系统放大的了反馈误差，由于反馈误差很小很小，我们认为前馈放大器放大的是小信号，或者说前馈放大器的输入是非常微小的信号。

我们假设前馈放大器的放大系数为A ，反馈电路反馈系数为 $\beta$ ，如图，我们可以计算出反馈系统的闭环增益：

要想反馈系统的闭环增益越大，就要让 $\beta A$ 越大，也就是增大环路增益，当环路增益非常大时，我们认为反馈系统的闭环增益几乎是不受外面变化的，此时闭环增益约为 $\frac{1}{\beta }$ 。

可以看到环路增益对系统的稳定性影响非常大，那么要如何计算环路增益呢？通常会分成三步计算：

1.将输入接上小信号地，既默认输入接地。

2.将整个电路选择合适的节点将其从中切断（重点在于如何选择）。

3.在其中一个切断点处加上一个激励，查看另一个切断点的输出。

下图展示了计算环路增益的模型，其中增益的符号可以默认不要。

环路增益影响着放大器的增益，输入输出电阻，带宽大小，非线性等，因此计算环路增益非常重要。（详见书本例题）

电压-电压反馈：

电压-电压反馈网络，因为该网络是检测电压，并反馈电压，因此我们希望反馈电路有大的输入电阻，有小的输出电阻。

电压反馈网络对前向放大器的影响是增大 $1+\beta A_{0}$ 倍输入电阻。减小了 $1+\beta A_{0}$ 倍输出电阻。

需要注意的是，对于反向放大器而言，反馈网络中的闭环增益是不同的，原因在于它的开环增益定义的不同，例如下图：

上图中的 $A_{open}$ 就是电路的开环增益，可以看到开环增益不再是单纯的 $A_{0}$ ，而是被阻抗分压之后的增益 $\frac{C_{2}}{C_{1}+C_{2}}A_{0}$ 。

关于反向放大器的反馈增益详细可看书上8.5有关例子。

电流-电压反馈：

电流-电压反馈网络，因为该网络检测的是电流，反馈的是电压，因此我们希望反馈网络的输入电阻是小的，输出电阻也是小的。

点流-电压反馈网络对前向放大器的影响是输入电阻和输出电阻都增大 $1+G_{m}R_{F}$ 倍。

电压-电流反馈：

电压-电流反馈网络，因为该网络检测电压，反馈电流，因此我们希望输入电阻是大的，输出电阻也是大的。

电流-电压反馈网络对前向放大器的影响是输入电阻和输出电阻都减小 $1+g_{mF}R_{0}$ 倍。

电流-电流反馈：

电流-电流反馈网络，因为检测的是电流，反馈的也是电流，因此我们希望输入电阻是小的，输出电阻是大的。

电流-电流反馈网络对前馈放大器的影响是减小输入电阻 $1+\beta A_{1}$ 倍，增大输出电阻 $1+\beta A_{1}$ 倍。

反馈电路的性质可以总结为如下图，其中S表示串联，P表示并联。

反馈分析：

对于反馈网络，重要的是如何分析它的环路增益(loop gain) ，前面我们知道了分析环路增益可以将电路切断，以便于我们查看反馈是哪种类型。

问题在于有时候我们不知道要从哪里切断电路，因为反馈网络的电阻不是无穷大，影响了开环放大器的工作状态。

二端口方法回答了要从哪切断的问题。二端口网络在电路分析书籍中有所讲述，其重要的运用在于计算输入阻抗和输出阻抗。除了二端口方法外，拉扎维书本还介绍了另外两个方法解决反馈分析问题。

我们知道计算放大器的输入电阻，在不考虑反馈的情况下，或者将输出端口开路时，输入电阻就是输入电压除以输入电流，这与Z模型一致。

但是计算输出电阻时，Z模型计算输出电阻是要输入端口开路的，但是我们计算时是将输入端口短路的，因此不能用Z模型来等效。

既然不能使用Z模型，就只能用其他电路模型，H模型和G模型就是分析放大器的另一种方法。由于时间紧迫，有关这些反馈分析的方法只能待以后有时间再做分析，读者可以参照拉扎维书籍自行学习反馈分析方法。

第九章：运算放大器

概述：

运算放大器是在模拟中非常普遍，无论放大器是什么类型，我们都会关注放大器的增益，输出摆幅，带宽，增益这几个因素。

传统设计流程：

下图展示了基础电路的设计流程：

图中的GBW是增益带宽积，这是需要从设计要求中提取的。

增益带宽积GBW=A*BW，A表示放大器的增益，BW表示对应的带宽。增益带宽积体现了开环电压增益与其对应带宽的乘积关系，在一定范围内保持不变。

通常我们希望系统是一个单极点系统，不是单极点的系统我们也期望能够近似成单极点系统那样。如果能够将上图中的 $f_{u}$ 往右边移动，那么我们就能有更大的选择余地。

线性缩放：

对于一个常用的放大器，其使用场景可能多变，不同的场景有不同的要求，在已有设计结构的前提下，对结构中的一些参数进行线性缩放能够获得不同的效果。如上图就是在增益不变条件下，增大2倍功耗。

单极放大器：

五管单元：

上图中显示出差动放大器是多级点系统，如果想让 $w_{u}=A_{0}w_{0}$ ，就需要确保在 $w_{u}$ 之前只有一个极点频率，其他极点频率均大于 $w_{u}$ 。对于多极点系统，除了 $w_{0}$ 之外，其他极点频率均大于 $w_{u}$ 的系统，我们可以把它叫做单极点近似系统。

也就是说，设计努力的方向就是让系统只能出现唯一的低频极点 $w_{0}$ （主极点），其他极点都得是高频极点。

全差动：

输出直流点不确定的原因是“一山不容二虎”，即存在两个电流源，这使得偏置极为困难。CMFB是共模反馈的意思。

共源共栅：

共源共栅单极运放可以分为单端和全差动，如下图：

上图可以看出该单端套筒式运放的输入直接点范围是很小的，并且输出摆幅裕度并不是很大，这导致了它的应用并不是很广。

一种解决办法是将有源电流镜换成低压电流镜，如下图所示：

上图可以看出，低压共源共栅结构的电流镜能够提高单端放大器的输出摆幅，缺点就是又引入了一个复杂的偏置。

我们对该低压结构电路电路进行小信号分析，如下图：

可以看出低压结构也有两个极点，显然 $w_{p1}$ 是主极点， $w_{p2}$ 是次极点，该次极点是寄生极点，一旦电路设计完成后几乎无法改变该极点，因此单极点近似可能没办法使用。由于镜像的原因，同样会出零点问题。

如果使用单端共源共栅结构来接成单位增益放大器的结构，就会明显感受到单端结构的输出摆幅限制，如图：

限制单端共源共栅结构输出摆幅的根本原因是偏置 $V_{b}$ 是固定的，如果我们能让 $V_{b}$ 可以跟随输入的变化而变化，那么输出摆幅问题就能缓解。那么要如何是得 $V_{b}$ 是不固定的呢？

查看电路可以知道尾电流源的电压会随着输入端共模电平的变化而变化，换句话说，尾电流源的电压变化是输入共模电平的函数（下图中的P点电压 $V_{P}$ ）。

全差动共源共栅：

全差动共源共栅输出摆幅明显更大一点，因为它使用了更多的偏置，缺点也是偏置复杂。

从小信号分析中可以看出，全差动的共源共栅结构没有了镜像原因，也就没有了零点，同时它只有一个主极点 $w_{P1}$ ，其他极点因为差动输出的原因会被抵消，因此它天然就符合单极点近似。

折叠型共源共栅：

实际上对于单端共源共栅的运放，即使使用低压电流镜，或者使用变化的偏置，其改进输出摆幅裕度的能力也是有限的。

另一种改进输出摆幅裕度的结构是使用折叠型共源共栅结构，该结构分为N管输入和P管输入，如下图：

折叠型共源共栅结构最大的好处是将输入与输出隔离开，使得 $V_{in}$ 不受 $V_{b}$ 的限制，这样输入的共模范围就能增大很多。

如下图，我们在差动对上使用折叠型共源共栅结构：

在大信号分析中可以看出折叠型结构输入摆幅和输出摆幅都增大了，同时功耗也增加了。我们看下该结构的小信号增益，如下图：

可以看出折叠型结构的小信号增益有所降低，原因是共源共栅结构的倍增阻抗出现降低（ $r_{o1}||r_{o5}$ ) 。

我们再来看下共源共栅与折叠型的寄生电容对比，如下图：

我们知道再单极点近似中，第二极点是决定系统带宽的因素，也就是次极点频率决定系统是否能单极点近似。次级点频率为 $w_{p2}=\frac{g_{m}}{C_{f}}$ , 其中 $C_{f}$ 是极点的寄生电容。

显然折叠型的极点寄生电容更大，它的次极点频率相比普通共源共栅结构要小，因此难以做到单极点近似，系统带宽也减小。

总的来说，折叠型结构的缺点在于增益减小，系统带宽减小问题。

两极放大器：

提高增益的方法除了在纵向结构上入手，还能在横向结构上入手，比如增加级数，由此我们展开两级放大器。

如下图是一个两级放大器的示例：

上图所示是一个由差动对和有源负载共源极组成的两级放大器，采用单边电路分析法可以得到增益就是各级电路增益的乘积。

显然这种电路的好处是能获得极大的增益，缺点是电路不稳定，因为这种系统出现了两个低频极点。前面学习可以知道，几乎所有单极放大器都满足单极点近似，因为它只有一个低频极点，就是位于输出节点上。

对于两级放大器，第一个低频极点在第一级输出节点上，第二个低频极点在第二极输出节点上。存在两个低频极点的系统并不稳定，我们需要加上补偿电路，这一点会在下一章阐述。

如果还想获得更大的增益呢？我们可以选择在各级电路上做文章，比如第一级采用共源共栅差动对，第二级还是有源负载共源极，如图：

上图中的放大器第二级输出摆幅在 $V_{DD}-V_{OD10}$ 和 $V_{OD12}$ 之间，我们把这种输出摆幅在两个值之间摆动的放大器叫做输出轨对轨运放。

同样的道理，还有输入轨对轨运放。无论是哪种运放，只要是两级运放，最大的问题就是存在两个高阻极点（也叫做低频极点），它们天生就有自激振荡的可能。

增益提高技术：

我们知道了两级放大器的增益可以很高很高，但是稳定性问题是个难点，有没有一种改造方法能让单极放大器既可以实现像两级那样高增益，又没有稳定性问题。

由此我们引入单极增益提高技术。

上图共源共栅结构提示我们提高增益的方法有增大 $g_{m}$ 和 $r_{out}$ ，增大 $g_{m}$ 会影响输出带宽，增大 $r_{out}$ 会影响输出摆幅。

在不考虑输出摆幅的影响下，增大输出电阻是一个很好的选择。一种实现增大输出电阻的方法是使用反馈。

电流反馈能够提高它的输出电阻，但是如何将反馈加入到电路中呢？由于共源共栅内部存在电流负反馈，我们可以将这个反馈机制增大，采用一个反向放大器就能将这种负反馈增大。

可以看到加了电流反馈之后其输出电阻增大了 $1+A_{1}$ 倍。对于输入电阻的影响如下图：

可以看到加了反馈之后其输入电阻减小了 $1+A_{1}$ 倍。

现在我们知道了共源共栅结构加入反馈后其输入电阻和输出电阻的变化，如果把这个结构看成一个大的跨导放大器（黑盒），那么这个放大器等效的跨导如下：

知道了共源共栅反馈后的变化，我们在具体的电路实现时，需要考虑反馈电路带来损失，如下图，加入反馈网络后，整个结构的输出摆幅会损失一个阈值电压。其原因是X点的电压不能太低，必须要保证 $M_{3}$ 正常工作。

上图中能看出整体电路的增益已经有了明显的提升，缺点是输出摆幅减小了一个阈值。解决方法是使用PMOS来替代反馈网络中的 $M_{3}$ 。

仅仅使用PMOS改进反馈网络还不够，因为PMOS的 $V_{dd}$ 与 $P$ 点之间存在很大的压差，这使得 $I_{1}$ 需要很大。使用折叠共源共栅结构做反馈网络能解决这个问题。（如上图右）

讲述完了共源共栅的增益提高技术，现在来看看全差动的增益提高技术，如下图：

如果使用N管做反馈网络的放大器，其结构就如下图：

上图中的反馈网络已经用紫色线条画出，同样的问题，使用NMOS做反馈网络还是存在输出摆幅损失一个阈值的问题，解决办法还是使用PMOS做反馈网络。如下图：

使用折叠型的PMOS来做反馈网络中的辅助放大器，这样能够让X点的电压低至两个 $V_{OD}$ ，输出摆幅也就没有了一个阈值电压的损失。

总结来说，本节讲述的提高增益的技术主要是利用共源共栅结构中电流负反馈来提高输出电阻，进而提高增益。然而反馈网络的设计需要考虑到带宽的影响，这对设计者又是一个难题。

下图是部分放大器的增益提高技术总结：

共模反馈技术：

前面的学习中我们看到过差动对的输出共模电平是不确定的，需要共模反馈(CMFB)解决这个问题。对于单端差动对来说是不存在共模电平输出不稳定的说法，但是全差动需要抑制这个问题。

解决这个问题仍然需要一个反馈网络，这个反馈网络需要检测共模电平，并将共模电平与我们想要的电平做对比，然后反馈给电路调节电流。

上图展示了共模电平检测方法，就是用两个大电阻接到输出端，其输出的电平就是共模电平。但是该电路需要保证接上的电阻远大于输出电阻，否则将会影响电路的输出增益。

解决大电阻问题是使用源跟随器来先对输出缓冲一下，在对其进行检测，如下图：

使用源跟随器确实解决了大电阻的问题，但是如果输出端的差模信号很小时，源跟随器的跟随能力会下降，原因在于差模输出范围与源跟随器的输入范围不匹配，导致检测的共模信号错误。

如果还有其他方法，那就是使用MOS管代替电阻，前提是该MOS必须工作在线性区，显然这个要求很苛刻。

无论哪种检测电路，使用大电阻的方法都是最靠谱的方法。

除了使用大电阻做检测共模电平电路之外，还可以使用电容做该电路，但是电容没有直流节点，因此我们需要使用开关电容来解决该问题。

共模输入范围限制：

前面讲述的折叠型共源共栅结构解决了输出摆幅的问题，但是输入摆幅的问题仍然存在，如何解决输入摆幅小的问题呢？

可以使用混合型的折叠共源共栅结构来解决这个问题，如下图：

我们可以看到输入共模范围扩大到了 $0$ 到 $V_{dd}$ ，可惜的是输出范围并没有适应这么大的输入范围，想要再度扩大输出范围还需要再加一级电路。

无论如何，我们需要知道双折叠结构能解决共模输入范围小的问题。这种轨对轨输入结构存在的问题是跨导会改变，上图中显示出了跨导的峰值。

压摆率：

压摆率反应了电路对阶跃响应的延时，对于简单的RC滤波电路来说，它对阶跃响应的反应时间几乎是固定的，但是对于放大器来说，反应时间却不是这样，如下图：

放大器对不同的阶跃信号有不同的延时，当阶跃信号逐渐增大时，输出信号逐渐称为线性变化。既然是线性变化，就会产生斜率，这个斜率与电路中的负载电容有关。

以一个差动电路举例说明这种阶跃信号的输出变化：

由于是单端输出，阶跃响应的斜率是尾电流除以负载电容，即 $\frac{I_{SS}}{C_{L}}$ ，其他结构的响应斜率也是类似。

在设计放大器的过程中，应该考虑该放大器能处理的最大斜率，以确保输入的正弦信号斜率不大于阶跃响应的最大斜率。

第十章：频率补偿

概述：

在反馈电路中，系统的稳定性是我们常关心的问题。一个系统加上反馈网络后能否稳定，不稳定该要怎么处理？

我们先来看下反馈网络延时对系统输入的影响，如下图：

由于输出的延时，反馈网络反馈回来的信号会与输入信号有一定的相位延时，如果频率很高的情况下，这个相位延时就很大，甚至超过180，此时放大器可能会自激振荡。

要知道负反馈是将反馈信号与输入信号相减的，如果相移超过180就有可能是相加的，此时负反馈会变成正反馈。

巴克豪森准则：

巴克豪森准则指出，反馈信号的相移为180度并且闭环增益为1时，系统会自激振荡。需要指出的是，这只是系统不稳定的必要条件，即使反馈延时造成的相移超过180度，但是闭环增益不为1，系统也不一定会振荡。

显然，使用巴克豪森准则区分系统是不是稳定的，可能没有那么清晰。

为了清晰地区分稳定系统和不稳定系统，我们在GBW中划分出两个点，增益幅值降为0的点记作 $G_{X}$ ，反馈相移为180度的点极为 $P_{X}$ 。

$G_{X}$ 我们称它为增益交点频率，对应着增益为1（0dB）时的频率； $P_{X}$ 我们称它为相位交点频率，对应着相位延时为180度时的频率。如下图：

根据环路增益的GBW图可以划分出稳定系统和不稳定系统，上图中就是根据 $P_X$ 和 $G_{X}$ 的大小来判断系统是不是稳定的。

另一种方法是根据传输函数的根所在位置来判断系统是不是稳定系统，通常来说，极点（根）位于幅值平面的左半平面就是稳定系统，在右边平面（包括在虚轴上）是不稳定系统。

上述理论在信号与系统课程中有所讲述，这里不在赘述。

单极点系统：

单极点系统天然是稳定的，因为它的最大相移只能是90度，根本到不了180度，如图：

双极点系统：

双极点系统可能是稳定系统，尽管它的最大相移是135度，但是 $\beta$ 会影响增益交点 $G_{X}$ 的位置，一旦 $\beta$ 很大，让 $G_{X}$ 大于 $P_{X}$ ，就会造成系统不稳定，如图：

观察上图中的 $\beta$ 大小，显然 $\beta$ 会影响增益幅值，但不影响相移。相当于让GBW在纵坐标上下移动，我们很容易能理解与横坐标的交点 $G_{X}$ 的变化，对比相移为180度的点，我们说双极点也是个稳定系统。

对于反馈系统，我们通常会研究 $\beta =1$ 时的情况，也就是研究单位增益反馈，因为 $\beta$ 最大值为1，我们说最坏的情况就是 $\beta =1$ 的。如果单位增益反馈系统是稳定的，那么其他反馈系统也是稳定的，显然，减小 $\beta$ 有助于提高系统稳定性。

三极点系统：

同样的道理，对于三极点系统来说，减小 $\beta$ 也能增加系统的稳定性。显然三极点系统更有可能不稳定，因为它的最大相移为270度，已经超过了180度了。

相移裕度：

我们已经知道了增益交点频率 $G_{X}$ 应该小于相位交点频率 $P_{X}$ ，但是两者之间应该留有多少的空白较为合适呢？

最佳裕度应该是60度~70度之间。可能部分可能说过45度的裕度能让系统稳定，但实际上仍然还是有风险的，考虑PVT的变化，我们必须要有足够的空白，但是这个空白又不能太大，太大会让系统的增益提升速度变慢。

因为次极点对应的最大相移就是180度，我们将次极点频率 $w_{p2}$ 代替相位交点频率 $P_{X}$ ，方便我们分析。

对于多极点系统来说，我们最好能够让次极点 $w_{p2}$ 大于增益交点 $G_{X}$ ，让 $w_{p2}$ 与 $G_{X}$ 成倍数关系，此时我们能够得到该倍数与相位裕度之间的关系，如下图：

无论如何，我们始终要让增益交点小于相位交点，设计时一定要考虑让次极点大于 $G_{X}$ 的两到三倍， $G_{X}$ 有时也叫 $w_{u}$ ，表示单位增益放大器的频率，在有的地方又叫截止频率。

$w_{u}=G_{X}=\frac{g_{m}}{C_{l}}$ , $w_{p2}=\frac{g_{m}}{C_{f}}$ 。 $C_{l}$ 是负载电容， $C_{f}$ 是寄生电容。

补偿措施：

假设现在要面对一个不稳定的系统，我们有哪些措施可以解决这个不稳定问题呢？这个问题我们分系统讨论。

单极运放：

前面我们所讲述的单极，多级概念是从结构上来说的，但是现实中电路的结构通常都很复杂，很难从结构上看出是它是几级运放。

一种判别方法是看整个系统的极点个数，看这个系统的低频极点（高阻抗极点）的个数有几个，我们就称它为几级运放。

例如单极运放，我们只能在系统中找到一个低频极点（高阻抗极点），其他极点因为阻抗很低，所以为高频极点。

我们判断极点频率的大小就看各个节点的阻抗就行，分析多数电路得来的经验可知，连接源极的阻抗通常是 $\frac{1}{g_{m}}$ 和节点寄生电容，连接漏极的阻抗通常是 $r_{o}$ 和节点寄生电容，输出节点的阻抗通常是负载电阻和负载电容。

通常来说输出节点的阻抗是整个系统最高的，次极点是第二高阻抗的节点，而多数情况下我们关心的是第二极点。

那么对于不稳定的单极系统，我们要怎么补偿？如下图：我们采用移动主极点的办法来解决稳定性问题。

进一步增大输出节点的阻抗，即增大 $C_{L}$ ，就能达到左移主极点的效果。不过由于甲方的要求，负载电容可能是不能改变的，因此再加上一个补偿电容就行。

不选择增大输出电阻是因为随着输出电阻增大，增益幅值也会提高，图像会像上移，这并不能解决系统稳定性问题。

既然要往左移主极点，那么要移动多少的裕度才算合适呢？换个言之，我们要怎么增大负载电容呢？

显然，上图中给出了答案，成倍数的增大负载电容，这样做是方便我们进行分析，例如上图中给出的例子是留有45度的相移裕度。

要是45度的相移裕度还不够，那就继续左移，让增益交点频率 $w_{u}$ 小于第二极点频率的2到3倍。如果左移到极限没法左移了，那就要考虑第二极点的问题了。

两级运放：

对于两极运放系统，它有两个低频极点，此时我们需要确定哪个才是主极点，哪个是次极点。

如下图是一个两极运放的实例，它的两个低频极点距离很近。

我们可以看到两级运放是一个不稳定系统，因为它的两个低频极点很近，而其他极点又相离很远，很容易造成不稳定。我们知道双极点系统可能是不稳定的，这就是一个很好的说明。

如何解决两极运放的问题呢？如果继续使用增大负载电容 $C_{L}$ 的方法，这个办法已经行不通了，因为继续往左移动主极点，带来的低带宽问题就特别严重了。

我们使用另一种常用的方法：米勒补偿。

回顾第六章之前学习的频率响应中的共源极频率响应，假设我们的放大器反馈网络采用了第二级电路的米勒补偿，就是把放大器的输入节点和输出节点之间用一个电容并联起来做反馈网络，如下图：

米勒补偿的本质上是让两个低频极点拉开，让它们两个的距离不要太近，这样其中一个就能做主极点，另一个做次极点。

那么谁做高频极点谁做低频极点呢？我们再考虑高频时候的情况，在高频时电容相当于导线，此时放大器的栅极和漏极看作接在一起的，就是看作我们理解的二极管的结构。（放大器成二极管结构是不利的）

能够看到第二级电路的输出节点就是高频极点，而第二级的输入节点就是低频极点。

使用米勒补偿将两极运放的两个极点互相分开，第一级输出节点做主极点，第二级输出节点做次极点。这种将两个极点距离拉远的方式叫做极点分裂，如上图所示。

使用米勒补偿是将两个极点频率分开了，但是当我们在第一级输出节点和第二级输入节点之间并联上米勒补偿电容时，会产生前馈通路，此时会产生一个右半平面的零点 $w_{z}$ 。

即使右半平面的零点会抵消一个左边平面的极点，我们等效成单极点近似系统来看，理所当然的认为这是稳定的，但事实上考虑相位裕度就会发现，此时相位裕度为负值。

因此，我们加上米勒补偿电容后，如果不做任何处理，那么这个系统一定会振荡起来。如下图所示，由于右半平面零点的作用，增益零点右移，使得它大于相位交点，系统不能稳定。

这是很糟糕的，加了米勒补偿不做其他处理的话还不如不做，如何消除这个零点成了关键。

一种常用的方法是在米勒补偿电容前面串上一个电阻，这个电阻叫做消零电阻，顾名思义，用来消除零点的电阻。

如上图所示，我们只要控制 $R_{Z}$ 的大小就能控制 $w_{z}$ 的正负，也就能控制它在左半平面还是在右半平面。在数学理论上来说，让 $R_{z}=\frac{1}{g_{m9}}$ ，就能让零点消失，实际上我们很难保证两者相等，也不应该让它们相等，考虑PVT因素，不应该让零点在平面界限左右摇摆。