NMOS 高边自举驱动电路

基本的电路原理如下：

• Q1 为高边开关管；
• R2 是8Ω 负载；
• 单刀双掷开关S1 代表控制信号，向Q2 基极拉高或拉低；
• 探针GS 表示栅源电压，BS 表示电容对地电压，R 表示负载对地电压，LOAD 表示负载电流；

NMOS 管Q2 在负载R2 的上游，所以叫“高边”。NMOS 驱动需要把栅极拉高，具体而言，一般需要把栅极拉高到比源极更高3V 以上。但是当负载被启动时，负载电压应该接近电源电压，也就是源极电压接近电源电压。要让栅极电压比电源电压更高才能驱动NMOS 管，这就是自举电路的作用。对了，也可以用专门的BOOST 升压或者电荷泵驱动栅极，只是一般用自举驱动比较方便，而且电源电压较高时，升压电路做起来也比较麻烦。

这个自举电路比较简单，也挺常见的，比如开源电烙铁。在考虑自举的原理之前，首先应该考虑没有自举的时候，其实高边NMOS 也不是完全导通不了。比如上面的仿真图，上电后初始状态负载上就有18V 电压、2A 电流。道理很简单，Q1 栅极是连接到电源正极的，没被Q2 拉低时，栅极被驱动到电源电压，就是差不多30V。

刚上电时，如果Q1 没导通，那么R2 上没有电流，对地电压就是0，此时MOS 管栅源电压有30V，暂时不考虑击穿的问题，反正MOS 管肯定是要导通的。但是MOS 管导通后，负载电压上升，栅源电压就会持续下降，如果负载电压升高到接近电源电压，MOS 管就会截止了，然而截止以后又没有电流保持负载电压，负载电压应该又会归零……实际中应该不会振荡，而是卡在中间某个位置，栅源电压会下降，但是不会下降到让MOS 管截止。

结果就是图里的效果，即使自举电路还没有发挥升压效果，负载上也有电流。这个状态的危害就是MOS 管不完全导通，30V 电压有18V 加在负载上，那剩下的12V 都在MOS 管上，叠加上2A 电流，MOS 管上会有24W 发热功率，瞬间就炸了。

自举驱动

从图中可以看出，电容C1 一端是电源电压30V，另一端是负载电压18V，那么C1 就会被充电到12V。如果用开关拉高Q2 的基极，使Q2 导通，就会拉低Q1 的栅极，使Q1 完全截止，此时负载电压是0V，电容C1 被充到30V。

然后如果再让Q2 截止，Q1 栅极很快上升到电源电压，Q1 逐渐导通，使负载电压逐渐上升，BS 点的电压是负载电压加上电容两端的压差，而电容之前已经被充到30V，所以BS 点会逐渐升高到超过电源电压。BS 电压升高让Q1 导通程度升高，使负载电压上升，又使BS 电压更高，这个正反馈让Q1 很快完全导通，30V电源电压大部分加在负载电阻R2 上，如下图。

此时BS 电压大约是电源电压的两倍，二极管D1 用来阻止电容向电源倒灌，电容里充的电无处可去，在各种漏电流的作用下电压缓慢下降。要让电容充电、电压恢复，只能把开关拉低，Q2 导通后，Q1 截止。所以控制信号是低电平有效，在Q2 截止时，Q1 导通。并且控制信号应该周期性拉高，及时给电容充电，避免Q1 进入不完全导通的状态。

所以自举驱动时，控制信号的占空比不能达到100%，必须留一点充电时间。这也是很多DC-DC 芯片占空比到不了100% 的原因。

增加稳压管

现在给MOS 管栅源极上并一个稳压管，看看效果如何，顺便把R1 的阻值增加到10k，不然30V 压差普通0603 电阻扛不住。电容值也可以减少一些。

R4 只是为了让仿真不报错，可以忽略。驱动信号换成了一个5V 的方波信号源V2，输出频率10Hz 的方波，模拟PWM 控制信号，占空比50%。探针DRIVE 用来显示驱动电压的波形。下面是仿真结果。

栅源电压的蓝色波形基本是跟着驱动信号走的，且被稳压管限制在12V 左右。在驱动信号拉低的瞬间，BS 电压最高冲到50V，然后快速下降，因为稳压管开始给电容放电。虽然栅极上串联了10k 电阻，按理说GS 电压上升应该会变慢，但是驱动栅极的BS 电压最高有50V，电压足够高，经过了10k 电阻的栅极充电电流大概还是足够的。

这个电路基本能用了，除了几个问题：

• 二极管D1 能不能扛得住BS 的最大电压；
• 电容C1 耐压够不够；
• 电阻R1 发热量有多大；

常用的肖特基二极管1N5819 耐压是40V，BS 电压最高为两倍电源电压，那么加在二极管D1 上的反向电压就是一倍电源电压30V，应该问题不大。不过肖特基二极管反向漏电流相对比较大，可能导致BS 电压下降过快，应该看情况换成1N4007。

虽然BS 电压最高能到60V，但是电容C1 上最大电压不会超过电源电压30V，那么普通的50V 耐压陶瓷电容基本就OK 了，可以试试100nF 50V 的0603 或0805 电容，仿真时按50nF 容量计算。

当Q2 拉低时，电阻R1 两边电压30V，功耗90mW，而0603 电阻额定功耗100mW，有点极限了。所以把R1 再增大到15kΩ，这时功耗60mW。做这些修改后，仿真曲线如下图，可以看到因为C1 容量减少了，VGS 存在明显的倾斜，毕竟稳压管上也有漏电流，但是应该问题不大，实在不行就加容量，或者稍微增大稳压管的电压。

串联电容降压

想到个办法可以去掉稳压管，就是把C1 分成两个电容串联，每个电容上电压最大15V，不超过MOS 管栅源耐压，然后把栅极接到两个电容中间，如下图。当然这样就和两个电阻分压的效果差不多，缺点是不能适应宽电压。

15kΩ 的R4 用来给栅极提供一个恒定的驱动电压，开启自举驱动的正反馈，但是这个电阻并联在C1 上，会造成C1 和C2 不能等分电源电压。不过仿真的效果好像还不错，探针PC1 和PC2 表示C1 和C2 上电压，看上去均分的还行，如下图。而且关闭MOS 管时，GS 上出现一个-15V 电压尖峰，这个负压可以加速MOS 管关断，不太确定这是什么原理。

增加推挽驱动

还有一种用推挽电路加速MOS 管开启的设计，就是再加一个NPN 三极管和一个二极管，如下图。

增加了Q3，对应推挽电路的上桥臂，用来快速把C1 里的电充进MOS 管栅极，不用再经过R1。D3 和Q2 构成下桥臂，Q2 导通后让Q3 截止，然后经过D3 给栅极快速放电。仿真可以看到MOS 管开启瞬间，BS 电压迅速下降到35V 左右，几乎没有之前电路从60V 下降的那个过程，这就是Q3 的作用。可以在栅极上串个小电阻，用来在导通瞬间缓冲一下，以免稳压管没反应过来，电容里30V 冲过来一下把栅极击穿。把稳压管换成TVS 可能效果更好，导通更快，漏电流更小。

也可以把稳压管挪到Q3 基极，直接限制驱动电压。仿真发现BS 电压根本没有那个下降过程了，看起来很平滑。MOS 管开启非常快，关断稍微慢一点。