【车载开发系列】FlashMemory基本概念

【车载开发系列】FlashMemory基本概念

一. FlashMemory的特征

闪存，闪速存储器(Flash Memory)
是一种电可擦非易失性半导体存储器。由于采用的是非挥发性存储技术，闪速存储器在不加电状态下可以安全保存数据达十年以上。闪速存储器具有E2PROM那样的单管结构，制造成本低、体积小，且其存取时间仅为30ns，比E2PROM快得多。闪速存储器还兼有ROM和RAM两者的性能及高密度，因而是目前为数不多的既具备大容量、高速度，又具有非易失性、可在线擦写特性的存储器，闪速存储器市场发展十分迅速，其规模接近DRAM市场的1/4，与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。

二. 常见的FlashMemory

一种是传统的NOR闪存，其芯片内储存的数据可以直接读取，因而速度比较快，但是价格较高
另外一种是NAND闪存，这种闪存也称为固态硬盘，它内部数据以块为单位进行存储，地址线和数据线共用，使用控制信号选择。各种存储设备如优盘，主板BIOS芯片、MP3, Smart Media卡、Disk On Chip (DOC), PCMCIA卡等都是使用上面的两种芯片作为存储介质。

1）NOR FlashMemory

Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。后来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。

2）NAND FlashMemory

第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好