硬件基础——mos管

前言

MOS管设计重点

一、技术理论

场效应管分类：
1.结型场效应管：很少使用
2.绝缘栅型场效应管：也就是我们常说的MOS管
MOS管分类：
1.增强型：U_gs电压为0，I_ds=0的管子
2.耗尽型：U_gs电压为0，I_ds≠0的管子（很少用）

二、增强型NMOS管

常做开关跟低端驱动

三、增强型PMOS管

常做高端驱动与开关

四、寄生参数

1.寄生电容
mos管有寄生电容Cgs，此电容大小一般为pF级别，一般规格书可以查到。
使用时，要特别注意GS管教的寄生电容Cgs,控制MOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。（最好要加限流）
2.体二极管
体二极管与正常二极管特性相同，可利用体二极管防反接。

五、器件选型

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