晶体三极管

        前面两节分别介绍了晶体管二极管,本篇介绍晶体三极管。如果对晶体管和二极管陌生的同学可以先参考前面两篇博客,再回来看晶体三极管的介绍,可能更容易了解。

一、晶体管的结构和符号

        一个三极管有三个极,三个区,两个PN结。 发射区:多数载流子很高,磷元素加的多。基区:多数载流子浓度很低,且很薄。集电区:面积大。

二、三极管三种工作状态

   参考视频:郭天祥-三极管三种状态(截止、饱和、导通)

  •  从三极管内部看:

        在基极和发射机之间加电压V_{BB},使得发射机正偏,因发射区多数载流子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区。

        因基区薄且多数载流子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合。

        因集电区面积大,在V_{CC}作用下大部分扩散到基区的电子漂移动集电区。

                                                                          图 2.1 

         扩散运行形成发射极电流I_{E}, 复合运动形成基极电流I_{B},漂移运动形成集电极电流I_{C}.

                                                        I_{E} = I_{B} + I_{C}

        当然基区也有少数载流子的漂移运动到发射区,集电极也有少数载流子的漂移运动到基区。只因这两处的漂移运动量少,在研究三极管放大效果是可忽略。

  •  从三极管外部看:

        基极电源接滑动电阻R1,集电极电源接固定电阻R2,发射极接地。来分析:

        当基极滑动电阻R1无穷大时,基极相当于断开,I_{B}为0,此时三级管不导通,处于截止状态, 

        当基极滑动电阻R1逐渐变小,U_{be}>二极管开启电压0.7V时,此时,发射极正偏。再来看集电极,由于发射极刚刚导通,流过电流很小,分摊R2电压很小,那么U_{CE}接近12V, >U_{be}的0.7V,所以集电极反偏,此时处于放大状态。  I_{C} = \beta I_{B},    \beta:直流电压放大倍数。

        当基极滑动电阻继续减少,I_{B}增大,I_{C}也增大, 分摊在R2上电压也会继续增大,当集电极电压U_{CE}<小于二极管开启电压时,集电极正偏,此时,三极管处于饱和状态

                                                                             图 2.2

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

        参考视频:郭天祥-三极管三种状态和输入输出特性曲线解读

3.1 输入特性

        上图反应的集电极和发射极之间电压差与基极电流之间的关系。

        当U_{CE} = 0时,三极管不导通,那么基极和发射极就相当于一个普通的二极管,伏安特性曲线和二极管伏安特性曲线一致。

        当U_{CE} = 0.5V时,曲线右移了。那么为会右移呢?从电子运动的方向看,当U_{CE} = 0时,电子全部从发射极流向基极,但是当集电极反偏之后,一部分电子要从发射极流向了集电极,那么基极想要得到同样大小的电流,就需要更高的电压。所以会右移。

         当U_{CE} \geq 1V时,曲线不在右移了,是因为U_{CE} \geq 1V时,对基极和发射极之间场强的影响不在增加,达到一个饱和状态。

3.2 输出特性

         在截止区,I_{B} = 0,由于少数载流子的漂移运动,使得I_{C}不为0,但是毕竟少数载流子数目较少,因此电流也很微弱。

         在放大区,遵循  I_{C} = \beta I_{B}, 跟U_{CE}的大小无关了。

         当I_{C}持续增大时,U_{CE}会持续减少,当U_{CE}减少到一定范围时,进入饱和状态。

参考博客:三级管饱和导通的条件是什么? - 全文 - 电子发烧友网

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