单层MoS2连续薄膜的晶片生长和转移
于 2023-01-29 16:40:46 首次发布
本文介绍了一种在硅片上大规模生长单层MoS2薄膜的方法,并通过特定溶剂处理实现薄膜的分离与转移。此方法能够有效减少污染并保持薄膜的连续性,为其他薄膜材料的生长及转移提供了新的思路。
本文介绍了一种在硅片上大规模生长单层MoS2薄膜的方法,并通过特定溶剂处理实现薄膜的分离与转移。此方法能够有效减少污染并保持薄膜的连续性,为其他薄膜材料的生长及转移提供了新的思路。
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