PWmat在半导体领域的经典应用案例：第一性原理计算用于研究半导体的缺陷工程等

四方/三方/六角格子的紧束缚模型求解、反常量子霍尔效应、贝里曲率、陈数、自旋密度、形成能、转变能级、迁移路径与势垒、离子容量、电位、扩散路径与势垒，金属、氧化物、二维材料、d带中心、HOR/HER、OER/ORR、NRR、CO2RR单原子吸附与催化反应的自由能、分子分解势垒等计算。高校教师，博士毕业南京大学，凝聚态物理专业。课程具体涉及：理论知识、二维/异质结构建模、能带、功函数、静电势、吸附位点、吸附能、结合能、虚频消除、态密度、d带中心、过渡态、CO2RR、OER/ORR、电位、容量、迁移势垒。