SIC知识（10）--为什么碳化硅IGBT很少见？

碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？

01、什么是IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 的中文名称是绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，由四个区域组成：N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。IGBT芯片中使用的重要技术是沟道控制、载流子注入和处理高电压的结构设计。

▲几种常见的功率器件 | 图源网络

02、为什么不用SiC

为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。

碳化硅IGBT由于电导调制效应，导通电阻显著减小，与碳化硅MOSFET器件相比具有明显优势。以15kV IGBT器件为例，导通电阻降低约88%。但与此同时，碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结，结电压为2.6V。这一特性限制了其在10kV以下领域的应用。