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手把手教你学Simulink——隔离型反激（Flyback）变换器电流断续模式（DCM）仿真
3.2 Step 2️⃣ —— 电压 PI → Duty（DCM 仍可用）
手把手教你学Simulink——隔离型反激（Flyback）变换器电流断续模式（DCM）仿真
反激（Flyback）是最简单的小功率隔离型 DC‑DC（<150W），广泛用于：
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辅助电源（控制板 24V/12V/5V 取自 400V 或 220V AC‑DC）
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多路输出隔离
反激分两种工作：
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CCM（Continuous Conduction Mode）：副边二极管电流 isec(t)连续（中大功率）
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DCM（Discontinuous Conduction Mode）：副边电流在每个开关周期内 降回 0 再等下一周期 → 更适合宽输入/多输出、变压器可更小，但右半平面零点更远 ⇒ 补偿稍易
想让 Flyback（Vin=24V→Vo=12V, Np:Ns=1:0.5(即 n=Ns/Np=0.5), Lp=120µH,Co=220µF,fsw=100kHz）：
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工作在 DCM（负载 ≤ 额定 20W ⇒ Ipk<η⋅Vin⋅Dmax2Pout）
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电压 PI → Duty D（≈0.35 初估）
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观测：初级电流 ip(t)（三角→0 每周期），次级二极管电流 id(t)（脉冲，回零），Vo=12V±
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负载 Step 10mA→100mA（0.12W→1.2W）→ 仍 DCM
基于 Simulink + Simscape Electrical（Ideal Switch + 线性变压器 + 二极管 + 输出 LC + 峰值电流/电压 PI + DCM 判据）架构是破局关键。
无论你是 AC‑DC 辅助电源设计还是学隔离拓扑基础，这篇硬核指南都成为你手中“反激 DCM 标尺”。
一、Flyback DCM 工作原理（简要）
1.1 变压器与储能
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原边 MOS ON（0<t<D⋅Tsw）：
ip(t)=LpVin⋅t,Ipk=LpVin⋅D⋅Tsw
能量存 E=21LpIpk2
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MOS OFF：
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副边感应 Vsec=n⋅(Vin−Vo)（极性使二极管导通）
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is(t)=Ipk⋅n⋅tdistdis−t线性 ↓
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放电时间 tdis=Vo+nVin(1−D)?LpIpkn2简化 DCM:
tdis=VoLp⋅Ipk⋅n2
（实际 n=Ns/Np，去磁电压 =Vo）
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当 is→0，二极管关 → DCM（间隙期 Tsw−D⋅Tsw−tdis>0）
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1.2 DCM 条件
21⋅LpVin2⋅D2⋅Tsw<Pout/η⇒Ipk<η⋅Vin⋅D2Pout
若不满足 ⇒ CCM。
二、关键参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| Vin | 24 V |
| Vo | 12 V |
| 匝比 n=Ns/Np | 0.5（→ Vor=n⋅Vin≈12V, 反射电压 VR=Vo/n=24V） |
| Lp（原边励磁） | 120 µH |
| fsw | 100 kHz（Tsw=10µs） |
| 最大占空 Dmax | 0.45（反激 Vin 低时需限） |
| 输出 Co | 220 µF（ESR=0.05Ω） |
| 负载 Rload | 初 120Ω (0.1W) → Step 12Ω (1W) @0.1s → Step 240Ω @0.2s |
| 电压 PI | Kp=0.02,Ki=40, Out= D sat [0.05,0.45] |
| 仿真 Ts | 1e‑7（100ns 看 ip 三角），控制 Ts=1e‑5 |
三、Simulink 建模（手把手）
3.1 Step 1️⃣ —— Flyback 功率级
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Solver：
Fixed‑step ode4 Ts=1e‑7（可初 2e‑7） -
24V DC → Primary MOSFET (Ideal Switch Q1, Ron=0.01Ω, Diode)
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串联 原边电感 Lp=120e‑6H（代表励磁电感）
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变压器处理：
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用
Linear Transformer：-
Primary L = 很大 (e.g. 1mH) 不填 Lp here → 另串 Lp 外部
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或 用 两个耦合绕组 + Mutual Inductance 块：
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Winding1: 串 Lp
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Winding2: 匝比 n=0.5
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推荐最简：
Ideal Transformer(Turn Ratio = n=0.5) + 外串 Lp原边
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副边 → 肖特基二极管（VF=0.4V） → 输出 Co=220e‑6F→ Rload
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原边 MOS 续流（当 off）：变压器反射电压使 Q1 承受 Vds=Vin+VR=Vin+Vo/n≈48V→ 并 RCD 缓冲（可选 R=10kΩ,C=1nF 串） 防尖峰
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量测：
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ip（Lp 电流）
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id（二极管电流）
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Vo
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Q1 Vds（看反射平台 ≈24V+?）
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3.2 Step 2️⃣ —— 电压 PI → Duty（DCM 仍可用）
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Verr=Vref(12V)−Vo
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Discrete PID (Kp=0.02,Ki=40,Ts=1e‑5)
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Output = Duty D
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Saturate
[0.05 , 0.45]（反激 Dmax 通常 <0.5） -
→ PWM Compare (三角 100kHz)
DCM 下 小信号模型不同于 CCM（RHPZ 更远），PI 通常可偏保守（Kp 小、Ki 小）
3.3 Step 3️⃣ —— PWM & Gate
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三角
Repeating Sequence(0~1 @100kHz) -
PWM_H = Carrier < D→ Q1_gate -
副边二极管 自然导通（无主动开关）
3.4 Step 4️⃣ —— 运行 & DCM 验证
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初 R=120Ω (0.1W) → D≈0.2
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0.1s R=12Ω (1W) → D≈0.35
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0.2s R=240Ω (0.05W) → D↓
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Scope：
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ip(t)：三角 ↑ 线性, 平 0（off 期）→ 确证 DCM（回到 0 每周期）
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id(t)：窄脉冲, 归零 早 → gap 到周期结束 ✔
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Vo≈12V±0.15V
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若故意加重载 (R=2Ω ⇒6W) → ip可能不清零 → CCM（验证边界）
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四、结果解读**
✅ DCM 稳态（轻‑中载）
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ip线性 ↑ 至 Ipk=Vin⋅D⋅Tsw/Lp
例 D=0.35 → Ipk=24⋅0.35⋅10e‑6/120e‑6=0.7A
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Off 期 ip=0，副边 id脉宽 tdis=Lp⋅Ipk⋅n2/Vo=120e‑6⋅0.7⋅0.25/12≈1.75µs<(1−D)Ts=6.5µs→ 明显示 DCM ✔
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Vo=12.0±0.12V
✅ 负载 Step ↑
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D ↑ (0.2→0.35)，Ipk↑，tdis↑ 但仍 < (1−D)Ts → DCM 保持
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Vo微 dip ≤0.2V，恢复快（反激无右半平零点太近但 DCM 带宽受限）
✅ 重载边界（选做）
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R=2Ω (6W) → Ipk需 > 计算 → 若 D 触 0.45 还不足 → ip不清零 → CCM 进（验证设计）
五、工程注意点**
| 实机因素 | Simulink 处理 |
|---|---|
| RCD 缓冲设计 | Csnub=470p 1nF,Rsnub=5 10kΩ并原边开关 |
| 漏感 Llk(real flyback) | 串 Llk=1 3µH原边 → 尖峰 ↑，需 snub |
| 多输出绕组 | 各副边 diode → 各自 C+o 并耦合（交叉调节差） |
| 启动 Vo=0 | Duty Ramp 0→D (Rate Limit) 防 Ipk冲击 |
| CCM/DCM 切换模型 | 用 |
六、结论**
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你掌握了 Flyback 反激变换器 DCM 模式 Simulink 仿真：
✅ 原边 Lp=120µH+ 理想变比 n=0.5+ 副边二极管整流 → Vo=12V
✅ 电压 PI → Duty (sat 0.05~0.45)，f_sw=100kHz
✅ ip(t)三角回零、id(t)脉冲回零 早于周期尾 → 确证 DCM ✔
✅ 负载 0.1W→1W→0.05W → Vo=12V±0.15V稳，D 自调
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DCM Flyback 是 AC‑DC 辅助电源、多路隔离小功率、栅极驱动供电 主流
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可直接扩展 → 漏感 + RCD 缓冲尖峰观测、CCM 模式进入判据、多绕组交叉调整、加 UC384x 类峰值电流控制（逐周期 I_pk 比较）
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