11800黄大年茶思屋“难题揭榜”第118期——硬件工程难题第十五期 完整汇总

“难题揭榜”第118期——硬件工程难题第十五期 完整汇总

开篇公告

欢迎大家毛遂自荐、踊跃揭榜。对于解决难题或提供重大思路的，会给予及时激励！张榜公布。如有任何问题，请直接与接口专家联系；如有其它建议，可与首席专家鲁鲁 lyman.luyong@huawei.com 联系。

难题1：多相流耦合雾化技术模型

出题组织

磁材料实验室

接口专家

卢克超 lukechao@huawei.com；光双魁 guangshuangkui@huawei.com

一、技术背景

雾化制粉技术是非晶纳米晶粉体制备的核心，直接决定磁粉的形貌、粒度分布、非晶度，进而影响磁粉损耗特性。当前雾化制粉工艺涉及水流、高速气流、金属熔液三相流耦合，相互作用复杂，雾化机理不清晰，需要大量DOE实验验证进行工艺摸索，已成为功率磁材开发的关键技术瓶颈，急需雾化仿真指导工艺迭代。

二、技术挑战

当前非晶纳米晶雾化制粉技术涉及高速气流、金属液流及高速水流等多相流耦合，相互作用黑盒，影响因素多（雾化气种类、气压、水流速度、喷嘴结构、射流夹角、金属溶液粘度、气水作用形式等），核心难点分为3项：

1. 难点1：初次雾化破碎后，初始液滴位置、速度、大小、分布的求解；
2. 难点2：二次雾化破碎的机理不清晰：剪切、袋式破碎、音爆破碎或其它机制；
3. 难点3：材料的物性影响：金属溶液的张力、粘度、球化时间、过热度等。

配套示意图：水、气流焦点上下分布 / 水、气流焦点在相同位置 多相流耦合雾化示意图。

三、当前结果

1. 当前无相关多相流仿真模型，雾化过程不可预测；
2. 雾化制粉工艺依托大量DOE验证，批次间稳定性差；
   实物表征图：合格非晶球形粉末形貌、红色圈标注异形粉。

四、技术诉求

1. 构建多相流耦合雾化技术模型，研究各工艺参数对磁粉形貌及粒度的影响机理，包含变量：气体压力、水压、喷嘴结构、射流夹角、金属溶液粘度等；
2. 模型仿真结果与实际验证结果趋势一致，实现指标：60um以下全非晶，D50＜20um，平均球形度＞0.93。

参考文献

[1] doi.org/10.1016/j.j.matdes.2021.110264
[2] 10.12068/j.issn.1005-3026.2020.05.020

难题2：高耐磨表面层技术

出题组织

器件与模组工程部

接口专家

张超 zhangchao190@huawei.com

一、技术背景

为了减小环境光对显示屏幕的眩光影响，在显示屏幕表面会引入减反和抗眩表面层。随着使用次数增加，表面层的耐磨性能下降，防反光抗眩效果下降，影响用户体验。因此需要大幅提升表面层的耐磨次数。
配套图示：显示屏防反光原理、显示屏防反抗眩三层结构（表面层-3/表面层-2/表面层-1+显示屏幕）、表面层划伤异色实拍图。

二、技术挑战

1. 影响表面层耐磨失效的因子17+，各因子之间相互耦合，导致耐磨次数提升困难；
2. 综合耐磨、韧性等技术要求，对表面层材料的综合开发要求更高。
   分层影响因子表格：
   |表面层|影响因子|
   | ---- | ---- |
   |1|断裂强度、模量、动摩擦系数、硬度、模量、厚度|
   |2|硬度、模量、界面粘接力，叠层次数，膜层应力|
   |3|粗糙度、硬度、模量、断裂强度、厚度|
   统一耦合约束：层间结合力

配套图示：三层表面层各自耐磨失效分层实拍图。

三、当前结果

现有两条技术优化方向：

1. 提升材料自身耐磨强度：材料内掺杂无机耐磨粒子、增加有机分子交联链密度、增加材料含氟比例、工艺优化消除残余应力等；
2. 提升各膜层界面结合力：膜层中间增加过渡层、增粘层、应力缓冲层等，减小耐磨应力。

现状指标表：

四、技术诉求

通过材料及界面强度提升技术，达成下表目标指标：

难题3：角度选择器

出题组织

器件与模组工程部

接口专家

何祖涵 hezuhan@huawei.com

一、技术背景

杂散光是指光进入系统后，在结构部件上（非光学反射元件）经过一次或者多次反射后产生的光，这些光同样会被接收器所接收，影响最终呈现的效果。因此需要使用各种方案来消除杂散光。
现诉求一款角度选择器，光线小于一定小角度（入射角度＜α）可以透过，超过一定角度后（入射角度＞β）被拦截，无法进入系统内部，减弱其形成的杂散光影响。配套效果示意图：小角度绿光透射、大角度红光被FOV选择器拦截。

二、技术挑战

当前角度选择器需同时满足三类硬性需求：

1. 宽波段：需要覆盖整个可见光波段范围；
2. 高透过率：需要尽可能高的透过率，以减少对整体进光量的影响；
3. 高截止斜率：在透过和截止角度间窄过渡，决定对光线的截止效果。

三、当前结果

1. 当前仅能通过降低系统内部部件（如结构件等）的表面反射率，来间接减少内部反射散射杂光，无法从源头解决；
2. 市面现有角度选择器均无法同时满足宽波段、高透过、高截止斜率三项要求：
   • 微尺度几何光学：百叶窗式结构制备高深宽比难度大、镀膜均匀性差、存在衍射问题；
   • 布鲁斯特模式：金属线栅、光子晶体等方案，仅能特定单一波长实现角度筛选，无法覆盖可见光全波段。

四、技术诉求

探索角度选择器的原理、设计与优化方法、制备工艺全流程，从源头减弱杂散光影响，需求规格如下：

参考文献

Y. Shen, C. W. Hsu, Y. X. Yeng, J. D. Joannopoulos, and M. Soljačić, “Broadband angular selectivity of light at the nanoscale: Progress, applications, and outlook,” Appl. Phys. Rev., vol. 3, no. 1, p. 011103, 2016.

难题4：混响环境内的声场建模与控制技术

出题组织

器件与模组工程部

接口专家

黄时春 huangshichun1@huawei.com

一、技术背景

防漏音逐渐成为了终端产品的高价值卖点。基于多声源的手机架构和多通道声场控制算法实现区声波抵消。
物理原理对比：

1. 自由场：仅存在直达声，反向声波可完整抵消，声场能量残留低；
2. 混响场：封闭空间内壁面多次反射产生早期反射声+混响声，反射声波无法被现有算法抵消，声场能量残留高。
   现有声场控制仅能抵消直达声，无法抵消反射声波；自由场与混响场性能对比：混响导致隔离度性能指标下降＞6dB。配套仿真云图：自由场低能量残留、混响场高能量残留。

二、技术挑战

声波在封闭空间内多次反射导致混响场内的房间脉冲响应（RIR）持续时间长，耦合房间模态与物理边界条件；直接使用FIR滤波器无法完整表征全部声场特征，现有声场控制方法仅抵消直达声，缺少适配混响环境的完整声场控制方案。配套RIR曲线对比图：自由场RIR衰减快、混响场RIR持续时间逐级变长。

三、技术现状

1. 自由场性能：基于4声源手机架构，手机防漏音性能RLR=70dB；
2. 现有全域控制“源控制”方案：测试效率低（控制点增加一个数量级），混响场内手机防漏音性能RLR=63dB（RT60≥0.5s@200~4000Hz），相对自由场存在7dB性能落差。

四、技术诉求

1. 建立混响场内的声场表征物理模型和房间脉冲响应（RIR）数学模型；
2. 开发混响场内声场控制滤波器设计方法，基于4声源手机架构，达成性能指标：
   • RT60≥0.2s@200~4000Hz场景：手机防漏音性能RLR ≥ 70dB；
   • RT60≥0.5s@200~4000Hz场景：手机防漏音性能RLR ≥ 70dB。

难题5：陶瓷精密成型与烧结过程多因素耦合开裂模型构建

出题组织

器件与模组工程部

接口专家

路标 lubiao7@huawei.com

一、技术背景

随电子系统演进，功能陶瓷零部件/元器件尺寸增加、结构复杂程度提升，在成型、烧结中产生不规则形变/裂纹且难以预判，导致产品迭代成本高、开发周期长，分为两大非均匀问题：

1. 成型过程非均匀性：以注射成型为例，粉体/胶体流变行为差异大，粉体形貌与粒径分布影响内摩擦；不同温度场、复杂结构约束下粉体胶体分离、团聚现象；成型压力在复杂结构填充应力分布复杂，造成密度不均与生坯开裂；
2. 烧结过程非均匀性：非均匀对称复杂结构，陶瓷致密化收缩时芯部与表层温场、重力场差异带来收缩不均；叠加成型生坯内部粉体堆积分布不均，烧结形变、裂纹难以模拟仿真。
   配套图示：粉胶分离流场示意图、生坯密度分布曲线、烧结裂纹实拍、烧结形变仿真云图。

二、技术挑战

1. 粉体形貌/粒径/高分子材料特性对喂料流变性能影响的模拟仿真；
2. 充型过程中的粉胶分离、密堆积分布的模拟仿真；
3. 充型过程中生坯在模具约束中的应力行为（材料收缩/成型压力场/温度场耦合）；
4. 复杂结构烧结过程中的应力仿真及其设计优化仿真。

三、当前结果

行业已有方法仅能针对单理想流体充型开展流体仿真，仅单一力场、温场仿真；无法模拟真实多物理场耦合下粉胶分离、堆积分布、烧结致密化形变、裂纹演化；仿真与实际结果偏差巨大，无法指导产品迭代开发。

四、技术诉求

1. 搭建精密成型与烧结全过程仿真技术，精度指标如下：
   |需求项|裂纹位置预测精度|裂纹形貌预测精度|裂纹深度预测精度|
   | ---- | ---- | ---- | ---- |
   |复杂结构陶瓷元器件|＞90%|＞80%|＞80%|
2. 可通过成型、烧结多非均匀物理场仿真，指导陶瓷粉体质量/喂料配方设计/模具设计/产品结构设计等材料与工艺优化改进；
3. 单次仿真预测周期小于12小时。

参考文献

[1] doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2010.02.020
[2] doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.08.019