高频注入理论推导与通俗理解一(超详细公式推导)

原创已于 2026-06-24 16:48:30 修改 · 139 阅读

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于 2026-06-24 14:08:10 首次发布

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1 通俗理解高频注入

永磁同步电机的转子不是一个“各个方向都一样”的电感。对凸极电机而言，沿 $d$ 轴看进去的电感是 $L_d$ ，沿 $q$ 轴看进去的电感是 $L_q$ 。如果给电机施加一个很快变化的高频电压，电流大小主要由“这个方向上的电感”决定。因此，高频注入本质上是在用一个高频小信号去“摸”转子的电感方向。

如果估计的 $\hat d$ 轴刚好对准真实 $d$ 轴，那么沿 $\hat d$ 轴打入的高频电压只会主要产生 $\hat d$ 轴高频电流；如果估计角度偏了，因为电感椭圆被转歪了，高频电流就会漏到 $\hat q$ 轴。这个 $\hat q$ 轴高频电流就是角度误差的来源。

（注：凸极电机是同步电机的主流转子结构类型之一，核心特征是转子磁极具有明显的凸出几何结构，导致气隙沿圆周方向不均匀，最终表现为直轴（ $d$ 轴）与交轴（ $q$ 轴）的磁路磁阻不对称、电感不相等）

2 dq 轴低频模型

在真实转子 $dq$ 坐标系中，永磁同步电机电压方程为：

$v_d= R_s i_d+L_d\frac{di_d}{dt}-\omega_e L_q i_q$

$v_q= R_s i_q+L_q\frac{di_q}{dt}+\omega_e L_d i_d+\omega_e\psi_f$

其中 $R_s$ 是相电阻， $L_d,L_q$ 是 $d,q$ 轴电感， $\psi_f$ 是永磁体磁链， $\omega_e$ 是电角速度。写成矩阵形式：

$\mathbf{v}_{dq} =R_s\mathbf{i}_{dq} +\mathbf{L}_{dq}\frac{d\mathbf{i}_{dq}}{dt} +\omega_e\mathbf{J}\mathbf{L}_{dq}\mathbf{i}_{dq} +\omega_e\begin{bmatrix}0\\\psi_f\end{bmatrix},$

$\mathbf{i}_{dq}=\begin{bmatrix}i_d\\i_q\end{bmatrix},\quad \mathbf{L}_{dq}=\begin{bmatrix}L_d&0\\0&L_q\end{bmatrix},\quad \mathbf{J}=\begin{bmatrix}0&-1\\1&0\end{bmatrix}.$

这个模型叫低频模型，是因为它完整描述了基波电流、反电势、速度耦合、电阻压降等慢变化量。

3 由三相 PMSM 基波模型推到高频电压方程

3.1 从三相电压方程开始

内置式三相 PMSM 的相电压方程可以先写成最基本的形式：

$\begin{bmatrix}v_a\\v_b\\v_c\end{bmatrix} =R_s\begin{bmatrix}i_a\\i_b\\i_c\end{bmatrix} +\frac{d}{dt}\begin{bmatrix}\psi_a\\\psi_b\\\psi_c\end{bmatrix}.$

也就是一句话：相电压等于电阻压降加磁链变化率。对三相平衡电机，经过 Clarke 变换到静止 $\alpha\beta$ 坐标系，有：

$\mathbf{v}_{\alpha\beta}=R_s\mathbf{i}_{\alpha\beta} +\frac{d\boldsymbol{\psi}_{\alpha\beta}}{dt}.$

再经过 Park 变换到随转子旋转的 $dq$ 坐标系。因为 $dq$ 坐标系本身以电角速度 $\omega_e$ 旋转，所以磁链求导会多出一个旋转耦合项：
$\begin{aligned} v_d &= R_s i_d+\frac{d\psi_d}{dt}-\omega_e\psi_q,\\ v_q &= R_s i_q+\frac{d\psi_q}{dt}+\omega_e\psi_d. \end{aligned}$

对内置式 PMSM， $d$ 轴、 $q$ 轴磁链为：

$\psi_d=L_d i_d+\psi_f, \qquad \psi_q=L_q i_q.$

将磁链代入电压方程，得到基波 $dq$ 电压模型：
$\begin{aligned} v_d &=R_s i_d+\frac{d(L_d i_d+\psi_f)}{dt}-\omega_e L_q i_q,\\ v_q &=R_s i_q+\frac{d(L_q i_q)}{dt}+\omega_e(L_d i_d+\psi_f). \end{aligned}$

若近似认为 $L_d,L_q,\psi_f$ 为常数，则

$\begin{aligned} v_d &= R_s i_d+L_d\frac{di_d}{dt}-\omega_e L_q i_q,\\ v_q &= R_s i_q+L_q\frac{di_q}{dt}+\omega_e L_d i_d+\omega_e\psi_f. \end{aligned}$

这就是常见的内置式 PMSM 基波模型。

3.2 叠加高频小信号

高频注入时，把电压和电流都看成“基波慢变量 + 高频小变量” $v_d=v_{d0}+v_d^h, \qquad v_q=v_{q0}+v_q^h,\qquad i_d=i_{d0}+i_d^h, \qquad i_q=i_{q0}+i_q^h.$

其中下标 $0$ 表示基波低频量，上标 $h$ 表示高频注入量。将它们代入基波模型的 $d$ 轴方程：
$\begin{aligned} v_{d0}+v_d^h &=R_s(i_{d0}+i_d^h) +L_d\frac{d(i_{d0}+i_d^h)}{dt} -\omega_e L_q(i_{q0}+i_q^h) \\ &=\left(R_s i_{d0}+L_d\frac{di_{d0}}{dt}-\omega_e L_q i_{q0}\right) +\left(R_s i_d^h+L_d\frac{di_d^h}{dt}-\omega_e L_q i_q^h\right). \end{aligned}$

括号中的第一部分就是低频基波 $d$ 轴电压 $v_{d0}$ ，所以两边相减，剩下高频 $d$ 轴方程：

$v_d^h=R_s i_d^h+L_d\frac{di_d^h}{dt}-\omega_e L_q i_q^h.$

同理代入 $q$ 轴方程：

$\begin{aligned} v_{q0}+v_q^h &=R_s(i_{q0}+i_q^h) +L_q\frac{d(i_{q0}+i_q^h)}{dt} +\omega_e L_d(i_{d0}+i_d^h)+\omega_e\psi_f \\ &=\left(R_s i_{q0}+L_q\frac{di_{q0}}{dt}+\omega_e L_d i_{d0}+\omega_e\psi_f\right) +\left(R_s i_q^h+L_q\frac{di_q^h}{dt}+\omega_e L_d i_d^h\right). \end{aligned}$

第一部分就是低频基波 $q$ 轴电压 $v_{q0}$ ，因此高频 $q$ 轴方程为：

$v_q^h=R_s i_q^h+L_q\frac{di_q^h}{dt}+\omega_e L_d i_d^h.$

注意：永磁体磁链项 $\omega_e\psi_f$ 只出现在基波慢变量中，做高频分量相减后被抵消，因此高频电压方程里没有永磁磁链项。

3.3 高频近似：只保留电感微分项

假设注入电流近似为正弦高频量，例如： $i_d^h=I_d^h\sin\omega_h t, \qquad i_q^h=I_q^h\sin\omega_h t .$

则微分项量级为： $\left|L\frac{di^h}{dt}\right|\approx \omega_h L |I^h| .$

与电阻压降相比： $\frac{|R_s i^h|}{|Ldi^h/dt|}\approx\frac{R_s}{\omega_h L}\ll1.$

与速度耦合项相比： $\frac{|\omega_e L i^h|}{|Ldi^h/dt|}\approx\frac{|\omega_e|}{\omega_h}\ll1.$

由于高频注入通常选择 $\omega_h\gg\omega_e$ ，并且 $\omega_h L\gg R_s$ ，所以可忽略电阻项和速度耦合项，得到简化高频模型：

$\begin{aligned} v_d^h&\approx L_d\frac{di_d^h}{dt},\\ v_q^h&\approx L_q\frac{di_q^h}{dt}. \end{aligned}$

矩阵形式为： $\begin{bmatrix}v_d^h\\v_q^h\end{bmatrix} \approx \begin{bmatrix}L_d&0\\0&L_q\end{bmatrix} \frac{d}{dt}\begin{bmatrix}i_d^h\\i_q^h\end{bmatrix}$

或写成电流微分形式：

$\frac{d}{dt}\begin{bmatrix}i_d^h\\i_q^h\end{bmatrix} \approx \begin{bmatrix}1/L_d&0\\0&1/L_q\end{bmatrix} \begin{bmatrix}v_d^h\\v_q^h\end{bmatrix}.$

这就是从三相 PMSM 基波模型推出来的高频电压方程。它的含义很简单：在高频下，电机不再主要表现为“反电势电机”，而主要表现为“方向不同、电感不同的电感网络”。

4 半和电感、半差电感

为了把公式写得更清楚，定义： $L_0=\frac{L_d+L_q}{2}, \qquad L_1=\frac{L_q-L_d}{2}.$

于是： $L_d=L_0-L_1, \qquad L_q=L_0+L_1, \qquad D=L_dL_q=L_0^2-L_1^2 .$

其中： $L_0$ 是平均电感，表示电机“整体有多难被电流改变”； $L_1$ 是半差电感，表示 $d$ 轴和 $q$ 轴的差异有多明显。如果 $L_d=L_q$ ，则 $L_1=0$ ，电机从各个方向看进去都一样，高频注入就摸不出转子方向。

5 估计坐标系中的高频电感矩阵

5.1 角度误差

真实转子角度为 $\theta$ ，估计角度为 $\hat\theta$ ，定义

$\Delta\theta=\theta-\hat\theta .$

当 $\Delta\theta=0$ 时，估计 $\hat d\hat q$ 轴与真实 $dq$ 轴重合。

5.2 逆电感矩阵旋转

真实 $dq$ 轴中的逆电感矩阵为

$L_{dq}^{-1}=\begin{bmatrix}1/L_d&0\\0&1/L_q\end{bmatrix}.$

先把 $1/L_d,1/L_q$ 用 $L_0,L_1,D$ 表示： $\frac{1}{L_d}=\frac{L_q}{L_dL_q}=\frac{L_0+L_1}{D}, \qquad \frac{1}{L_q}=\frac{L_d}{L_dL_q}=\frac{L_0-L_1}{D}.$

因此： $L_{dq}^{-1}=\frac{1}{D} \begin{bmatrix}L_0+L_1&0\\0&L_0-L_1\end{bmatrix}.$

当估计坐标系相对真实坐标系有误差 $\Delta\theta$ 时，逆电感矩阵要旋转到 $\hat d\hat q$ 坐标系。经过二维坐标旋转，可得

$\frac{d}{dt}\begin{bmatrix}i_{\hat d}^{h}\\i_{\hat q}^{h}\end{bmatrix} =\frac{1}{D} \begin{bmatrix} L_0+L_1\cos 2\Delta\theta & L_1\sin 2\Delta\theta\\ L_1\sin 2\Delta\theta & L_0-L_1\cos 2\Delta\theta \end{bmatrix} \begin{bmatrix}v_{\hat d}^{h}\\v_{\hat q}^{h}\end{bmatrix}$

这里出现 $2\Delta\theta$ ，原因是电感椭圆转过 $180^\circ$ 后形状不变，所以高频凸极信息具有 $180^\circ$ 电角度周期。

6 $i_{\hat d}$ 和 $i_{\hat q}$ 的详细推导

沿估计 $\hat d$ 轴注入高频电压：

$v_{\hat d}^{h}=V_h\cos\omega_h t, \qquad v_{\hat q}^{h}=0 .$

代入高频模型的第一列，得到

$\begin{aligned} \frac{di_{\hat d}^{h}}{dt} &=\frac{V_h}{D}\left(L_0+L_1\cos2\Delta\theta\right)\cos\omega_h t,\\ \frac{di_{\hat q}^{h}}{dt} &=\frac{V_h}{D}L_1\sin2\Delta\theta\cos\omega_h t. \end{aligned}$

对时间积分，利用： $\int \cos\omega_h t\,dt=\frac{1}{\omega_h}\sin\omega_h t,$

并去掉直流积分常数，得到： $i_{\hat d}^{h}=\frac{V_h}{\omega_hD}\left(L_0+L_1\cos2\Delta\theta\right)\sin\omega_h t,\\ i_{\hat q}^{h}=\frac{V_hL_1}{\omega_hD}\sin2\Delta\theta\sin\omega_h t.$

这说明电压是 $\cos\omega_h t$ ，电感电流是 $\sin\omega_h t$ ，也就是电流相对电压滞后 $90^\circ$ 。

7 为什么用 q 轴解算角度

在角度接近正确时， $\Delta\theta$ 很小，使用近似:

$\sin2\Delta\theta\approx 2\Delta\theta, \qquad \cos2\Delta\theta\approx 1-2(\Delta\theta)^2 .$

于是：

$\begin{aligned} i_{\hat d}^{h}&\approx \frac{V_h}{\omega_hD}\left(L_0+L_1-2L_1(\Delta\theta)^2\right)\sin\omega_h t,\\ i_{\hat q}^{h}&\approx \frac{2V_hL_1}{\omega_hD}\Delta\theta\sin\omega_h t. \end{aligned}$

对 $i_{\hat d}^{h}$ 来说，角度误差是一项二次小量 $(\Delta\theta)^2$ ，正偏和负偏给出的变化一样，无法判断方向；而 $i_{\hat q}^{h}$ 对角度误差是一阶小量，正负号直接反映角度偏差方向。因此选择 $q$ 轴高频电流作为角度误差信号。

换一个更直观的角度理解：

因为我们是沿估计的 $d$ 轴打入高频电压的，如果估计角度正确，电流就应该只在 $d$ 轴上来回振荡， $q$ 轴上不应该有高频电流；一旦 $q$ 轴出现了高频电流，就说明估计的 $d$ 轴没有对准真实转子 $d$ 轴，所以 $q$ 轴电流天然就是“对没对准”的误差信号。

8 解调公式

由上式可写出 $q$ 轴高频电流： $i_{\hat q}^{h}=K\sin2\Delta\theta\sin\omega_h t, \qquad K=\frac{V_hL_1}{\omega_hD}.$

用与电流同相的 $\sin\omega_h t$ 相乘： $i_{\hat q}^{h}\sin\omega_h t =K\sin2\Delta\theta\sin^2\omega_h t .$

又因为： $\sin^2\omega_h t=\frac{1- \cos2\omega_h t}{2},$

低通滤波去掉 $2\omega_h$ 分量后，得到：

$e=\operatorname{LPF}\{i_{\hat q}^{h}\sin\omega_h t\} =\frac{K}{2}\sin2\Delta\theta =\frac{V_hL_1}{2\omega_hD}\sin2\Delta\theta.$

小角度时： $e\approx \frac{V_hL_1}{\omega_hD}\Delta\theta .$

所以，解调后的低频量 $e$ 就是与角度误差近似成正比的信号。

9 总结

低频 $dq$ 模型中包含电阻、反电势、速度耦合和永磁磁链；高频注入只关心注入频率附近的电感响应，因此可化简为 $\mathbf{v}^h\approx\mathbf{L}(\theta)d\mathbf{i}^h/dt$ 。由于 $L_d\neq L_q$ ，估计轴偏离真实轴时，沿 $\hat d$ 轴注入的高频电压会在 $\hat q$ 轴产生高频电流，且该电流幅值正比于 $\sin2\Delta\theta$ 。经过同步解调和低通滤波后，得到近似正比于 $\Delta\theta$ 的角度误差信号。