MOS管开关电路实例、功耗计算

一、mos管的工作区域

mos管有三个工作区域：

• 截止区域

• 线性（欧姆）区域

• 饱和区域

当 VGS < VTH时，mos管工作在截止区域。在该区域中，mos管处于关断状态，因为在漏极和源极之间没有感应沟道。

对于要感应的沟道和mos管在线性或饱和区工作，VGS > VTH。

栅极 - 漏极偏置电压 VGD将决定mos管是处于线性区还是饱和区。在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。进入饱和区，当 VDS > VGS – VTH时，通道夹断，即它变宽导致恒定的漏极电流。

二、电子开关

半导体开关是电子电路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作，即它们要么处于 ON 状态，要么处于 OFF 状态。

1、理想的开关特性

对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：

• 在 ON 状态下，它可以承载的电流量不应有任何限制。

• 在关闭状态下，阻断电压不应有任何限制。

• 当器件处于 ON 状态时，应有零压降。

• 关态电阻应该是无限大的。

• 设备的运行速度没有限制。

2、实用开关特性

但半导体开关并不是我们想的那么理想。在实际情况中，像mos管这样的半导体器件具有以下特性。

• 在开启状态期间，功率处理能力是有限的，即有限的传导电流。关断状态期间的阻断电压也受到限制。

• 有限的开启和关闭时间，这限制了开关速度。最大工作频率也受到限制。

• 当器件开启时，将存在一个有限的导通状态电阻，从而导致正向压降。还会有一个有限的关闭状态电阻，这会导致反向漏电流。

• 实际的开关在开启状态、关闭状态以及过渡状态（从开启到关闭或从关闭到开启）期间都会经历断电。