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二维材料在射频无线通信与物联网中的应用
1. 二维材料晶体管的性能
二维材料基器件展现出了出色的射频性能。例如，石墨烯晶体管报道的截止频率约为 1.4 THz，但其固有增益约为 10 dB，最大振荡频率约为 50 GHz。而对于 MoS₂ - FETs，先前的模拟结果显示其固有增益高于 20 dB，亚 5 纳米沟道的 MoS₂ 固有截止频率接近太赫兹。这表明基于二维过渡金属二硫属化物（TMD）的场效应晶体管（FETs）在实现高于 1 THz 的射频性能方面具有巨大潜力。通过优化材料几何形状和选择，以及采用有效的器件设计策略，即使存在实际的寄生值，也能实现这样的工作频率。
| 材料 | 截止频率 | 固有增益 | 最大振荡频率 |
|---|---|---|---|
| 石墨烯晶体管 | 约 1.4 THz | 约 10 dB | 约 50 GHz |
| MoS₂ - FETs | 接近太赫兹（亚 5 纳米沟道） | 高于 20 dB | / |
2. 基于二维晶体管的频率混频器和信号调制器
2.1 石墨烯场效应晶体管（GFET）的特性
由于石墨烯的狄拉克锥色散特性，通过扫描直流偏置电压，GFET 的主要载流子可以从电
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