寄生电阻、寄生电容可以从版图提出的.sp文件中看,
| ad | area of drain 面积 |
| as |
area of source |
| pd |
perimeter of drain 周长,PS PD周长都不计算与栅极接触的部分 |
| ps |
perimeter of source |
| nrd |
漏扩散区等效方块数 |
| nrs |
源扩散区等效方块数 |
| sa |
浅槽沟道隔离(Shallow Trench Isolation, STI)效应带来应力,应力大小的表示参数,sa和sb分别表示栅到有源区两边缘的距离Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2) |
| sb |
表示栅到有源区两边缘的距离 |
| sca |
Well-Proximity Effect Model Parameters Parameter阱邻近效应带来的参数,Integral of the first distribution function for sc |

本文详细探讨了集成电路版图设计中寄生电阻和寄生电容的获取,这些参数可以从版图的.sp文件中读取。内容涵盖了面积和周长对漏源扩散区的影响,以及STI(浅槽沟道隔离)和WPE(阱邻近效应)对晶体管性能如阈值电压Vth和迁移率μ的影响。特别指出,45°角连线可能导致SCA参数为负,进而影响模拟电路的后仿真。同时,提供了相关资源和博客链接,帮助读者深入理解STI和WPE效应。
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