高位片选与低位交叉编址、芯片扩展与多模块存储器、多通道内存

多模块存储器

是一种空间并行技术，利用多个结构完全相同的存储模块的并行工作来增加存储器的吞吐率。根据不同的编址方式，多模块存储器分为连续编址和交叉编址两种结构

1. 连续编址方式：主存地址的高位表示模块号（体号），低位表示模块内地址（或体内地址）。地址在模块内连续
2. 交叉编址方式：主存地址的低位表示模块（体）号，高位表示模块（体）内地址。在交叉编址方式下，总是把高位的体内地址送到由低位体号所确定的模块内进行译码
   • 轮流启动：若每个存储模块一次读写的位数（即存储字）正好等于存储器总线中的数据位数（即总线传输单位），则采用轮流启动方式。即对于具有m个体的多模块存储器，若每隔$m$