基于物理引导粒子群算法的Si基GaN功率器件特性精准拟合

在高压功率电子领域，硅基氮化镓（GaN-on-Si）肖特基势垒二极管（SBD）因其优异的性能与成本优势展现出巨大潜力。然而，Si与GaN材料之间严重的晶格失配导致外延层中存在高密度缺陷，使得载流子输运机制趋于复杂，传统仿真手段难以精准再现其正向导通特性。能否深度解析缺陷物理并据此构建高精度模型，成为优化器件性能的关键。

图1. Si基GaN肖特基二极管截面示意图

针对这一难题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队独辟蹊径，成功将器件物理机理与智能优化算法深度融合。技术团队基于前期在Si基GaN器件缺陷物理与导通机制方面的深厚积累，开发了一套物理引导的粒子群优化算法，并在APSYS仿真平台上实现了对AlGaN/GaN SBD正向IV特性的快速、精准拟合。该方法的核心在于利用物理经验知识约束优化算法的搜索空间，使智能拟合过程始终不偏离基本的物理规律。经该方法拟合后，开启电压与导通电阻等关键性能指标上表现卓越，为Si基GaN肖特基二极管在高要求场景下的应用奠定基础。