AI算力点燃全球光芯片扩产潮，四地厂商集体下注“更多光”！

转载于 2026-06-21 08:56:29 发布 · 21 阅读

光芯片需求旺，产能竞赛打响

光芯片需求太旺了！最近几天，全球光芯片产业链密集出现扩产、长协、投资和供应链绑定动作。比如Coherent在德州Sherman扩建6英寸InP化合物半导体产线；Nokia在美国宾夕法尼亚州Allentown扩建光子芯片先进测试与封装产能；日本JX Advanced Metals计划投入最高1200亿日元，将InP衬底产能提升至7 - 10倍；IQE与Tower Semiconductor达成多年InP外延片供应协议；国内东山精密旗下索尔思光电宣布在常州布局光芯片及高速光模块扩建项目，总投资额达12亿美元。一场围绕AI数据中心光互连能力的产能竞赛已然打响。

全球光芯片企业扩产大图景

美国：重塑本土制造链

6月16日，Coherent宣布获美国商务部高达5000万美元直接资金，用于扩建德州谢尔曼的6英寸磷化铟 (InP) 半导体制造工厂。次日举行扩建破土动工仪式，该厂制造空间将翻倍，晶圆生产能力提高至4倍。NVIDIA创始人黄仁勋出席仪式，此前NVIDIA已向Coherent战略投资20亿美元。早在今年3月，Nvidia分别向Coherent和Lumentum投资20亿美元。3月，Lumentum宣布在美国北卡罗来纳州Greensboro建设新工厂；5月，AIXTRON获其多台G10 - AsP MOCVD系统订单。6月16日，Nokia宣布在美国宾夕法尼亚Allentown扩建光子芯片先进测试与封装能力，扩产后产能最高提升至10倍，预计2026年三季度末具备商业可用产能。美国正把AI数据中心的光互连纳入本土半导体制造体系。

日本：守护上游材料护城河

6月16日，日本JX Advanced Metals宣布未来四年最高投资1200亿日元扩大InP衬底产能，总投资规模达约1500亿日元，产能将提升至7至10倍。该公司自20世纪80年代生产磷化铟衬底，2025财年投资250亿日元提高产能。据报告，预计到2034年，全球磷化铟晶圆市场规模将达5.0721亿美元，JX Advanced Metals及其竞争对手住友电工各占约40%份额。

欧洲：推动异质集成工程化落地

市场常把“硅光”和“InP”对立起来，但真实产业路径更复杂。6月15日，IQE与Tower Semiconductor达成多年InP外延片供应协议，支撑Tower硅光平台量产扩展。Tower还将向IQE提供多孔硅专利免版税许可，解决知识产权纠纷。Tower计划到2026年底将硅光晶圆月产出能力提升至2025年末的5倍以上，已签13亿美元2027年硅光长期供应合同，收到2.9亿美元预付款，总资产投入累计约9.2亿美元。2026年3月，ST考虑在法国Crolles推行模块化扩产，目标是到2027年将300mm硅光产能翻四倍，该项目获欧洲主权供应链计划支持。6月2日，瑞典Sivers Semiconductors与美国GlobalFoundries达成战略合作，开发下一代光连接方案。

国内：光芯片狂飙，全链条补齐

截至2026年一季度，国内7家核心光模块上市企业在建工程规模总计升至38.98亿元，涨幅超6倍。中邮证券研报指出，全球磷化铟市场海外巨头占比95%，供需缺口近70%，高景气延续至2028年。6月16日晚间，东山精密公告，索尔思光电在常州布局光芯片及高速光模块扩建项目，总投资额12亿美元。索尔思是垂直一体化企业，东山精密收购后切入AI光通信核心环节，索尔思并表后利润贡献高于收入占比。三安光电磷化铟InP工艺国内领先，具备量产6吋InP光芯片能力，光技术产能2750片/月，核心外延环节扩产至近6000片/月，部分光芯片已批量出货或送样验证。今年4月，云南锗业启动“高品质磷化铟单晶片建设项目”，计划扩建生产线，最终产能达45万片/年，目前按计划推进。国内光芯片产业链正从“模块组装”向全链条补齐。

光芯片增长成事实，CPO争议待解

CPO是光芯片领域的“圣杯”，但落地速度推迟，业界担忧光模块公司成长性。摩根士丹利反驳称，投资者忽略带宽增长需求，无论采用何种架构，对更高带宽的需求会推动光学内容增加。传统可插拔光模块像U盘插在交换机前面板；NPO把光发动机移到交换机内部；CPO把光芯片和交换芯片直接封装在同一基板上。CPO存在封装复杂、良率低等痛点，大面积普及大概率放缓。CPO的争议也是光源路线之争，当前较受关注的路线有SiPh + CW Laser、VCSEL和MicroLED。不同路线特点不同，CPO可能多种方案并存。这说明光芯片扩产押注的是AI集群光互连后整个体系的价值量提升。