实现直流高电压（100Vdc～1000Vdc）检测的采样电路（隔离方案）

目前，在电力系统自动化领域、新能源电动汽车领域以及高压储能领域，经常需要采样、检测高压直流母线电压，一般直流高压可能达到100Vdc～1000Vdc，结合电路成本和采样精度，我们设计人员就需要选择合适的采样电路方案。昨天，我讲解了一种采用电阻分压法来检测高压直流母线电压的方法，这种方法具有电路结构简单、成本低的优势，但在实际应用中却也存在一定的缺陷（详见上一篇文章）。今天，我再讲解另外一种高压直流母线电压的采样电路，它可以做到强电和弱电完全隔离、绝缘，降低高压部分对低压部分的电磁干扰，能够极大提高高压直流母线电压采样精度，详细电路原理如图1所示。

图1 采用线性光电耦合器HCNR200实现高压直流母线电压的精确采样

信号隔离的方法一般分为磁耦隔离和光耦隔离，光耦隔离使用光电耦合器件，把发光器件和光敏器件组装在一起，以光为媒介，实现输入和输出之间的电气隔离。光耦隔离是一种简单有效的隔离技术，切断了“地”干扰的传播途径，有效地抑制了尖峰脉冲和各种噪声干扰。HCNR200属于电流型光耦隔离器件，与普通非线性光耦不同，它具有更高的线性度，更高的精度和稳定性。

图1所示高压直流母线电压检测电路由运放U1～U3、线性光电耦合器U4、电阻R1～R10、电容C1～C7以及TVS管VD1组成，Vbus+和Vbus-分别为高压直流母线正极和负极，Vout+和Vout-分别为电压检测电路输出正、负极，Vout+/Vout-可以直接接入A/D转换器或CPU的A/D管脚进行运算处理。

线性光电耦合器HCNR200（厂家：AVAGO）内部结构如图2所示，它由发光二极管D1、反馈光电二极管D2和输出光电二极管D3组成，其工作原理为：当驱动电流IF通过发光二极管D1时，D1发出红外光（伺服光通量），该光分别照射在D2、D3上，反馈光电二极管D2吸收D1的一部分光通量，从而产生控制电流IPD1，该电流用来调节IF以补偿D1的非线性和漂移特性。同时，输出光电二极管D3产生的输出电流IPD2与D1发出的伺服光通量成线性比例