
TLE5012B是一款360°角度传感器,用于检测磁场方向。通过测量正弦和余弦角度分量(采用单片集成巨磁阻(GMR)元件),内部对原始信号进行数字处理计算磁场角度。
该传感器为预校准设备,校准参数存储于激光保险丝,上电时参数写入触发器,可由应用特定参数修改。支持可选内部自校准算法,提升宽温度范围角度测量精度和使用寿命。
数据通信通过双向同步串行通信(SSC,兼容SPI)实现,传感器配置存储于寄存器并通过SSC接口访问。此外还提供脉冲宽度调制(PWM)协议、短PWM码(SPC)协议、霍尔开关模式(HSM)和增量接口(IIF),可与SSC并行使用或单独工作,另有预配置传感器变体(不同接口设置,参见表1-1和第5章)。在线诊断功能确保可靠运行。
1.2 特性
GMR原理:基于巨磁阻效应,集成磁通门角度测量,支持360°角度测量及转速计和角度速度测量。
高精度转换:双通道单位SD-ADC,输出15位绝对角度值(分辨率0.01°)、16位正弦/余弦值。
性能与接口:激活自校准后,全生命周期内角度误差≤1.0°;双向SSC接口速率最高8Mbit/s;支持PWM、SPC、SENT(SAE J2716)等接口,输出引脚可配置为推挽或开漏模式;符合安全完整性等级(SIL)并提供诊断功能。
技术参数:0.25μm CMOS工艺,汽车级温度范围-40°C至150°C(结温),ESD>4kV(人体模型),符合RoHS标准(无铅封装,无卤素)。
1.3 应用示例
TLE5012B GMR角度传感器适用于汽车领域角度位置传感,包括电动换向电机(如电动助力转向EPS)、旋钮开关、转向角测量及通用角度传感。
2、功能描述

2.2 功能模块描述
2.2.1 内部电源供应
TLE5012B内部级由多个电压调节器供电:
GMR电压调节器(VRG)
模拟电压调节器(VRA)
数字电压调节器(VRD,由VRA派生)
这些调节器直接连接至电源电压VDD。
2.2.2 振荡器与锁相环(PLL)
数字时钟源:由锁相环(PLL) 提供,默认由内部振荡器驱动。
外部时钟配置:可通过SSC接口设置,使IFC引脚提供的外部时钟信号作为PLL源(替代内部时钟),实现与系统中其他集成电路同步;外部时钟模式仅在PWM或SPC接口配置下可用。
2.2.3 SD-ADC
Sigma-Delta模拟-数字转换器(SD-ADC):将模拟GMR电压和温度电压转换为数字信号。
2.2.4 数字信号处理单元
数字信号处理单元(DSPU) 包含:
智能状态机(ISM):补偿GMR桥原始信号的偏移、偏移温度漂移、幅度同步性和正交性,执行自校准、预测和角速度计算。
坐标旋转数字计算机(CORDIC):包含用于角度计算的三角函数。
捕获比较单元(CCU):生成PWM和SPC信号。
随机存取存储器(RAM):包含配置寄存器。
激光保险丝:包含误差补偿校准参数和IC默认配置,上电时加载到RAM。
2.2.5 Interfaces
通过三线SSC接口实现与TLE5012B的双向通信,可并行选择以下次级接口(位于IFA、IFB、IFC引脚):
脉冲宽度调制 (PWM)
增量式接口
霍尔开关模式
短PWM代码
使用预配置派生产品(参见第5章)时,TLE5012B可仅通过次级接口运行,无需SSC通信。
2.2.6 安全特征
TLE5012B提供多项安全功能以支持安全完整性等级(SIL),是PRO-SIL™产品,功能包括:
通过SSC接口激活的ADC输入测试向量切换
通过SSC接口激活的滤波输入流反转/组合
SSC通信采用8位循环冗余校验(CRC),SPC接口采用4位CRC校验数据传输
上电时ISU、CORDIC、CCU、ADCs运行内置自测试(BIST)例程
支持两个独立主动接口,具备过压和欠压检测
2.3 传感器工作原理
巨磁电阻(GMR)传感器结构:采用垂直集成技术,敏感区域集成于TLE5012B器件逻辑层上方,4个GMR元件连接至一个惠斯通电桥。
磁信号检测:GMR元件电阻随磁场方向变化,检测施加磁场的X分量(余弦) 或Y分量(正弦)。
电桥优势:磁场方向变化时,GMR元件电阻相应改变;全桥结构可提供最大GMR信号,且温度影响相互抵消。

图2-2 GMR传感器敏感电桥(非比例图)
注意:因传感器IC在封装中的旋转放置不准确,传感器的0°位置可能与图2-2所示的封装边缘方向偏差最多3°。
图2-2中,电阻中的箭头代表固定在参考层中的磁方向:
若外部磁场方向与参考层平行,电阻最小;
若方向相反,电阻最大。
每个电桥的输出信号在两个极大值之间的180°范围内是明确的,因此需两个电桥相互正交以测量360°角度。通过反正切函数ARCTAN2,可计算出传感器电桥原始X和Y信号的真实360°角度值。

2.4 引脚配置

2.5 引脚描述

3 、应用电路
本章应用电路展示了TLE5012B的通信可能性。引脚配置为推挽或开漏模式,由设备决定;IFAB_OD位(寄存器IFAB,偏移量0x04)指示IFA、IFB和IFC引脚的输出模式,SSC引脚默认为推挽模式(寄存器SSC_OD,偏移量MOD_3,0x04)。
图3-1为TLE5012B基本方框图,含增量接口和SSC配置。衍生型号TLE5012B-E1000默认配置为推挽模式的IFA(IF_A)、IFB(IF_B)和IFC(IF IDX)引脚。

图3-1 TLE5012B与IIF接口及SSC(使用内部时钟)的应用电路
若IFA、IFB和IFC引脚通过SSC配置为开漏极引脚,建议在每条输出线上串联一个电阻(如2.2kΩ)。
图3-2 TLE5012B基本方框图(HS模式及SSC配置)
TLE5012B的派生型号TLE5012B - E3005默认配置为:
IFA(HS1):推挽输出
IFB(HS2):推挽输出
IFC(HS3):推挽输出

如果通过SSC接口将IFA、IFB和IFC引脚配置为开漏引脚,则建议在输出线与VDD之间连接三个电阻(每条线一个,例如2.2kΩ)。
TLE5012B仅支持PWM配置(图3-3)。派生型号TLE5012B - E5000默认将IFA(PWM)引脚配置为推挽模式。

TLE5012B - E5020也是一种PWM派生产品,但其具有开漏IF引脚(PWM引脚)。然后应在IF引脚线与VDD之间添加上拉电阻(例如2.2kΩ),如图3-4所示。

出于安全原因,未使用的引脚最好接地,而非悬空。建议在DATA线引脚与地之间连接一个电阻,以避免在DATA产生意外输出时发生短路。CSQ线必须连接到VDD,以防止SSC接口意外激活。
TLE5012B仅可通过SPC接口进行配置(图3-5)。此特性仅适用于TLE5012B - E9000衍生版本,该版本默认将IFA引脚配置为开漏模式。

图3-5接口配置
IFC(NR1)和SCK(NR0)引脚接地生成从机编号(S_NR)00(或00B)。
未使用引脚建议接地防浮空;DATA数据线与地之间建议接电阻,避免意外输出短路;CSQ线需连接至VDD,防止SSC接口意外激活。
同步串行通信(SSC)配置
默认配置:图3-1和图3-2中SSC接口为默认推挽配置(详见图3-6)。
电阻要求:DATA、SCK(串行时钟)和CSQ(片选)线上建议串联电阻,限制传感器推高与微控制器拉低同时发生时的电流;SCK和CSQ线上的电阻仅在存在干扰或噪声时为必要。
图3-6 传感器从模式下SSC的配置(推挽输出,高速应用)

也可以为DATA、SCK和CSQ线路使用开漏极配置。该配置旨在与总线系统中的微控制器通信,并与其他SSC从设备(例如出于冗余原因的两个TLE5012B器件)配合使用。可通过SSC_OD位激活此模式。
开漏极配置如图3-7所示。建议在DATA、SCK和CSQ线路上串联电阻,以限制电流(以防微控制器或传感器意外切换为推挽模式)。DATA线路上需要一个典型值为1 kΩ的上拉电阻。
图 3-7 节点从机模式和开漏极(总线系统)中的SSC配置

4、绝对最大额定值参数

注意事项
超过上述最大值可能导致设备永久损坏。
长期暴露于绝对最大额定条件下可能影响设备可靠性。
最大额定值为绝对极限,超过任一值均可能造成不可逆损坏。
4.2 工作范围
为确保TLE5012B的正常工作,必须遵守以下工作条件。除非另有说明,否则以下各部分所规定的参数均适用于这些工作条件。除非另有说明,表4-2在-40°C < 结构温度Tj < 150°C的范围内有效。

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