STM32G4的内核性能

最新推荐文章于 2026-04-11 08:00:00 发布

原创

最新推荐文章于 2026-04-11 08:00:00 发布 · 3.7k 阅读

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本文介绍了STM32G4芯片的内核性能优化，包括ART加速提升Flash读取速度，CCM SRAM用于加快关键代码执行，CoreMark测试评估处理器性能，以及浮点运算在提高精度和算法项目中的应用。强调了不应仅关注主频，而应考虑内核性能，例如F3的M3内核在72MHz下对比F1的FIR运算有显著提升。

1.ART加速

在这里插入图片描述
ART在Flash之前，ART加速可以提高Flash的读取运行速度。

➢ 程序实现（任选一种）：
1，使用库函数（HAL）：
__HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_ENABLE();
__HAL_FLASH_DATA_CACHE_ENABLE();

2，寄存器操作：
FLASH->ACR |= (1<<9);//将第9位置1
FLASH->ACR |= (1<<10);//将第10位置1

在这里插入图片描述
如果要将时钟跑到170MHz，需要设置到Rang1 Boost模式

2.CCM SRAM

CCM SRAM直接连接到 I-

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