HAL库 FLASH程序编写注意事项

本文详细介绍了FLASH存储器的擦写和烧写方式,包括页擦除、整体擦除及三种不同的烧写方法。并阐述了擦写与烧写方式之间的关联性,以及如何通过特定地址判断FLASH大小。

根据官方库例程和实验得知

1.FLASH擦写有两种方式: FLASH_TYPEERASE_PAGES按页擦除和FLASH_TYPEERASE_MASSERASE MASSERASE
2.FLASH烧写程序有三种方式
FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 单次8个字节的方式
FLASH_TYPEPROGRAM_FAST 单次32行8个字节的方式
FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST 单次32行8个字节的方式,但是是烧写地址的最后一页。
3.擦写方式和烧写方式有关联性

FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD的烧写方式可以使用按页擦除和MASSERASE,但是
FLASH_TYPEPROGRAM_FAST和FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST只能使用MASSERASE的方式擦除。

4.可通过查看#define FLASH_SIZE_DATA_REGISTER ((uint32_t)0x1FFF75E0)该地址的值判断FLASH的size。

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