本文为作者原创内容,首发于同名微信公众号【TechShareMore】,首发时间:2026年1月28日,已获得作者本人独家授权,同步发布于CSDN。
本文完整整理自JEDEC Standard No.79-5D标准文档第4.2章节,聚焦DDR5 SDRAM的突发长度(Burst Length)、突发类型(Burst Type)及突发地址顺序(Burst Order),技术细节与原文完全一致,结构清晰易读,可直接用于技术分享或工程实践参考。
4.2 突发长度、类型与顺序(Burst Length, Type, and Order)
DDR5 SDRAM的突发访问仅支持顺序突发(Sequential),不支持交错突发(Interleaved)。突发长度、类型及地址顺序由模式寄存器MR0的配置和起始列地址决定,核心规则与操作细节如下。
核心基础规则
-
突发类型:仅支持顺序突发(SEQ),无交错突发选项。
-
突发长度配置:由MR0的OP[1:0]定义,支持4种选项:
-
BC8 OTF(On-the-Fly):动态8突发
-
BL16:固定16突发(默认)
-
BL32(可选):固定32突发(仅x4器件支持)
-
BL32 OTF(可选):动态32突发(仅x4器件支持)
-
-
顺序规则:突发地址序列由“突发长度+起始列地址(C3~C0)”共同决定,具体序列见下文表格。
4.2.1 读突发类型与顺序(Read Burst Type and Burst Order)
读突发的地址顺序和数据输出序列由突发长度、起始列地址(C3~C0)决定,不同配置下的具体表现如下表所示。
Table 32 - Burst Type and Burst Order for READ(读突发类型与顺序表)
|
突发长度 |
突发类型 |
起始列地址 |
读突发周期与地址序列(1~16周期) |
备注 |
|
C3 |
C2 |
C1 | ||
|
BC8 |
SEQ |
0 |
0 |
V |
|
0 |
1 |
V | ||
|
1 |
0 |
V | ||
|
1 |
1 |
V | ||
|
BL16 |
SEQ |
0 |
0 |
V |
|
0 |
1 |
V | ||
|
1 |
0 |
V | ||
|
1 |
1 |
V |
读突发关键备注
-
V:有效逻辑电平(0或1),但对应输入缓冲忽略该引脚电平。
-
T:数据(DQ)和选通(DQS)输出驱动处于高阻态。
-
突发长度BC8对应“动态8突发”,BL16对应“固定16突发”,序列严格按顺序执行。
4.2.2 写突发类型与顺序(Write Burst Type and Burst Order)
写突发的地址顺序和数据输入序列规则与读突发一致,不同配置下的具体表现如下表所示。
Table 33 - Burst Type and Burst Order for WRITE(写突发类型与顺序表)
|
突发长度 |
突发类型 |
起始列地址 |
写突发周期与地址序列(1~16周期) |
备注 |
|
C3 |
C2 |
C1 | ||
|
BC8 |
SEQ |
0 |
V |
V |
|
1 |
V |
V | ||
|
BL16 |
SEQ |
V |
V |
V |
写突发关键备注
-
X:无关项,主机可任意驱动该时段的DQ信号。
-
写突发的起始列地址影响数据存储的地址序列,与读突发保持一致的顺序逻辑。
-
突发长度BC8和BL16的写序列严格遵循顺序突发规则,无交错选项。
4.2.3 可选BL32模式(Optional BL32 Mode)
DDR5 SDRAM仅为x4器件提供可选的BL32模式,包括“固定BL32模式”和“BL32 OTF模式”,核心规则与突发序列如下。
核心限制与特性
-
适用范围:仅x4器件支持,x8/x16器件不支持BL32相关模式。
-
模式分类:
-
固定BL32:通过MR0 OP[1:0]=10B配置
-
BL32 OTF:通过MR0 OP[1:0]=11B配置(动态切换)
-
-
特殊时序:BL32 OTF模式下执行BL16操作时,内部写操作比固定BL32模式提前8个时钟周期,tWR(写恢复时间)和tWTR(写转读延迟)的起始点需相应提前。
可选BL32模式读突发顺序
Table 34 - Burst Type and Burst Order for READ BL32(BL32模式读突发类型与顺序表)
|
突发长度 |
突发类型 |
起始列地址 |
读突发周期与地址序列(1~32周期,按4周期分组) |
备注 |
|
C10 |
C3 |
C2 | ||
|
BL32 |
SEQ |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
0 |
1 | ||
|
0 |
1 |
0 | ||
|
0 |
1 |
1 | ||
|
BL16(BL32 OTF下) |
SEQ |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
0 |
1 |
可选BL32模式写突发顺序
Table 35 - Burst Type and Burst Order for WRITE BL32(BL32模式写突发类型与顺序表)
|
突发长度 |
突发类型 |
起始列地址 |
写突发周期与地址序列(1~32周期,按8周期分组) |
备注 |
|
C10 |
C3 |
C2 | ||
|
BL32 |
SEQ |
0 |
V |
V |
|
BL16(BL32 OTF下) |
SEQ |
0 |
V |
V |
|
1 |
V |
V |
可选BL32模式关键备注
-
BL32 OTF模式下,BL16操作的内部写时序提前8个时钟,需重新校准tWR和tWTR的计时起点。
-
读突发序列中,X表示超出BL16长度的时段无数据输出,DQ保持高阻。
-
写突发序列中,X表示超出BL16长度的时段为无关项,主机无需驱动DQ信号。
4.2章节关键备注汇总
-
DDR5仅支持顺序突发,不支持交错突发,所有突发操作的地址序列严格按顺序执行。
-
突发长度由MR0 OP[1:0]配置,BC8 OTF和BL32 OTF为动态模式,BL16为默认固定模式。
-
可选BL32模式仅适用于x4器件,x8/x16器件无此功能。
-
读突发中的T表示高阻态,写突发中的X表示无关项,需结合时序要求合理设计主机驱动逻辑。
-
BL32 OTF模式下的BL16操作需注意内部时序偏移,避免tWR和tWTR参数配置错误。
未经作者本人授权,禁止任何形式的转载、洗稿、商用,侵权必究。
1万+

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



