RF_Amp观看笔记2：晶体管类别&BJT晶体管

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第一期：射频放大器介绍
第二期：晶体管类别;BJT晶体管

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本章概括

本章内容

本章将介绍晶体管部分

晶体管类别

主要讲解蓝框中的部分——晶体管。晶体管可以分为：

• Bipolar Transistor 双极性晶体管
  • BJT（Bipolar Juction Transistor 双极结型晶体管）
  • HBT（Heterojunction Bipolar Transistor 异质结双极晶体管）
• Field Effect Transistor（FET）场效应晶体管
  • JFET（Junction FET 结型场效应晶体管）
  • MOSFET（Metal Oxide Semi-conductor FET 金属-氧化物半导体场效应晶体管）做在Silicon上，用Oxide做隔离
  • MESFET（Metal Semi-conductor FET 金属-半导体场效应晶体管）
  • HEMT（High Electron Mobility Transistor 高电子迁移率晶体管）
  • PHEMT（Pseudomorphic HEMT）它的截面不是真正的结晶，比HEMT性能更好

BJT

硅基BJT

横截面图

• 这是一个NPN型晶体管。
• BJT有三个电极：
  • 基极B(Base)
  • 发射极E(Emitter)
  • 集电极C(Collector)
• 橙色部分代表基极，它的长度决定了晶体管的速度（相应地，宽度决定了电流大小）。
• 蓝色部分是集电极耗尽层（depletion layer），在这里带电载流子密度很低（因为是电子和空穴结合的区域）。
• P和N区之间会形成一个Junction（在图中是E级那边包着的一个镂空梯形，画了阴影线），中间有等效电容$C_{be}$。$C_{be}$是一个扩散电容，只是具有电容效应，不是真正存在的电容。$C_{be}$的表明能量的传递不完全依靠电子的移动，能量可以直接通过电容“漏”过去——位移电流。
  公式：$C_{be}={\tau }_b{g}_m$
  其中${\tau }_b$是电子在基极移动时的delaytime延迟时间，$g_m=\frac{1}{r_e}$
  所以也能写成：$r_e\cdot C_{be}={\tau }_b$（电容的时间常数公式）
  这个公式就是用RC回路来模拟电子的延迟时间（和第三点对应，如果基极长度小，这个${\tau }_b$会小，速度就越快）
• $b-e$间的电流是$b-b^{{}^{\prime }}$间的电流的$1+hf1$倍（我没听清楚这个“hf1”到底是怎么拼的，凑合一下。这东西基本就是模电的放大倍数）。如果扩散电容$C_{be}$漏电就会使射级损失很多电流。
• 电子要从N区进入P区，要有一个能级的跃迁，这一部分能量的消耗被等效为一个小电阻$r_e$（图中看起来是和等效电容并联着的）。
• 左侧电阻$r_{b{b}^{{}^{\prime }}}$是因为电子在移动时能量会持续地损失。真正的基极到
• $C_{bc}$是真正的电容，是由于夹层而构成的电容。
• 最下层是集电极衬底（Collector Substrate），他最终能吸收来的电流并不是完全的$i_e$，$i_e$有一部分漏到基极去了，所以集电极接受的电流是$\alpha i_e$（模电里面提过的$\alpha$和$\beta$两个系数，微波里喜欢用$\alpha$，$\alpha <1$）

俯视图

（能看到EB。C在底下看不到)

发射极伸入基极的部分，通过Emitter Width射级宽度和Emitter Periphery射级外围（也就是长度）形成了一个面积，这个面积决定了电流的大小。一般晶体管会给出多少电流每平方微米，单位是：$mA/u{m}^2$（就是电流密度）。

往往要让功率大，效率高，就要让电流密度大；要让电流密度大，就要让有效面积大。

这一张图其实是两个管子并联：

工程中要做到电流大，采用的是多个管子并联：  而不是一下子把面积做得很大，电流会不均匀。

封装示意图

教授举例了一些封装。 其中有的封装有多个Emitter引脚，弹幕说是一根射级不够走大电流。 并且如果是很大的级（就是字面意思，看上去很大），那一定是Emitter。

注意图中最上面红色的，是一种常见的封装。

平面朝自己，引脚依次是EBC。（美规的是这样的，日规的不太一样是ECB）

HBT

主要构成

这是一个“砷化镓”或“砷化铝镓”的异质结双极型晶体管（PNP）。它的极都是金属制的。其中基极做了对称，是为了便于并联使用。

射级与基板之间有一块相对突出的材料，被叫做$EmitterMesa$，即：“发射极台面”。这块$n^{+}$性的材料是$AlGaAs$；$p$性的基极材料使用的是$GaAs$。它们之间形成了一个接面，称为

$AlGaAs/GaAsHeterojunction$ 砷化铝镓/砷化镓异质结

最后的基底是半绝缘砷化镓基底。

制作方法

可以看到$layer$都是一层接一层的，采用的是蚀刻的制作工艺。

HBT的制作精度要求很高，中间的层厚度要控制的很精确；同时由于$GaAs$等原料也更贵，所以HBT要比BJT贵很多。（但我不知道现在怎么样了）

常用材料组合

射级(Emitter)材料($n^{+}$)	基极(Base)材料($p$)	衬底(Substrate)材料
$AlGaAs$	$GaAs$	$GaAs$
$InAlAs$	$InGaAs$	$InGaAs$
$InGaP$	$GaAs$	$GaAs$
$Si$	$SiGe$	$SiGe$

其中，第三行标红的是应用最广泛的；第四行标蓝的组合性能也不错，价钱也稍微低一些。

MMIC布局

1. （Emitter contact）最中间的是金属材质的电极；
2. （Emitter mesa）射级电极紧贴着射级台面；
3. （Base pedestal）射级台面长在基极基板上；
4. （Base contact）同时基极电极也在基极基板上；
5. （Collector contact）集电极电极独立于基极基板；
6. （Isolation implant）最终所有东西都要被隔离外围隔离起来（用粒子把晶格破坏使其丧失导电性——就是前一张图中的Implantation damage离子注入损伤）

教授顺便提到说substrate最好也是绝缘的。如果它导电，有电阻，是lossy的，电磁波通过它被吸收消耗掉，损失功率。不过往往在生产中不做绝缘的，成本很高（田教授经典结论：老板不乐意）。

HBT vs Si BJT

• 相同点：都是纵向电流，且是双载流子（电子、空穴）。

• 不同点	BJT	HBT	分析
  BE接面	同质（Silicon）	异质
  基极掺杂	$5\times 10^{8}c{m}^{-3}$	$>4\times 10^{9}c{m}^{-3}$
  $r_{b^{{}^{\prime }}e}or{r}_e$	$\frac{U_T}{i_b}(常温下百\Omega 级)or\frac{U_T}{i_e}(常温下\Omega 级)$	$lower$	掺杂高，能障低，速度快
  $v_{sat}(e^{-})$（电子饱和速度）	$0.7\times 10^{7}cm/s$	$>2\times 10^{7}cm/s$	HBT3倍左右，更快
  $Gain(g_m)$	$\frac{i_c}{U_T}$	$higher$	HBT高增益更适合功放
  基极厚度	$0.1\mu m$(对BJT来说能障高，厚度再降收益也不高）	$0.06\mu m$	基极厚度越薄速度越快
  $f_T$(电流增益降至1的频率）	$f_T=\frac{g_m}{2\pi C_{b^{{}^{\prime }}e}}$	$higher$
  Substrate 基板材料	$Lossy（阻性=有损耗）$	$Highresistance（高阻=不导电）$	HBT没有导电损耗