一种节能的SAR ADC切换方案

一种用于低功耗SAR模数转换器设计的节能切换方案

梁玉华和朱张明†西安电子科技大学 微电子学院，中国陕西省西安市太白南路 2号，710071
†zhangmingzhu@xidian.edu.cn
2016年9月29日收到2017年4月 28日接受发布于2017年6月1日

本文提出了一种用于逐次逼近型寄存器（SAR）模数转换器（ADC）的新型节能切换方案。与基于VCM的方案相比，提出的开关方案的平均开关能量可降低95.3%。此外，线性度也得到显著改善。采用所提出的开关方案，在SMIC0.18‐mCMOS工艺中设计了一款10位100 kS/sSARADC。在0.6伏电源下，该ADC消耗43.7纳瓦的功耗。因此，其优值（FOM）优化至0.58fJ/conversion‐step。

关键词 ：SAR模数转换器；切换方案；能量效率 ±cient。

1. 引言

逐次逼近型模数转换器（SAR）模数转换器（ADC）1–3由于其结构简单且运算放大器使用最少，已成为许多低功耗领域的首选方案。 ¯降低SAR模数转换器功耗主要有两种方法：一种是采用较低的电源电压，但这会降低SAR模数转换器中模拟电路的性能；另一种是采用新型节能的¯切换方案，该方案可以减少电容阵列消耗的开关功率。±3

为了降低切换功耗，已提出多种切换方案。与VCM‐based方案（参考文献4）相比，参考文献5中的MCS方案和参考文献6中的三电平方案分别实现了50%和 75.1%的降低。还有其他一些方案，如参考文献7和8，其切换功耗也大幅降低。然而，由于转换阶段存在复杂的切换操作，需要相对更多的控制模块数字单元。因此，控制逻辑较为复杂，且控制模块消耗的功率增加。此外，采用C-2C结构使得模数转换器的线性度对寄生电容敏感。我们在参考文献±9中提出的高效切换方案，相较于VCM‐based切换方案可节省90.7%的切换能量。为进一步提高功耗效率和线性度，本文提出了一种新颖的切换方案。±

本文组织如下：第2节描述了提出的开关步骤。第3节给出了能耗和线性度的分析与比较。第4节介绍了模数转换器的版图和仿真结果。第5节给出结论。

2. 提出的开关步骤

在描述提出的开关方案之前，先介绍两种节能方法。对于第二位的判定，采用图1所示的方法。将最高有效位(MSB)从地充电至电压REF所需的能量可通过公式 (1)计算。因此，在第二次比较周期中将没有功耗。

$$
E = V_{REF} \cdot 2C \cdot \left(0 - \frac{1}{2}V_{REF}\right) + V_{REF} \cdot (C + C) \cdot \left(-\frac{1}{2}V_{REF}\right) = 0
\tag{1}
$$

所提出的方案中也采用了降低负开关能量的方法。如图2所示，MSB电容保持连接到地，而其他电容器则从VREF 切换到VCM。该操作导致功耗为1/4CV²REF，表明所提出的方案具有节能特性。

提出的4位SAR ADC开关方案如图3所示。在采样阶段，所有电容器的顶板都连接到输入信号，而下极板初始充电至0、VREF、…、VREF（其中MSB电容连接到地）。由于采用上极板采样技术，最高有效位的确定无需消耗能量。一旦获得MSB，低电位电容阵列上的MSB电容将充电至VREF，使其电压升高VCM（VCM表示共模电压，即参考电压VREF的一半），但此过程不消耗任何开关能量。

在第三次比较期间，如果MSB与次高有效位的比较结果相同，则除高电位电容阵列上的MSB电容外，所有电容器均降至VCM，而互补电容阵列保持不变；否则（若MSB与次高有效位的比较结果不同），低电位电容阵列上的MSB电容降至VCM，而互补电容阵列的电容阵列不发生变化。此后，在每次比较中仅有一个电容器的下极板电压降低VCM，直至其余位全部确定。

3. 分析与比较

3.1. 开关能量

采用MATLAB对10位SAR模数转换器所提出的方案进行了行为级仿真。图4绘制了开关能量与输出码的关系。所提出的开关方案的平均开关能量为7.93 CV²REF，与基于VCM的切换方案相比，降低了95.3%。

如果每个输出码的出现概率相等，则可推导出该N位SAR ADC提出的开关方案的平均开关能量：

$$
E_{avg} = \sum_{i=1}^{N-3} (2^{N-i-7}) C V_{REF}^2
\tag{2}
$$

不同切换方案在平均开关能量、节能和面积节省方面的比较列于表1中。文献5、6、9和10中提到的方案以及所提出的方案相较于基于VCM的方案实现了50%的面积减小。然而，所提出的方案仅消耗7.94CV²REF。

3.2. 线性度

采用所提出方案的N位SAR模数转换器的单端电容阵列如图5所示。Cu表示单位电容，C0（即虚拟电容）等于 Cu 和 Ci 到 2^(i−1) × Cu，其中 i = 1, 2, …, (N − 2)。单端电容阵列中的电容器数量等于 2^(N−2)。

如图3所示，采用所提出的方案的4位SAR模数转换器在1/4满量程（满幅值）到3/8满量程或3/4满量程到7/8满量程之间的转换过程中，会出现最差情况下的微分非线性（DNL）。以此类推，对于N位分辨率的情况也可得出类似的结论。当采用差分结构时，在最差情况下将切换 2^(N−2) Cu元件。假设单位电容的误差项u满足高斯分布，则u的均值和方差为：

$$
E(\epsilon_u) = 0 \
E(\epsilon_u^2) = \sigma_u^2
\tag{3}
$$

如果n个单位电容并联连接，标准偏差可以通过对表示为n个独立随机变量的和来获得：

$$
\sigma^2(nC_u) = n \cdot \sigma^2(C_u)
\tag{4}
$$

因此，Ci的标准偏差可以用公式(5)表示：

$$
\sigma^2(C_0) = \sigma^2(C_u) \
\sigma^2(C_i) = \sigma^2(2^{i-1}C_u) = 2^{i-1}\sigma^2(C_u), \quad i = 1, 2,…,(N - 2)
\tag{5}
$$

此外，任一电容的失配与其他电容的失配无关。因此，考虑到失配特性，最大DNL的方差为：

所提出的方案可以表示为公式（6）：

$$
\sigma_{DNL,MAX_proposed} = \sqrt{2^{N-2}} \cdot \frac{\sigma(C_u)}{C_u}
\tag{6}
$$

可以对采用基于VCM切换方案的SAR模数转换器的非线性度进行类似的分析。最大DNL的偏差可以表示为：

$$
\sigma_{DNL,MAX_VCM_based} = \sqrt{2^{N-1}} \cdot \frac{\sigma(C_u)}{C_u}
\tag{7}
$$

两者均从差分结构中描述。公式（6）和（7）的比较得出结论：所提出的方案的最大DNL偏差比VCM‐based方案小一个√2倍。

对提出的10位SAR模数转换器开关方案进行了500次蒙特卡洛仿真，仿真结果如图6所示。6(a)显示了基于VCM的切换方案的仿真结果，而图6(b)显示了提出的切换方案的结果。设单位电容的失配为 σ(C/C) = 1%，基于VCM的切换方案的最大DNL标准偏差以及最大积分非线性（INL）的标准偏差分别为0.232LSB和0.264LSB。相比之下，所提出的方案在图6(b)中显示可分别达到0.176LSB和0.195LSB。还对每个数字码的均方根DNL和RMS INL进行了仿真。对于提出的开关方案，RMS DNL和RMS INL分别为0.337LSB和0.347LSB。显然，提出方案的线性度显著提高。

4. 仿真结果

采用提出的开关方案，基于SMIC‐0.18 μm CMOS工艺设计了一款10位100kS/s的低功耗SAR模数转换器，其版图如图7所示。该模数转换器的核心面积为 450×230 μm²。本节中，通过后布局提取对ADC的静态和动态性能进行了仿真。

本文中单位电容的电容值设计为9fF。在100 kS/s的采样率下，后布局仿真表明，该提出SAR模数转换器在0.6伏电源电压下消耗43.7纳瓦。

提出的逐次逼近型模数转换器的微分非线性和积分非线性如图8所示。可以看出，最大DNL为 −0.24/0.28LSB，而最大INL为 −0.41/0.67LSB。

微分非线性)

积分非线性)

图8. 提出的模数转换器的仿真微分非线性和积分非线性。

图9显示了100 kS/s SAR ADC在接近奈奎斯特频率工作时的4096点快速傅里叶变换（FFT）。信噪失真比（SNDR）和无杂散动态范围（SFDR）分别可达 59.3和78.2dB。因此，提出 的SAR模数转换器的有效位数（ENOB）为9.55位， 其优值（FOM）可计算为0.58fJ/转换步。

5. 结论

本文展示了一种新颖的高能效切换方案。该切换方案相比基于VCM的方案可节省 95.3%的开关能耗，并实现50%的电容阵列面积缩减。500次蒙特卡洛仿真结果表明，采用所提出方案的10位SAR模数转换器的最大DNL标准偏差和最大INL标准偏差分别为0.176LSB和0.195LSB。因此，所提出的切换方案在开关能耗和线性度方面均有显著改善。采用该提出的开关方案，设计了一款工作于SMIC‐0.18 μm CMOS工艺的10位100 kS/s SAR ADC。后布局仿真结果显示，该模数转换器的总功耗为43.7纳瓦，在奈奎斯特输入下的信噪失真比达到59.3分贝。