本文详细介绍了NAND Flash的读写操作，包括页读、随机数据输出、页编程和随机数据输入四个步骤。在页读过程中，通过特定命令和地址读取数据；随机数据输出时，可连续读取同一页内不同位置的数据；页编程涉及将数据写入页缓存，随后确认开始编程；随机数据输入允许在编程前输入任意位置的数据，最后确认编程开始。
1、页读
如下所示，先输入读命令 0x00 ，然后输入5个地址，分为2个列地址（页内地址）和3个行地址（页和block地址），再输入读确认地址0x30，nand硬件会自动从指定的页的主存储区读数据到页缓存（页寄存器），此时R/B#为低电平，当内部读完成后，
R/B# 恢复为高电平，此时便可以通过NFC的数据寄存器读取想要的数据。
2、Random data output （随机读）
如下图，前部分跟上面提到的一致，再输入30确认读后，读出想要的页的内容。此时若想继续读此页怎么办？？？
输入05、2个页内地址、E0，然后硬件会从指定的页内地址继续读出数据。
3、页编程
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