基于复合型DC‐DC变换器的电驱动汽车动力总成架构
摘要
在混合动力或电动汽车动力总成中,升压型 DC‐DC变换器可实现电机的小型化以及电池系统的优化。由于 该变换器必须具备高的峰值功率额定值,同时在中轻载条件下的 效率对车辆系统性能至关重要,因此其设计具有挑战性。以往提 出的效率提升方法仅针对部分损耗机制,因此在系统尺寸、成本 和效率之间的权衡改善方面有限。本文阐述了一种新的升压复合 转换器方法,可有效缓解汽车动力总成应用中的所有主要损耗机 制。在复合型DC‐DC架构中,明确解决了与间接功率转换相关 的损耗机制,从而在广泛的运行条件下实现了根本性的效率提升。 本文提出了多种复合变换器拓扑结构,并与最先进的升压变换器 技术进行了比较。研究发现,在典型驾驶循环下,所选的升压复 合转换器可使总损耗降低为原来的二至四分之一。此外,系统的 电容功率额定值和能量额定值显著降低,意味着系统尺寸和成本 具有大幅减少的潜力。
引言
混合动力或电动汽车动力总成包括电池系统、电机驱 动系统,以及在某些情况下位于电池与电机驱动系统之间 的双向DC‐DC变换器,如图1所示。升压型DC‐DC变换器 可实现电池系统的独立优化,并减小电机的尺寸[1],[2]。 电机驱动直流母线电压可以提高,从而在无需弱磁控制的 情况下扩展电机转速范围。这提高了电机和逆变器的效率 [3]。该变换器还可动态调节直流母线电压,使系统效率 进一步优化[4]。采用DC‐DC变换器的动力总成架构已成 功应用于商用车辆系统[1],[5]–[7]。
升压型DC‐DC变换器的相关损耗必须足够低,以免 影响图1所示动力总成架构的优势。在此应用中设计高效 率升压变换器具有挑战性,因为变换器必须能够承受高 峰值功率,同时在中轻载条件下的效率至关重要。 以提升车辆系统性能。已提出多种方法来提高升压变换器 效率,包括减少开关损耗的不同方法 [8]–[15],、改进磁 性元件的不同方法 [16]–[21],,以及利用较低电压等级器 件的方法 [22],[23]。由于先前提出的效率提升方法仅针对 部分损耗机制,因此在尺寸、成本与效率之间的权衡方面 改善有限。一种新型复合式升压变换器架构已在 [24]– [26] 中被提出。该方法采用多个较小的变换器模块组合在 一起处理系统的总功率;实际上,这种方法是一种采用不 同类型模块的模块化多电平系统。每个变换器模块处理系 统功率的一部分,并有效利用半导体和无功元件。能够在 某些关键运行点独立优化每个模块,从而显著提高平均效 率。根据运行条件,模块可进入关断或直通模式,进一步 降低交流功率损耗。总体而言,该方法明确解决了与间接 功率转换相关的损耗机制,在广泛的运行条件下实现了根 本性的效率提升。
本文的目标是阐述与汽车动力总成应用中dc‐dc变换 器设计相关的挑战,介绍几种复合变换器拓扑,并将这些 方法与现有的先进解决方案进行比较。该论述基于以下假 设和前提:
- 电力电子系统是受损耗限制的。因此,输出功率与损 耗功率之比是决定功率密度、冷却系统成本及相关性能 的关键指标。
- 在典型驾驶循环下的平均损耗受到电力电子器件低功 率效率的显著影响。提高轻载效率可显著降低净功率损 耗。
- 总电容尺寸对系统尺寸和成本有显著影响,并由功率 变换器施加在电容器上的有效值电流所决定。
- 当前在电力电子封装和互连技术方面的大量研究将有 助于更复杂电路拓扑的实际应用。
关键结论是,通过采用复合型直流‐直流转换器,平均损 耗可降低约四倍,同时电容尺寸也可减小约两倍。
采用复合变换器方法。相比之下,现有的软开关、多电平 或耦合电感方法要么仅在效率上带来渐进式提升,要么需 要大幅增加电容尺寸。 本文的结构如下:第二节描述了汽车动力总成应用, 阐述了在宽变比范围和宽功率范围内实现高效率的需求, 并指出了传统升压变换器中的主导损耗机制。第三节总结 了以往提升升压变换器效率的方法。第四节基于直流‐直 流变换器中直接功率与间接功率的概念,提出了几种复合 变换器拓扑,以明确应对与间接功率转换相关的主导损耗 机制。第五节基于通过实验结果校准的损耗模型,对复合 变换器与先进方法进行了详细比较。结果表明,其中一种 复合升压变换器可在典型驾驶循环下使总损耗降低为原来 的二到四分之一。此外,系统的电容功率和能量等级也显 著降低。第六节对全文进行了总结。
II. 电动化汽车动力总成
图1显示了带有双向升压型DC‐DC变换器的基本车辆 动力总成架构。这种架构的变体可广泛应用于混合动力和 电动汽车中。DC‐DC变换器用于提升电池电压,从而可 以使用转速更高、体积更小且效率更高的电机。例如,在 2010款普锐斯中,电池额定电压约为200 V,DC‐DC变换 器将直流母线电压提升至约650V [7]。
在车辆动力传动应用中,系统通常受到热限制。换句 话说,对于给定的热管理设计,允许的平均功率损耗是有 限的。对于此类系统,输出功率与功率损耗之比
$$ Q= \frac{P_{out}}{P_{loss}} = \frac{\eta}{(1 - \eta)} $$
提出了一个比效率η更有意义的性能指标。类比于电抗元件的 品质因数,我们定义电源转换器的Q为损耗与输出之比 效率 [%] 90 92 94 96 98 100
Q = P out /t P loss
10 0
10 1
102
103
功率。图2显示了Q= Pout/Ploss指标随功率效率的变化情 况。例如,如果系统平均效率从96%提高到98%,看似仅 提升了2%,属于渐进式改进。然而,Pout/Ploss却增加了 一倍以上。一项能够使Q加倍的技术,可以在热受限系统 中实现输出功率翻倍,或在处理相同输出功率时使系统的 冷却需求减半。这些是显著且非渐进的系统级改进。高效 率电力电子不仅提高了系统平均效率(如等效每加仑英里 数(MPGe)),还提高了功率密度,并显著减小了热管 理系统的尺寸和成本。
在传统的电力电子应用中,转换器在满载时的效率通 常至关重要。然而,在电动动力总成应用中,转换器在中 低功率水平下的效率实际上更为重要。例如,图3a显示了 福特福克斯电动汽车在不同美国环保署(EPA)规定的标 准测功机驾驶循环(DDS)下,由NREL ADVISOR [27] 仿真结果[28]。城市测功机驾驶循环(UDDS)是一种相 对
0 20 40 60 80 V eh ic le sp ee d [m ph ] UDDS 高速公路燃油经济性测试 US06 0 5 10 15 20 时间 [分钟] 0 50 100 N or m al iz ed m ot or p ow er [% ] UDDS 高速公路燃油经济性测试 US06 (a)车速和归一化功率随时间变化 0 20 40 60 80 100 归一化电机功率 [%] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 O c c u ra n c e [ % ] UDDS 高速公路燃油经济性测试 US06 (b)车辆归一化功率直方图
代表城市驾驶条件的轻载测试。高速公路燃油经济性测试 (HWFET)是一种最高时速为60英里/小时的高速公路 行驶循环。US06是一种补充测试程序,包含激烈驾驶循 环中的快速加速事件。图3b显示了归一化车辆功率的相 应分布。如图3b所示,即使在最激烈的US06驾驶工况下, 车辆大部分时间仍以低于其最大功率40%的状态运行。
在本研究中,考虑了一个30千瓦升压型DC‐DC变换器。 电池电压Vbattery在150伏至300伏之间变化,额定电压为200 伏。升压变比M=Vbus/V batter y可在1到4之间变化。在包含所 有瞬态情况时,最坏情况条件下的直流母线电压Vbus被限制 在800 V以内。采用33%电压降额后,传统升压直流‐直流变 换器需要使用1200伏半导体器件。在最坏情况条件(30千瓦 功率、150伏电池电压、变比为M= 1)下,升压开关导通 200安电流。通常采用1200 V硅IGBT。以富士电机 2MBI200VB‐120‐50 2单元IGBT模块为例进行分析。这 是一种带共封装二极管的1200 V 200安穿通型IGBT。器 件损耗模型的曲线拟合结果汇总于表一。晶体管导通损耗 建模为
$$ P_Q= I_{on}V_{ces}+ I_{on}^2R_q $$
其中Ion为器件的导通电流。类似地,二极管导通损耗建模为
$$ P_D= I_{on}V_f+ I_{on}^2R_d $$
IGBT开通开关损耗被建模为
$$ P_{on}= K_{on}I_{off}^{a_{on}} V_{off}^{b_{on}} f_{sw} $$
其中f sw为开关频率,Voff为IGBT关断状态下的阻断电压。 类似地,IGBT关断损耗被建模为
$$ P_{off} = K_{off} I_{off}^{a_{off}} V_{off}^{b_{off}} f_{sw} $$
并且二极管反向恢复损耗被建模为
$$ P_{rr}= K_{rr}I_{on}^{a_{rr}} V_{off}^{b_{rr}} f_{sw} $$
| 表一 1200伏200安2MBI200VB‐120‐50 IGBT模块损耗模型 |
|---|
| IGBT |
| 导通损耗 Vces[V] 0.75 Rq[mΩ] 7 |
| 开通损耗 Kon 5× 10−7 aon 0.9 bon 0.84 |
| 关断损耗 Koff 4.5× 10−9 aoff 0.95 boff 1.63 |
| 二极管 |
| 导通损耗 Vf[V] 0.8 Rd[mΩ] 5.5 |
| 反向恢复损耗 Krr 8.9× 10−7 arr 0.82 brr 0.84 |
| 表II 传统升压设计概要 |
|---|
| 半导体 部件编号 2MBI200VB‐120‐50 |
| 额定值 1200V / 200A 绝缘栅双极型晶体管 |
| 开关频率 10千赫兹 |
| 电感器 电感 200微亨 磁芯材料 Kool Mu 60u 磁芯尺寸 Ae= 9厘米2 le= 40厘米 匝数 70 |
图4a显示了在Vbattery = 200V和Vbus = 650V下,传统 升压变换器的效率随输出功率水平变化的情况。该传统升压 变换器在中等负载到满载时的效率为96%至96.4%,但在轻 载时效率急剧下降。图4b显示了该升压变换器的归一化损耗 分解。在轻载到中等负载时,交流损耗(包括半导体开关损 耗Psw和电感交流损耗PindAC)占总损耗的主要部分。
转换 器效率与归一化输出功率的关系;(b)归一化功率损耗与归一化输出功率的关系。)
归一化输出功率 [%] 0 20 40 60 80 100 Ef fic ien cy [% ] 90 92 94 96 98 100 (a) 0 20 40 60 80 100 归一化输出功率 [%] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 P o w er l o ss [ W ] P indDC P indAC P cond P sw (b)
中等负载。因此,为了提高转换器在中轻载范围内的效率 (鉴于典型驾驶循环的功率分配,这一点非常重要),有 必要降低转换器的交流功率损耗。
第三部分 升压变换器效率提升方法的综述
本节总结了若干为提高电动车辆动力传动应用中升压 型DC‐DC变换器效率而提出的方法。在第五节中,这些 方法将与第四节介绍的复合升压变换器进行比较。
A. 软开关方法
在电力电子应用中,已对各种软开关技术(如零电压 开关(ZVS)或零电流开关(ZCS))进行了广泛研究。 由于开关损耗在传统升压变换器的总损耗中占比较大,因 此备受关注 研究软开关方法的有效性。实际上,软开关技术可能会降 低但无法完全消除开关损耗。特别是对于绝缘栅双极型晶 体管等少数载流子器件,关断电流拖尾相关的损耗可以减 少但无法完全消除。此外,为实现软开关而引入的辅助电 路会带来新的附加损耗。为了评估开关损耗降低的有效性, 可定义软开关效率 ηss为:
$$ \eta_{ss}= 1 - \frac{P_{sw,ss}}{P_{sw}} $$
其中Psw是原始硬开关变换器中的开关损耗,Psw,ss是采 用软开关后剩余的开关损耗。理想情况下为 ηss= 100%, 意味着所有开关损耗都被消除。实际上, ηss总是小于 100%。
缓冲辅助的零电压转换/零电流转换(SAZZ)方法[8]– [11]是著名的辅助谐振换流极概念[29]的扩展。SAZZ方法 解决了部分开关损耗机制,包括由二极管反向恢复引起的 开通损耗以及在一定程度上由IGBT电流拖尾引起的关断 损耗。该辅助电路相对简单,且变换器主开关应力和导通 损耗与原始升压变换器相同。
参考文献[8]描述了一款200 V至400 V、8 kW的 SAZZ升压原型,采用MOSFET在100 kHz下工作时效率达 到96%。其功率级原理图如图5所示。文献[9],提出了一款 250 V至390 V、25 kW双向非反相SAZZ升降压原型,采用 600 V IGBT,在满输出功率下效率达到97.4%。文献[10] 通过采用改进的缓冲电路结构以及在缓冲电路中使用饱和电 感,进一步扩展了SAZZ概念。该原型在8 kW至15 kW输出 功率范围内,实现300 V至420 V电压转换,采用工作在50 kHz的600V MOSFET,效率超过98.5%。文献[11]报道了 另一种基于三个交错并联的单向模块并联连接的SAZZ结构变 体。该方案实现了每模块最高15 kW的200 V至400 V电压转 换,开关频率为30千赫兹,采用1200 V IGBT。根据文献中 报告的效率和损耗结果,在
B. 耦合电感方法
基于并联交错拓扑和耦合电感的方法可用于减少磁损 耗,并在一定程度上降低开关损耗[16]–[21]。带耦合电感 的并联升压变换器已在多个参考文献中被研究,包括[16]。 交错技术可降低施加在输出电容上的均方根电流,并允许 在较低的开关频率下运行,从而减少开关损耗。此外,参 考文献[16]还指出,借助耦合电感相关的漏感,可以实 现软开关。
一种特别有趣的耦合电感方法在[17]中被提出,并 在图6中进行了说明,该图展示了所提出的耦合电感升压 变换器的双向版本的原理图。采用这种方法,每个相位仅 承载总电流的一半,且开关频率等于电感电流纹波频率的 一半,因此器件开关损耗得以降低。此外,由于采用了 1:1变压器,施加到电感器上的伏秒数减少,从而可降低 电感损耗。然而,变压器也会带来额外的损耗。在类似的 其他方法及扩展[18]–[20]中,所有磁性元件都被集成在 同一磁芯上,这可能带来更高的功率密度并减少总磁损耗。
[17]中演示的单向原型输入电压范围为70 V至180 V,输出电压范围为210 V至252 V,最大功率为42 kW。 开关采用APTC60DAM18CTG功率模块实现,该模块包 含一个600 V MOSFET和一个600 V碳化硅肖特基二极管。 开关频率为45千赫。在固定升压比1.4的情况下,实验测 得峰值效率在约17 kW输出功率时达到98.4%。在8 kW至32 kW输出功率范围内,效率均超过98%。
C. 三电平变换器方法
三电平转换器[22],,例如图7所示的采用 MOSFET的双向三电平升压变换器,已被引入以允许使 用电压额定值降低一半的开关。此外,类似于耦合电感方 法,[17],电感伏秒积减小,且开关频率等于电感电流纹 波频率的一半。因此,可以减小电感尺寸和电感损耗。
图7所示的双向三电平升压变换器可被视为汽车动力 总成应用的一个候选方案。由于器件电压应力等于母线电 压的一半,因此可以使用600V MOSFET,从而实现更高 的开关频率,并显著减小电感尺寸和损耗。然而,由于需 要实现双向功率流,MOSFET的设计必须依赖其体二极 管而非快速外部二极管,这引发了对与二极管反向恢复相 关的开关损耗的担忧。此外,飞跨电容会承受较大的均方 根电流。这些问题将在第五节的方法比较中进一步讨论。
D. Z源逆变器方法
Z源(或阻抗源)逆变器[30]及其多种变体,如 [31],[32],,为图1所示的传统级联变换器和逆变器方案 提供了一种有趣的替代方案。图8显示了一个具有双向功 率能力的典型三相Z源逆变器。它集成了升压型DC‐DC变 换器级和逆变器级的功能。传统降压型电压馈电逆变器只 能产生低于母线电压的输出电压,而Z源逆变器则能够产 生高于或低于输入电压的输出电压。因此,该方法可能适 用于所考虑的动力传动应用。例如,[33],[34]展示了用于 燃料电池混合动力汽车(FCHEV)动力传动系统的Z源逆 变器。
Z源逆变器的一个非常有趣的特性是其对直通故障免 疫。事实上,正是利用高侧和低侧开关同时开通的直通状 态来实现升压功能。降压逆变器和升压功能得以有效结合。 时分复用为三相PWM信号。然而,这种时分复用操作也 是Z源逆变器一些局限性的根本原因。例如,在如图1所示 的将升压变换器与三相逆变器级联的传统方法中,升压级 输出母线电压为Vbus ≥Vbattery。采用空间矢量脉宽调制( SVPWM)等调制方案时,当逆变桥臂中一个桥臂以占空 比D= 1工作,另一个桥臂以占空比D= 0工作时,可实 现线电压幅值VLa=Vbus。然而在Z源逆变器中,为了实现 相同的VLa>Vbattery,必须利用直通状态来实现升压。由于 直通状态在每个开关周期内占据一定时间且涉及全部三个 逆变桥臂,因此没有任何桥臂可以在D= 1下运行,这 意味着每个桥臂的平均输出电压必须从高于VLa的电压获 得。为了在传统架构中实现相同的线电压幅值VLa> V battery ,可以证明器件电压额定值至少需达到VB= 2VLa − Vbattery。考虑动力系统示例中升压型DC‐DC变换器能够在 200伏输入电压下产生800 V输出电压的情况,在图1的传 统架构中可产生800 V线电压幅值,此时可使用额定值为 1200 V的器件。而若要在200 V输入条件下使用Z源逆变 器产生相同的线电压幅值,则器件电压应力将达到1400 V。在采用相同器件电压降额的情况下,Z源逆变器将需 要2100 V器件。
时分复用操作还意味着Z源逆变器中的器件必须传导 更高的电流,从而可能导致更高的导通损耗,即使Z源逆 变器的器件数量相比传统方法更少。 在风力涡轮机应用中也得出了类似的考虑和结论[35]。 参考文献[34]表明,在电压升压比较小的工作点,Z源逆 变器理论上可以提供轻微的效率提升。在[36],中,针对 实际驾驶工况对Z源逆变器在电动汽车动力总成应用中的 逆变器效率进行了评估,结果发现传统方法具有略微更高 的效率。
IV. 复合转换器架构
如上一节所述,现有的各种提高转换器效率的方法仅 部分解决了某些损耗机制。因此,这些方法往往只能在尺 寸、成本与效率之间的权衡方面带来渐进式或局部的改善。 本节的目标是首先识别损耗机制的基本原理,然后引入能 够直接应对这些损耗机制的复合转换器拓扑结构,从而在 效率以及Pout/Ploss性能指标上实现显著的、非渐进式的提 升。
功率级原理图;(b)平均开关模型)
再次考虑图9a所示的传统升压变换器,其晶体管Q1的 电压和电流波形
˜iQ1(t)〉,即Q1作为逆变器运行。类似地, Q2,作为整流器运行,将交流平均功率转换回直流功率。 与开关Q1和Q2相关的有效直流转交流再转直流功率转换 引出了交流或间接功率的概念,这是所有直流‐直流变换 器[37]的基本原理。在升压变换器中,交流功率为P indirect= DVinIin。图9b[38]所示的平均开关模型可用于分 析变换器中的电压提升和功率流动。电压转换比为
$$ M= \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1+ D}{D} = \frac{1}{D’} $$
输出功率可以表示为通过平均开关模型中理想直流变压器 传输的交流或间接功率 Pindirect= Vin(D′Iin) = D′Pout与从 输入Vin直接传递到输出Vout的直接功率 Pdirect= Vin(DIin) = DPout之和。
$$ P_{out}= P_{direct}+ P_{indirect}= DP_{out}+ D’P_{out} $$
结合(13)和(14)意味着
$$ P_{indirect}= P_{out}(1 - \frac{1}{M}) $$
Pindirect表示由转换器开关主动处理的功率部分,因此会 受到开关和电感器导通(直流损耗)以及半导体开关损耗 和电感器交流损耗(交流损耗)的影响。相反,Pdirect是 直接传输的,仅受直流导通损耗影响,这种损耗相对较低。 重要的是,由此可知,转换器效率从根本上受限于所处理 的间接功率量以及间接功率处理的效率。特别是如第二节 所示,在交流损耗占主导且轻载至中等负载效率非常重要 的电动汽车动力总成应用中,情况尤为如此。
如升压变换器的(15)式所示,Pindirect由变比M决定。 因此,正如人们所熟知并在实践中证实的那样,构建具有 大升压比M的高效率变换器是困难的。图11给出了一个示 例。在图11a中,计算了传统升压变换器在5千瓦固定输出 功率下、不同变比时的直接/间接功率。直流和交流功率 损耗在图11b中进行了建模。交流功率损耗与间接功率密 切相关,而直流功率损耗也随间接功率的增加而增加。虽 然此处讨论的是升压变换器,但这些考虑普遍适用于 dc‐dc变换器[37]。
有人可能会注意到,第三节中回顾的各种软开关技术 及其他方法可被理解为提高间接功率处理效率的尝试。一 种根本不同的方法基于由不同的部分功率处理模块组成的 复合变换器架构,通过将模块串联或并联堆叠可获得高变 比,并且将间接功率处理分配给专用的高效率模块,而调 节则通过处理低或无间接功率的模块来实现[24]–[26]。
提高间接功率处理效率的一种方法是采用无调节的 “直流变压器”(DCX)模块,如图12所示的变换器。 如果副边开关为无源二极管或模拟二极管工作的同步整流 器,则该电路为简单的DCX,可在极高效率下提供基本固 定的电压转换比NDCX [39]。如果副边开关(MS1–MS4) 为主动控制,则该电路称为双主动桥(DAB)[40]。重要 的是,可在变压器电流为梯形[41]–[43]的工作点实现软开 关和低导通损耗的优化设计。
由于DCX可以更高效地处理间接功率,因此图9b所 示的升压变换器中建模的间接功率路径可以用DCX替代。 将理想直流变压器替换为DCX电路后,得到如图13所示 的拓扑结构。该变换器可视为以自耦变压器形式连接的 DCX。一个示例设计的建模效率如图14所示。尽管DCX 采用1200V IGBTs设计,但与传统升压变换器相比,效率 有显著提升。在中轻载条件下的效率提升更为明显,这是 因为DCX以高效的方式处理间接功率,从而降低了交流功 率损耗。
图13所示电路不是一种实用变换器,因为它仅在固定的 电压转换比下工作, 直流母线电压无法调节。在接下来的子章节中,开发了多 种实用的复合变换器拓扑。这些复合变换器将DCX模块与 其他常见的变换器模块(如降压、升压或非反相升降压转 换器)相结合。每个变换器模块仅需处理部分功率,因而 可在更高效率下运行。这些模块的设计方式使得大部分间 接功率由DCX处理,因此其余模块可在变比接近于一的情 况下工作,从而实现更高的效率。此外,每个模块还可以 在特定的关键运行条件下独立优化以提高效率。使用低电 压等级器件有助于进一步提升性能,降低导通电阻和开关 损耗。最后,研究表明复合变换器方法有望显著降低系统 电容额定值,从而减小系统体积并降低成本。
A. 升压复合转换器A
图15显示了一种基于图13的升压复合转换器,但插入 了一个非反相升降压转换器模块以控制DCX电压。如果我 们用Mbb(D)表示非反相升降压转换器的电压转换比,用 NDCX表示DCX的匝数比,则这两个串联转换器的总电压 转换比为Mbb(D)NDCX,这模拟了图9b中由占空比控制的 理想直流变压器。该复合转换器的整体电压转换比为:
$$ M= \frac{V_{bus}}{V_{battery}} = 1+ M_{bb}(D)N_{DCX} $$
非反相升降压模块在Mbb< 1时作为降压模块运行,在 Mbb> 1时作为升压模块运行。与让该模块以四个器件开关同 时工作的升降压模式运行相比,这种方式具有高得多的效率 [44]–[46]。这两种运行模式:DCX+降压模式和DCX+升 压模式,如图16所示。
复合转换器继承了图13拓扑结构的优点。直接功率路 径是一种直接的无损短路连接。然而,与图13中的拓扑结 构类似,尽管该拓扑结构确实降低了器件电压应力,但降 低幅度不足以使用电压等级低得多的器件。例如,当电池 电压为200 V时,若直流母线输出需要800 V,则DCX必 须产生600 V的输出。在这种情况下,需要使用900 V或 1200 V器件。如果DCX的匝数比NDCX足够大,则可在非 反相升降压模块中使用600V器件。该拓扑结构的另一个 缺点与系统在低转换比下运行有关:非反相升降压转换器 必须以较大的降压比运行。电感电流等于输出电流乘以 NDCX。因此,在电压转换比较低时,效率会降低。
B. 升压复合转换器B
为了在所有模块中使用600V器件,图17展现了升压复合 转换器B。而不是插入
在DCX之前使用非反相升降压转换器,相同的转换器插入 系统输入侧。系统的整体电压转换比为
$$ M= \frac{V_{bus}}{V_{battery}} = M_{bb}(D)(1+ N_{DCX}) $$
请注意,复合转换器B与转换器A具有相同的工作模 式,如图16所示。如果选择DCX转换比为NDCX= 1,则直 流母线电压应力可在DCX初级侧和次级侧之间均匀分担。 因此,最坏情况下的器件电压应力等于母线电压的一半, 因而可在所有模块中使用600V器件,适用于要求高达 800V输出母线电压的应用。该方案的一个缺点是
这种拓扑结构的特点是,非反相升降压模块需要处理全系统 功率。
C. 复合变换器拓扑C
图18展示了另一种复合转换器拓扑。该结构不是通过 控制DCX输出电压,而是在下部支路中增加一个升压变换 器来调节直流母线电压。如果我们用Mboost(D)表示升压变 换器的电压转换比,则系统电压变比为
$$ M= \frac{V_{bus}}{V_{battery}} = M_{boost}(D)+ N_{DCX} $$
仅升压 DCX+升压 V 电池最大电压 V 电池最小电压 V 母线最大电 压 0 电池电压V a D C b us v ol ta ge V b u s
请注意,对于升压变换器,Mboost(D) ≥ 1。因此,为 了实现系统变比M< 1+NDCX,需要关闭DCX(通过副边 开关将DCX输出端口短路),并单独运行升压变换器。这 导致复合变换器C具有两种不同的运行模式:DCX+ boost模式和仅升压模式,如图19所示。
与复合变换器拓扑A相比,拓扑C中的升压模块既处 理直接功率,也处理一部分间接功率。然而,与传统升压 变换器相比,该升压模块处理的间接
功率显著减少,变比大幅降低,因而效率更高。另一方面,在低变比情况下,仅升压模式比复合拓扑A和B的DCX+降压模式更高效。 复合变换器C的一个缺点是,从DCX+升压模式切换到仅 升压模式时,必须突然关闭DCX模块,并且升压输出电压必须 应相应增加,这可能会导致控制上的一些困难。此外,由 于DCX输出电压不受控,器件电压应力降低相对较小。对 于此处考虑的应用,升压模块和DCX模块必须采用 1200V器件。 复合变换器C架构可能在一些仅需窄输入/输出电压范 围的低压低功率应用中具有吸引力。已有文献[47],[48], 报道了类似模块化C架构中反向功率流运行的相关配置, 其中DCX采用多相LLC谐振变换器实现,而升压变换器被 隔离型PWM变换器替代。在[47],[48]所考虑的计算或通 信应用中,由于电压变比范围相对较窄且工作电压较低, 器件电压均分和模式切换问题不太突出。
D. 复合转换器拓扑D
为了解决复合转换器C的模式切换问题,提出了如图 20所示的复合转换器D。在DCX模块之前插入一个降压转 换器模块,以控制DCX输出电压。降压模块输出电压可以 平滑地降至零,从而使DCX模块能够优雅地关闭。如果我 们用Mbuck(Dbuck)表示降压模块的电压转换比,则系统总转 换比为:
$$ M= \frac{V_{bus}}{V_{battery}} = M_{boost}(D_{boost})+ M_{buck}(D_{buck})N_{DCX} $$
并非所有转换器模块都需要同时工作。当系统电压变 比 M大于1+ NDCX时,降压模块可以工作在直通模式, 即Dbuck= 1,此时系统工作在DCX+升压模式。当M < 1+ NDCX时,升压模块可以工作在直通模式,即D boost = 0,此时系统工作在DCX+降压模式。由于增加 了降压模块,DCX输出电压可以得到良好控制,并且直流 母线电压应力可以在DCX和升压模块之间均匀分担。因此 可采用600V器件 在所有转换模块中,电压降额33%。如果我们将允许的最 大器件电压应力定义为VQ,max,当电池电压Vbattery> VQ, max/NDCX,且母线电压Vbus> Vbattery+VQ,max时,降压模块 可将DCX输出电压应力限制在VQ,max,系统工作于DCX+ buck+ boost模式。另一方面,当Vbus ≤ VQ,max时,系 统可在仅升压模式下运行,以提高低电压转换比下的效率。 复合转换器D的工作模式如图21所示。
需要注意的是,图20中降压模块和DCX模块的串联 组合可以被双有源桥模块替代,这将减少开关数量。然而, 我们观察到图20所示拓扑结构具有更高的实验效率。
V. 转换器方案的比较
在本节中,对不同复合变换器架构的性能进行了评估, 并与传统升压转换器方案进行了比较。
A. 通用比较
对于给定的变换器拓扑,半导体器件、开关频率、磁 性元件设计以及其他许多设计参数的选择可能导致截然不 同的物理设计。然而,以更通用的方式比较不同的变换器 方法是有益的,以便获得更高层次的见解来指导设计决策。 为了量化不同转换器方法中半导体器件的使用情况, 引入了指定设备功率额定值
$$ PD_n= \frac{\sum I_{device,rms}V_{device,max}}{P_{out,max}} $$
即所有器件的均方根电流与器件电压等级的乘积之和,再 归一化到转换器最大输出功率。这可以被视为衡量在给定 变换器拓扑中功率器件利用程度的一个指标。
| 表III 在电压转换比 M= 3.25 下变换器的额定器件功率比较 |
|---|
| 升压 SAZZ电耦感合器三电平复合材料 A复合材料 B复合材料 C复合材料 D NDCX= 1.5 NDCX= 1 N{v3} NDCX= 2 |
| 归一化总计 指定设备 功率 PDn 5.55 5.55 5.55 5.35 7.84 7.29 5.03 5.13 |
表III显示了在固定电压转换比M= 3.25时,前几 节中考虑的转换器方法的归一化总额定器件功率的比较。 在此电压转换比下,采用200伏 电池电压,母线电压为650V,这是动力传动系统的典型 工作点。该计算忽略了电感电流纹波,因此与磁性元件、 开关频率和器件技术的选择无关。针对复合变换器设计, 选择了适用于动力传动应用的典型DCX变压器匝数比N DCX 。表III的数据表明,软开关方案和耦合电感方法的器 件功率额定值与传统升压变换器相同,这意味着它们的设 计可能需要相同的总半导体器件面积。三电平转换器的器 件功率额定值略小于传统升压变换器。尽管复合型方法需 要增加功率器件的数量,但复合变换器C和复合变换器D 的总器件功率额定值甚至比其他方法更小。这意味着复合 变换器C和D的总半导体面积可能与其他方法相当,甚至 更小。表III还表明,复合转换器A和B在半导体器件利用 效率方面可能不如其他方法。
Z源逆变器结合了升压DC‐DC变换器和逆变器的功能。 因此,必须单独进行比较以量化Z源逆变器的性能。图 22比较了Z源逆变器与传统升压变换器级联标准逆变器的 器件总功率额定值。在这两种情况下,均假设逆变器采用 正弦脉宽调制(SPWM),且负载具有单位功率因数。 归一化总计器件功率额定值随电池到电机电压转换比VLine, p−p/V battery的变化关系被绘制出来。图22表明,Z源逆变器 的半导体器件利用率相对较差。在给定半导体器件面积的 情况下,Z源逆变器导致更大的器件导通损耗,这与 [35],[36]中的结论一致。
为了量化给定变换器拓扑的电容尺寸,
| 表IV 转换器总电容功率额定值比较(Mmax= 4) |
|---|
| 升压 SAZZ电耦感合器三电平复合材料 复合材料 B 复合材料 C 复合材料 D NDCX= 1.5 NDCX= 1 NDCX= 2 NDCX= 2 |
| 归一化总计 电容功率 PCn 2 2 1 4 0.75 1 1.5 1 |
归一化总电容功率额定值定义为
$$ PC_n= \frac{\sum I_{cap,rms-max}V_{cap,max}}{P_{out,max}} $$
即所有电容器均方根电流额定值与电容电压等级的乘积之 和,并归一化到变换器最大输出功率。在电动车辆应用中, 通常使用薄膜电容器,且变换器系统通常为热受限。因此, 电容尺寸通常受其均方根电流额定值限制,而非电容值。 此外,电压等级也会影响电容器的尺寸和成本。因此,总 电容功率额定值反映了给定变换器拓扑中电容器的尺寸和 成本。
例如,在一个传统升压变换器中,假设电感非常大, 并且忽略电感电流纹波。此时输出电容的均方根电流为
$$ I_{Cout,rms}= I_{in} \sqrt{D(1 - D)} \le \begin{cases} \frac{P_{out,max}}{2V_{in}} & \text{for } M_{max} \ge 2 \ \frac{P_{out,max} \sqrt{M_{max} - 1}}{M_{max}V_{in}} & \text{for } 1 \le M_{max}< 2 \end{cases} $$
输出电容电压
$$ V_{Cout}= V_{out} \le V_{in}M_{max} $$
因此,传统升压变换器的归一化总电容功率额定值为
$$ PC_n= \frac{I_{Cout,rms-max}V_{Cout,max}}{P_{out,max}} = \begin{cases} \frac{M_{max}}{2} & \text{for } M_{max} \ge 2 \ \sqrt{M_{max} - 1} & \text{for } 1 \le M_{max}< 2 \end{cases} $$
在最大电压转换比Mmax= 4确定的情况下,传统升压变 换器表现出PCn= 2。由于本分析中忽略了电感电流纹波, 因此结果与电感设计、开关频率或器件技术无关:它仅仅 是变换器拓扑本身的特性。表IV比较了在最大电压转换比 为Mmax= 4时不同变换器方法的归一化总电容功率额定值。 在耦合电感方法中,电容功率额定值降低了两倍,因为它 本质上是一种交错并联双相升压变换器。尽管复合型方法 需要增加电容器件数量,但复合变换器A、B和D仍可使电 容功率额定值降低一半。由于复合变换器C的仅升压模式 工作范围更宽,因此其所需的电容功率额定值略大。 尽管其额定值仍比传统升压变换器小25%。需要注意的是, 三电平转换器的电容功率额定值是传统升压方法的两倍, 原因是附加的飞跨电容中存在较大的电流应力。这是三电 平升压变换器在电动车辆应用中的一个显著缺点。 这些通用比较说明了所考虑的转换器方法的一些基本 特性,这些特性与开关频率和器件技术无关。然而,在实 际设计中还应考虑其他因素,如器件开关损耗以及磁性元 件的损耗和尺寸。因此,通过示例物理设计来比较不同的 转换器方法是很有必要的,如下一节所述。
B. 复合变换器比较
为了评估不同复合材料变换器拓扑的性能,每种拓扑 均采用物理器件模型进行设计,并对效率进行比较。考虑 了30千瓦DC‐DC变换器设计,假设电池电压标称值为 200 V,最坏情况范围为150伏至300伏。电压转换比从1 到4变化,且最坏情况下的直流母线电压限制在800V。 在复合拓扑A中,DCX次级侧的最大电压应力为600 V。对于该设计,假设采用1200 V 100 A IGBT模块。富 士电机的2MBI100VA‐120‐50模块的损耗模型从其数据手 册中提取,并记录于表V中,损耗模型方程遵循(2) – (6)。 当DCX变压器匝数比选择为NDCX= 1.5时,DCX初级侧 以及升降压变换器的电压应力为400 V,因此可以使用 600V器件。选用硅MOSFET(仙童FCH76N60NF MOSFET芯片)。这些是具有快速恢复体二极管的600 V 46 A超结MOSFET。提取的损耗模型记录于表VI中。 MOSFET导通损耗建模为
$$ P_Q = I_{on}^2R_q $$
其中Ion为器件的导通电流。体二极管导通损耗采用公式 (3)建模。器件的开关损耗建模如下
$$ P_{sw} = K_q I_{on}^{a_q}V_{off}^{b_q} f_{sw} $$
其中,f sw为开关频率,Ion为器件开通状态导通电流,Vo ff为 器件关断状态阻断电压。体二极管反向恢复损耗被建模
| 表V 1200V 100A 2MBI100VA‐120‐50 IGBT模块损耗模型 |
|---|
| IGBT |
| 导通损耗 Vces[V] 0.75 Rq[mΩ] 14 |
| 开通损耗 Kon 3.05× 10−7 aon 1.001 bon 0.84 |
| 关断损耗 Koff 8.9× 10−9 aoff 0.75 boff 1.63 |
| 二极管 |
| 导通损耗 Vf[V] 0.8 Rd[mΩ] 11 |
| 反向恢复损耗 Krr 2.15× 10−6 arr 0.62 brr 0.84 |
| 表VI 600V 46A FCH76N60NF超级结MOSFET损耗模型 |
|---|
| MOSFET |
| 导通损耗 Rq[mΩ] 57.4 |
| 开关损耗* Kq 1.8× 10−10 aq 1.81 bq 1.43 |
| 体二极管 |
| 导通损耗 V f[V] 0.6 Rd[mΩ] 32 |
| 反向恢复损耗† Krr 1.2× 10−7 arr 0.96 brr 1.16 |
| *: Eq =开尔文qI a q电压 b q. †: E rr =开尔文rrI a rr电压 b rr. |
根据(6)。为了满足最坏情况下的电流额定值,每个开关 由六个并联的MOSFET组成。降压‐升压模块在20kHz下 工作,并采用经过优化的电感器L= 25μH。DCX模块在 30千赫兹下工作,因为软开关降低了开关损耗。 图23对比了该拓扑结构与传统升压变换器在固定 200 V电池电压和650V母线电压下的效率。总体而言,复 合拓扑A的效率优于传统升压变换器,特别是在轻载条件 下。
在复合拓扑B中,当NDCX= 1时,电压应力分布在 DCX初级和次级侧之间;因此所有开关均可采用600V器 件实现。DCX的每个开关通过并联3个MOSFET实现,开 关频率为30千赫兹。由于非反相升降压模块的功率额定值 提高,其每个开关通过并联8个MOSFET实现,开关频率 为20kHz。优化后的电感值为L= 63μH。 如图23所示,复合转换器B在轻载时相较于传统升压 变换器表现出显著的效率提升,尽管重载时的效率较差。 这主要是由于非反相升降压模块的导通损耗增加所致。
根据这些要求,复合拓扑C需要NDCX= 2,且DCX 模块和升压模块的电压应力均超过400 V。因此,这些模 块采用1200 V 100 A IGBT器件设计。相应地,升压模块 的开关频率设计为10千赫兹,并优化电感L= 108μH。 DCX模块以30千赫兹实现零电压开关运行。如图23所示, 尽管需要使用1200 V硅IGBT,复合变换器C的效率曲线 相较于传统升压方法实现了显著的效率提升。 复合拓扑D使得所有器件的电压应力均被限制在 400V以内,因此所有模块中均可采用600V器件。复合转 换器D中的每个开关均由五个并联的MOSFET芯片组成, 但DCX次级侧开关采用两个并联的MOSFET芯片。降压 和升压模块均在20千赫兹的开关频率下工作,L= 72 μH。DCX模块在30千赫兹的开关频率下工作。在图23中, 复合转换器D的预测效率曲线在所有复合转换器架构中实 现了最高的效率,在中等负载下的损耗降低约50%。 构建并报道了一个按比例缩小的10千瓦复合转换器D原 型,其详细设计参数见[24],
记录了在约210V输入、650V输出和5kW输出功率下测得 的峰值效率为98.7%,且在宽运行范围内测得的效率超过 97%。 在[26], a中报道了一款30千瓦复合转换器原型,包 括经过校准的损耗模型和详细的设计优化流程。图24显示 了来自[26]的在Vbattery= 210V和Vbus= 650V下的测量效率。 称报道峰值效率达到98.4%,且测量效率与理论损耗模型 吻合良好。
C. 与先前方法效率的比较
在本节中,基于现有技术的SAZZ、耦合电感和三电 平方法的设计采用了可比较的物理器件参数进行建模,并 将其效率与传统升压方法以及所提出的复合式D型转换器 方法进行了比较。对于上述定义的30千瓦应用,Z源逆变 器需要2100V器件。结论表明,Z源逆变器在此应用中不 具备竞争力。 图25绘制了在固定200 V输入和650V输出下,不同方法的 效率与功率关系。 SAZZ方法的效率曲线是基于软开关效率为 ηss= 50 %的假设生成的。这一假设较为乐观,因为此前报道的 ηss 低于40% [11],,且忽略了新增磁性元件和半导体器件带 来的损耗增加。然而,即使在这些理想化假设下,与传统 升压方法相比,系统整体效率的提升仍较为有限:在中等 负载下仅约提高0.7%。 为了比较耦合电感方法的性能,设计了一种双向耦合 电感升压转换器。由于输出母线电压为800 V,因此需要 使用1200 V IGBT。然而,每个相仅需承载总电流的一半, 故采用1200 V 100 A器件,其器件参数如表V所示。磁性 元件经过优化,使总磁芯体积与传统升压变换器相同。在 10千赫兹开关频率下,计算得到的最佳电感值为135 微亨。 图25对比了所建模的耦合电感方法的效率。该方法相较于 传统方法,在中到重负载条件下的效率提高了约1.2%。 即使增加了变压器损耗,磁性元件的总损耗仍略有降低。 然而,预测效率仍远低于[17]中报道的结果。这是因为在 [17],中工作电压较低,因此采用了600V MOSFET与碳 化硅肖特基二极管。开关频率提高至45 千赫,磁性元件 可采用铁氧体磁芯设计,从而显著降低磁性元件损耗。对 于本文考虑的工作电压,硅基1200 V IGBTs表现出更高 的开关损耗,开关频率被限制在10千赫兹,且磁性元件损 耗显著增加。可以得出结论:耦合电感方法在相对低电压 应用中更具优势。随着更高电压等级的碳化硅 MOSFET器件的发展,这些优势可能扩展到更高电压的 应用场景。 在三电平转换器中,器件电压应力降低了一半。因此, 在三电平转换器设计中使用了600V MOSFET。损耗模型 总结见表VI。为了降低器件导通电阻并提高电流承载能力, 每个开关并联连接了多个MOSFET芯片。经研究发现, 每个开关使用十二个MOSFET芯片可在导通损耗和开关 损耗之间取得良好的折衷。在此设计中,开关频率为20千 赫兹,电感减小至85微亨。 如图25所示,三电平转换器的效率相比传统升压方法 有显著提升。采用600V MOSFET使得导通损耗和开关损 耗低于绝缘栅双极型晶体管。由于更高的开关频率以及三 电平开关波形施加到电感器上的伏秒数减少,磁性元件损 耗也进一步降低。与传统升压相比,使用600V MOSFET时,三电平转换器在中到重负载条件下的效率 提高了约1.8%,损耗减少了约一半。可以观察到 三电平转换器的效率与复合转换器D的效率非常接近。在 中轻载条件下,复合转换器D的效率略高;而在重载条件 下,三电平转换器的效率略高。然而需要注意的是,三电 平转换器需要大得多的电容器,如表IV所示,并将在下一 节中进一步讨论。
D. 在标准驾驶测试循环下的平均效率比较
通过复合转换器方法提高间接功率转换的效率,可带 来显著的任务相关性能提升。在电动车辆应用中,复合转 换器方法可在实际驾驶条件下显著提高效率并降低总功率 损耗。尤其值得注意的是低功率效率的提升及其对总损耗 的影响。本节针对三种美国环保署标准驾驶循环—— UDDS(城市驾驶)、HWFET(高速公路驾驶)和 US06(激烈驾驶)——估算了复合转换器方法的影响。 预测表明,总损耗和转换器品质因数Q将实现显著且非渐 进式的改善;这有望提升每加仑英里数(等效),并减小 冷却系统的尺寸和重量,同时降低系统成本。 在给定驾驶循环下对转换器效率和损耗进行仿真,需 要对车辆、电机和系统架构做出假设。本文中建立了一个 典型的中型轿车模型。基于从[7]中提取的2010款丰田普 锐斯实验数据,建立了一台60千瓦16极永磁同步电机( PMSM)模型。该电机通过8.62的齿轮传动比与车辆耦合。 在仿真中采用了实际的电压曲线,而电流则根据电机额定 功率进行缩放,以匹配前几节中的30千瓦直流‐直流转换 器模型。逆变器采用空间矢量脉宽调制(SVPWM)方案 [49]。采用简单的恒定转矩角(90◦)控制[50] ,但在高 速时应用弱磁控制,以将直流母线电压限制在不超过 800 V。假设电池电压恒定为200伏,且DC‐DC变换器被 控制为使其输出电压等于逆变器峰值线电压,除非峰值线 电压小于200伏电池电压。由于所有变换器模块均支持双 向功率流,因此假设可实现100%再生制动。
图26至28显示了三种模拟驾驶循环的母线电压和输出 功率概率分布。同时显示了母线电压和输出功率的一维概 率密度函数(PDF)。在UDDS驾驶循环中,由于低速城 市驾驶模式,母线电压主要集中在200伏到300伏范围内, 输出功率低于最大值的10%。在HWFET驾驶循环中,母 线电压主要处于400 V至600 V范围,输出功率约为最大 值的10%,对应于相对高速巡航状态。在US06驾驶循环 中,母线电压主要位于600 V至800 V范围,输出功率约 为最大值的20%,尽管存在一个峰值 记录到超过70%的功率,且由于US06循环中的多次加速 和减速,导致母线电压和输出功率出现显著的变化轨迹。
| 表VII 转换器品质因数 Q对于标准驾驶循环 |
|---|
| 升压 SAZZ耦合电感 三电平 复合D |
| UDDS 38.6 44.9 62.4 117.5 74.5 |
| 高速公路燃油经济性测试 17.5 20.2 35.5 71.4 75.2 |
| US06 21.9 26.4 34.0 57.7 67.1 |
表VII记录了模拟驾驶循环中的转换器品质因数。
$$ Q= \frac{\int |P_{out}| dt}{\int P_{loss} dt} $$
针对不同的转换器方法,损耗和功率通量在每个驾驶循环 中进行积分以计算平均Q。在三种不同的驾驶工况下,三 电平转换器和复合转换器D相较于传统升压变换器均表现 出显著的效率提升。在UDDS城市驾驶测试中,复合转换 器D的转换器品质因数几乎是传统升压变换器的两倍,这 意味着复合转换器D的单位损耗功率通量几乎翻倍。在 HWFET高速公路驾驶测试中,复合转换器D的转换器品 质因数相比传统升压变换器提高了四倍以上。在 在US06驾驶测试中,转换器品质因数也提高了三倍以上。 在低速UDDS驾驶测试中,三电平转换器的表现优于复合 式D型转换器,而复合转换器D在高速HWFET和US06驾 驶测试中表现出更高的转换器品质因数。然而,如以下章 节所示,三电平转换器需要更大的电容器模块,这在实现 上具有挑战性,并可能显著增加系统尺寸和成本。
E. 变换器尺寸比较
| 表VIII 变换器尺寸比较 |
|---|
| 升压/SAZZ 耦合电感 三电平 复合D 半导体去 vices 2×(1200 V/200 A IGBT + 1200V/200 A 二极管) 4×(1200V 100 A IGBT+ 1200 V 100A 二极管) 48×(600 V/46 A MOSFET芯片) 48×(600 V/46 A MOSFET芯片) |
| 总计磁性元件 磁芯体积 360 cm3 360 cm3 195 cm3 360 cm3 |
| 总计电容器 功率额定值 85 千伏安 45 千伏安 160 千伏安 51 千伏安 |
| 总电容 en- 能量额定值* 162 焦 耳 42 J 242 焦 耳 25 J |
| *假设最坏情况下 ±5V的输出电压纹波。 |
表VIII从总半导体器件、总磁芯体积、总电容功率额 定值和总电容能量额定值方面对复合转换器D与先前的方 法进行了比较。在半导体器件方面,升压变换器使用了两 个硅1200V 200A IGBT模块。若忽略额外的辅助开关元 件,SAZZ方法所用的半导体器件大致相同。耦合电感方 法使用了四个硅1200V 100A IGBT模块,在总器件面积上 与传统方法相近。三电平转换器和复合转换器D均采用硅 600V 46A MOSFET,并且都共使用了48个MOSFET芯 片。所有方法的半导体利用率相似。 关于总磁芯体积,如果忽略有源缓冲电路的磁性元件, 则SAZZ方法的总磁芯体积可视为与传统升压方法相同。耦合 电感方法基本上采用传统升压电感,并将其拆分为一个较小 的电感和一个变压器。因此,总磁性元件尺寸保持不变。 由于三电平转换器降低了施加在电感上的伏秒积,电感尺 寸减少了65%。复合转换器D的总磁芯体积设计为与传统 升压方法相同。 如前所述,在电动车辆应用中,电容器的均方根电流 额定值通常是限制电容器尺寸的主要约束条件。总电容功 率额定值(Icap,rms−maxVcap,max,对所有电容器求和)是衡 量电容模块体积和成本的良好指标。表VIII中列出的功率 额定值包含了诸如电感电流纹波和DCX非梯形变压器电流 波形等因素,这些因素导致表VIII中的数据略高于表IV中 的理想化数据。在表VIII中,还基于设计计算了总电容能 量额定值,该设计导致 ±5V最坏情况下的输出电压纹波。 SAZZ方法中的缓冲电容被忽略。因此,SAZZ方法所需的 电容功率和能量额定值大致与传统升压变换器相同。耦合 电感方法本质上是一种两相交错并联变换器,因此电容功 率额定值降低了47%,而能量额定值仅为传统升压方法的 四分之一。三电平转换器需要一个飞跨电容,该电容在电 压额定值为输出母线电压一半的情况下承载较大的均方根 电流。对于此处考虑的30kW设计,需要一个200安均方 根400伏电容。这可能会显著增加系统尺寸和成本。相对 于传统升压,电容功率额定值增加了91%,而能量额定值 增加了49%,即使其工作频率更高。相比之下,尽管复合 转换器D增加了所需电容器的数量,但电容电压额定值得 到了大幅降低。此外,由于间接功率路径通过具有准方波 变换器且电流纹波非常小的DCX模块处理,电容的均方根 电流额定值和电压纹波均可减小。这使得总电容功率额定 值减少了40%。复合转换器D还实现了总电容能量额定值 减少85%。 在典型的电驱动系统中,薄膜电容模块的体积和成本 高于磁性元件。例如,2004款普锐斯的电容模块体积超 过6 L,而转换器模块其余部分的体积为1.1 L [6]。因此, 尽管三电平转换器方法实现了优异的效率,但由于使用了 较大的飞跨电容,导致系统尺寸和成本显著增加。其他多 电平拓扑方法如[51]也存在这一问题。需要注意的是 采用更先进的器件技术(如具有更高开关频率的氮化镓或 碳化硅晶体管[52]),并不能解决电容器均方根电流额 定值的问题,因此无法实现电容尺寸和成本的降低。 因此,复合变换器方法实现了显著降低的损耗以及显 著减小的电容尺寸和成本。相较于传统升压变换器以及其 他候选方法(如三电平、SAZZ和耦合电感电路),可实 现非渐进式的改进。
VI. 结论
电动汽车动力总成是一个热受限系统。为了解决给定 的热管理系统所能容忍的损耗有限这一问题,本文引入转 换器品质因数 Q= Pout/Ploss作为衡量转换器性能的指标。 在驾驶循环中平均Q值更高的系统不仅能够提高每加仑英 里数(等效),还可以实现更高的系统功率密度,和/或 减小热管理系统的尺寸并降低成本。动力传动系统必须能 够承受最大功率,至少在短时间内如此;然而,在标准驾 驶循环测试中,动力总成DC‐DC变换器在中轻载条件下 的效率对Q至关重要。 在本研究中,对现有的升压变换器技术进行了回顾, 并使用真实的损耗模型以标准化的方式对其性能进行了纸 面设计比较。包括软开关方案和耦合电感方法在内的技术 未能解决所有主导损耗机制的降低问题,因此仅能带来有 限的效率提升。三电平转换器方案在理论上确实表现出显 著的效率提升,但其额外的飞跨电容会传导较大的均方根 电流,从而导致系统尺寸和成本显著增加。 为了克服以往方法的局限性,提出了一种复合材料升 压变换器。该方法采用直流变压器模块以更高效的方式处 理大部分间接功率,并将多个较小的变换器模块组合成一 个复合材料系统。每个模块处理总系统功率的一部分,从 而实现更高的效率。在给定的工作点下,一个或多个变换 器模块处于关断或直通模式,降低了交流功率损耗。多种 复合材料变换器拓扑 在此项工作中进行了探讨。在汽车动力传动系统这一特定 应用中,复合转换器拓扑D相比传统升压变换器实现了更 优的效率提升。标准驾驶循环仿真预测表明,在UDDS (城市)驾驶循环中,复合转换器D使转换器品质因数Q 大约提高了一倍,而在HWFET(高速公路)驾驶循环中, 转换器品质因数提升了四倍以上。系统总电容功率额定值 降低了40%以上,总电容能量额定值降低了近85%。这表 明所提出的复合升压变换器方法是一种可行且具有前景的 未来技术,可用于替代汽车电动动力总成应用中的传统升 压变换器。已研制多个
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