MOSFET 工作原理

前言

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双极晶体管和MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET 必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和MOSFET 器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为20 至200 皮秒，具体取决于器件大小。

MOSFET 技术在数字和功率应用领域的普及得益于它与双极结晶体管相比所具有的两个主要优势。其中一个优势是，MOSFET 器件在高频开关应用中使用应用非常重要。MOSFET 晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦MOSFET 晶体管开通，它的驱动电流几乎为零。而且，控制电荷大量减少，MOSFET 晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题，而开通状态压降与控制电荷成反比。因此，与双极器件相比，MOSFET 技术预示着使用更简单且更高效的驱动电路带来显著的经济效益。

此外，需要特别强调突出的是，在电源应用中，MOSFET 具有电阻的性质。MOSFET 漏源端上的压降是流入半导体的电流的线性函数。此线性关系用MOSFET 的RDS(on) 来表征，也称为导通电阻。导通电阻对指定栅源极电压和器件温度来说是恒定的。与p-n 结-2.2mV/°C 的温度系数不同，MOSFET 的温度系数为正值，约为0.7%/°C 至1%/°C。正因为MOSFET 具有此正温度系数，所以当使用单个器件不现实或不可能时，它便是高功率应用中并行运行的理想之选。由于通道电阻具有正TC，因此多个并联MOSFET 会均匀地分配电流。在多个MOSFET 上会自动实现电流共享，因为正TC 的作用相当于一种缓慢的负反馈系统。载流更大的器件会产生更多热量- 请别忘了漏源电压是相等的– 并且温度升高会增加其RDS(on) 值。增加电阻会导致电流减小，从而降低温度。最终，当并联器件所承载的电流大小相近时，便达到平衡状态。RDS(on) 值和不同结至环境热阻的初始容差可导致电流分布出现高达30% 的重大误差。

一、MOSFET模型

实用的MOSFET 模型需要从应用角度描述器件的所有重要属性，因此非常复杂。另一方面，如果我们将模型的适用性局限于特定问题领域，可由MOSFET 晶体管得出一些简单且有意义的模型。

图2 中的第一款模型基于MOSFET 器件的实际结构，主要可用于直流分析。图2a 中的MOSFET 符号表示通道电阻，而JFET 对应于外延层的电阻。因此，EPI 层的电阻是器件额定电压的函数，同时高电压MOSFET 需要的外延层更厚。

图2b 可非常有效地模拟MOSFET 由dv/dt 导致的击穿特性。作为栅极端阻抗函数，它展示了两种主要击穿机制，也就是dv/dt 引起所有功率MOSFET 中的寄生双极晶体管的开通，以及dv/dt 引起沟道的开通。由于制造工艺的改进，现代功率MOSFET 实际上几乎不受寄生NPN 晶体管的dv/dt 触发事件的影响，从而减小了基极和发射极区域的电阻。

还必须提到的是，寄生双极晶体管还具有另一个重要角色。它的基极- 集电极结是有名的MOSFET 体二极管。

图2c 是MOSFET 的开关模型。此模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。它们各自的作用将在下节中进行讨论，专门介绍器件的开关过程。

二、MOSFET 关键参数

当考虑MOSFET 开关模式工作时，我们的目标是尽可能在最短的时间内在器件的最低和最高电阻状态间切换。由于MOSFET 的实际开关时间（大约为10ns 至60ns）至少要比理论开关时间（大约为50ps 至200ps）长两到三个数量级，因此了解这种差异非常重要。返回图2 中的MOSFET 模型，可以看到所有模型都包含三个电容器，分别连接在三个器件端子间。最后，MOSFET 晶体管的开关性能取决于如何使得电压在这些电容器上快速地改变。

因此，在高速开关应用中，最重要的参数是器件的寄生电容。其中，CGS 和CGD 这两个电容器对应于器件的实际几何结构，而CDS 电容器就是寄生双极晶体管的基极集电极二极管（体二极管）的电容。

CGS 电容器由栅极电极所产生的源和通道区域的重叠形成。它的值由这两个区域的实际几何