sram设计流程+memory compiler整理

文章介绍了集成电路设计中的关键步骤,包括电路图设计、仿真、版图绘制、DRC和LVS检查。同时,详细阐述了内存编译器的作用,它是如何根据输入参数自动生成存储器电路布局的,以及内存编译器在速度、密度、功耗等方面的权衡和不同架构的选择。

1. 设计流程的介绍

先设计出电路图schematic → \rightarrow 进行仿真用ADE → \rightarrow 画出版图layout → \rightarrow 使用claibre做DRC和LVS → \rightarrow 寄生参数提取,后仿真。(参考见此)

ADE是analog design environment的缩写,是virtuoso的一个对电路schematic的仿真工具,用于前仿真阶段,后仿真好像也用得到(在virtuoso514版本里是analog environment,而在617版本里它就变成了ADE缩写,在launch里能找到这个工具。

DRC是用你绘制的版图和工艺规则做对比,工艺规则一般由代工厂提供,用来检查版图绘制是否符合标准的。

LVS—layout vs schematic,即版图和电路图进行比对,看看版图绘制是否和电路图的连接关系一致,这个是使用版图的网表和电路图的网表做对比的,但是也是需要lvs规则的。

2. Memory compiler(储存器编译器)

在半导体设计领域,存储器编译器是用于自动设计和生成集成电路 (IC) 中使用的存储器电路的过程的软件工具。这些存储器电路可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、只读存储器(ROM)和动态随机存取存储器(DRAM)等。取自anysilicon

内存编译器的工作原理是获取内存大小、速度

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