【模电的一些总结】

前言

本人为一名普通的大二学生，在学习模电的过程中感觉有不少有意思、值得总结的知识点，故记录如下。

PN结

1. 多子：掺杂形成，浓度与杂质浓度相等。起主要导电作用。
   少子：本征激发形成，浓度低。对温度敏感，影响器件性能。

2. 可通过二次掺杂改变半导体类型

   如：在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体

3. 存在少子比多子多的情况

   如：BJT中基区非平衡少子数量远多于多子

4. 空间电荷区内，正、负电荷的电量相等。
   故当P区和N区杂志浓度相等时，负离子区和正离子区的电荷区内，正、负电荷的电量相等。(对称结)
   而当两边杂质浓度不同时，浓度高的一侧的离子区宽度低于浓度低的一侧。(不对称PN结)

5. PN结平衡后掺杂浓度越高耗尽层越窄的原因？
   $E\propto N_{D}W$(电场强度正比于掺杂浓度宽度)
   $\phi \propto EW$(电势差正比于电场强度宽度)
   可得：$\phi \propto N_D{W}^2$
   即电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。

6. PN结的结电容
   势垒电容$C_b$：由反向电压使PN结宽窄发生变化作可变电容
   
   扩散电容$C_d$：加正向电压时，由非平衡少子与电压之间的关系决定
   

二极管

1. 温度越高
   雪崩击穿所需电压越高(晶格振动使电子的自由程减小)$\lambda =\frac{p}{T}$ $(\alpha >0)$
   齐纳击穿所需电压越低(温度越高价电子运动更剧烈越容易被拉出) $(\alpha <0)$

2. 电击穿：可逆
   热击穿(二次击穿)：烧毁、不可逆

3. 两只稳压管稳定电压为$U_1$、$U_2$，导通电压均为$U_{on}$
   问能够组合形成几种稳压值的复合管？
   1)串联：$2U_{on}$、$U_1+U_{on}$、$U_2+U_{on}$、$U_1+U_2$
   2)并联：$U_{on}$、$min(U_1,U_2)$（二极管的电压钳制作用）
   一共6种

三极管及其放大电路

1. 为什么三极管的输出特性曲线的水平部分略向上倾斜？
   基区宽度调制效应(Base-width modulation effects)
   实际上，在输出特性曲线的水平部分，仍随着集电极-发射极间电压的增加而略向上倾斜，这是由于集电极-发射极间电压增加时，集电结空间电荷区变宽，基区变窄，使载流子在基区的复合机会减少，即电流放大系数（共发射极直流电流放大系数）增大，故在基极电流不变的情况下，集电极输出电流随集电极-发射极间电压增加而略有增加，特性曲线略向上倾斜。这种现象又称为厄尔利（Early）效应。
   

2. 晶体管发射结反偏，集电结正偏所处的状态？
   倒置状态
   在放大电路中将发射结与集电结接反了。由于晶体管在$PN$结拓扑上，集电极与发射极没有本质区别，因此这样接一般不会烧毁晶体管，只是此时晶体管$\beta$下降非常严重。（反向放大区）

3. 直接耦合直流交流负载线重合而阻容耦合不重合的原因?
   因为静态分析时，阻容的负载电容会把$R_L$屏蔽，而动态分析时电阻算的时候又是$R_L$与$R_C$并联而直接耦联不会有这个问题，静态动态分析下的斜率一致。

4. 共用哪一极？
   看哪一极没有用到(即既不是信号输入极也不是信号取出极)

5. 阻容耦合如何放大低频信号?
   调制+解调

场效应管及其放大电路

1. 为什么三极管的放大倍数比场效应管放大倍数高？
   一个理解角度：场效应管的转移特性方程和三极管的输入特性方程相比，一个是幂方程，另外一个是指数方程。
2. “增强型”的含义？
   $U_{GS}=0$时，源极与漏级之间失去导电能力，因此为了实现导电能力必须增强沟道。（$U_{GS}>U_{G{S}_{th}}$形成反型层——“反型”现象——栅极电压继续增加不会再引起耗尽层宽度的变化，但会导致下方出现一层薄的电子层，进而形成一个连续的N型区域（包括源区与漏区），“反型”——“P—>N”）

三极管与场效应管的总结表格

集成电路

1. 优化过程
   1）阻容耦合不能集成——直接耦合（不存在大的电解电容）
   2）直接耦合射极电阻严重影响电压放大倍数且存在零点漂移——差分放大电路（动态时差模信号下射极电阻为0、共模等效为2倍）
   3）差分放大电路单端输出时共模抑制比$K_{CMR}$不够大——采用电流源电路提供稳定的集电极电流、发射极电流（电流源的动态电阻很大、静态电阻很小）
   4）电流源输出电流与基准电流的近似条件$\beta \gg 2$难以满足——威尔逊电流源/加射极输出器
   5）共集放大电路带载后最大不失真电压$U_{om}$降低且甲类功放效率低下——直接耦合互补输出（乙类功放、上下轮流导通）
   6）克服死区电压造成交越失真——$U_{BE}$倍增电路（微微导通——偏乙类的甲乙类功放且$T$与$T_1$、$T_2$具有相同的温度特性较两个LED串联更灵活）
   7）NPN管与PNP管难以做到理想对称——达林顿结构复合管形成准互补输出