LCD中TFT基板介绍

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一个完整的TFT-LCD液晶显示面板，按照制作工艺来划分，大体可以分为三个工艺段，分别为：Array阵列工艺段、CF彩色滤光片工艺段和成盒工艺段。Array阵列工艺段，也就是我们常说的TFT玻璃基板制作。

TFT基板是TFT-LCD面板的核心组成部分，承担着控制像素开关和驱动电流的重要功能。本文将重点介绍TFT-LCD Array基板的结构与组成、a-Si TFT的特点，以及TFT基板对LCD性能的影响。

一、TFT基板的结构与组成

TFT-LCD的核心驱动单元是薄膜晶体管阵列（TFT Array），每一个像素点都由一个独立的TFT开关控制。为了实现这一功能，TFT基板采用了多层结构的设计，每一层材料和电极都承担着不同的作用。

整体来看，TFT可以分为顶栅结构和底栅结构两类，目前液晶显示面板的主流方案是底栅结构TFT，其工艺成熟、稳定性高，适合大规模量产。

在典型的 6 Mask工艺中，一个底栅结构TFT基板主要包含以下几个部分：

1.玻璃基板

• 作为整个阵列的物理支撑平台，提供平整、透明的基础。

• 要求尺寸稳定、热膨胀系数小，以保证后续薄膜沉积和光刻工艺的精度。

2.栅极（Gate 电极）

• 通常采用金属材料（如Mo、Al或其合金）。

• 通过控制施加在栅极上的电压，决定TFT的导通或关断状态，相当于“开关的控制端”。

3.栅极绝缘层（Gate Insulator）

• 覆盖在栅极之上，常用材料为SiNx或SiO₂。

• 其作用是电气隔离，防止栅极与上方的半导体层直接接触，同时保证栅极电场能够有效控制半导体沟道区的电子运动。

 4.有源层（Active Layer）

• 这是TFT性能的核心所在，通常由半导体层和欧姆接触层组成：

  半导体层负责载流子传输，是沟道区的主体；

  欧姆接触层用于降低源漏电极与半导体的接触电阻。

• 在目前的TFT-LCD产业中，a-Si（非晶硅）是最广泛应用的半导体材料。

• a-Si TFT工艺成熟、成本较低，最常用于中低端TFT-LCD显示面板。虽然a-Si的电子迁移率相对较低，但其制程良率高、生产设备通用性强，使其至今仍是TFT-LCD的主流选择。

非晶硅a-si半导体图示

• 除a-Si外，还有多晶硅（poly-Si）和氧化物半导体等新型材料，但它们更多应用于高分辨率或特殊用途的显示面板。

5.源极（Source）与漏极（Drain）

• 分布在有源层的两侧，由金属材料构成。

• 源极连接数据线，将输入信号电压传输到沟道区；

• 漏极则与像素电极相连，把信号电压传递到液晶像素单元。

6.中间绝缘层（Passivation Layer，PVX）

• 覆盖在TFT结构的上方，起保护和隔离作用。

• 防止水分、氧气或机械应力对TFT器件造成损伤，同时避免源漏电极与上层像素电极短路。

7.像素电极（1st ITO）

• 由透明导电材料（常见为ITO，氧化铟锡）制成。

• 与漏极相连，将数据信号电压作用到液晶层，直接控制该像素点的光学状态。

8.公共电极（2nd ITO，COM 电极） 

• 与像素电极相对，通常位于上玻璃基板。

• 公共电极与像素电极之间形成电场，对液晶分子施加作用力，使其排列发生改变，从而实现光的调制。

TFT-LCD的显示原理

在整个TFT基板中，数百万个这样的TFT单元按照行列矩阵排列。行方向的栅极线负责逐行扫描，列方向的数据线负责传输信号电压，二者的交点处就是一个TFT和其对应的液晶像素。当所有像素电压被逐行写入并保持后，整个液晶面板就能显示完整的图像。

二、TFT基板在LCD中的工作原理

1.TFT作为开关的作用

• 每个像素都配备一个TFT，相当于一个电子开关。

• 当扫描信号作用在栅极时，TFT导通，源极的电压被传递到漏极，进而加到像素电极上。

• 当栅极信号撤去后，TFT关闭，像素电极上的电压得以保持一段时间，从而维持液晶分子的取向状态。

2.液晶分子取向的改变

• 液晶材料具有电光效应，其分子在电场作用下会重新排列。 

• 不同电压对应不同的分子倾斜角度，进而改变液晶层对光的调制能力。

3.光的透过与控制

• 液晶层被夹在上下两片玻璃基板之间，上下还配置有偏光片。

• 当液晶分子取向变化时，光的偏振状态随之改变，经过偏光片后透过率也随之变化。

• 这样，就能通过控制电压大小来实现像素的明暗调节。

4.与背光和颜色显示的结合

• LCD本身不发光，显示所需的光源来自背光模组。

• TFT基板通过控制液晶像素透过率，决定背光透出的多少。

• 同时，每个像素点覆盖红、绿、蓝（RGB）彩色滤光片，通过调节三个子像素的透光率，就能混合生成全彩色画面。

5.整体驱动方式

• 栅线逐行扫描，信号线逐列加载电压。

• 扫描到某一行时，该行所有TFT同时导通，信号线的电压写入对应像素。

• 这一行结束后，扫描线转到下一行，直到整个屏幕刷新完毕。

• 高速循环这一过程，就能形成连续动态的图像显示。

三、TFT基板对LCD性能的影响

TFT 基板作为 LCD 面板的核心驱动层，其材料、结构和电学特性会直接决定显示器件的分辨率、亮度、对比度、功耗以及寿命等关键性能。下面从几个主要方面展开说明。

1. 分辨率

• 玻璃基板：表面平整度越高，像素电极和TFT阵列的图形精度越好，有利于实现更小尺寸的像素单元，从而支持更高分辨率。

• 有源层（a-Si）：a-Si 的电子迁移率较低（0.3–1 cm²/V·s），限制了TFT的驱动能力。当像素密度增加时，a-Si 难以快速充电，分辨率提升受到制约。而若采用 LTPS 或 Oxide TFT，有源层迁移率更高，可实现更高PPI的显示。

• 金属走线（栅极、源漏电极）：走线宽度和电阻率直接影响像素开口率。高电阻金属会迫使走线加宽，从而占用像素面积，降低分辨率；采用低电阻的 Cu 可以在更小线宽下传输信号，提升像素利用率。

2. 亮度与透过率

• 像素电极（ITO）：ITO 的透光率和电阻率决定了背光的利用率。高透光率可增加光通过像素的效率，高导电性则保证信号在大面积像素上的均匀分布。

• 源漏金属走线：若走线过宽，会遮挡像素区域，减少光透过面积（开口率降低），使亮度下降。采用 Cu 替代 Al，可在降低电阻的同时缩小走线宽度，从而提升开口率。

• 绝缘层（SiNx、SiO₂）：绝缘层的表面平整度和应力特性影响液晶分子的取向，若表面不均匀，会导致液晶排列异常，进而降低光学透过率。

3. 对比度与灰阶表现

• 有源层（a-Si）：TFT 的开关比受材料影响。a-Si 的开关比相对较低，容易产生较大的漏电流，使黑场状态下仍有少量光泄漏，降低对比度。

• 绝缘层（SiNx、SiO₂）：高质量绝缘层能减少漏电路径，提升像素电压保持性，从而维持稳定的灰阶显示。

• 像素电极（ITO）：ITO 膜层电阻的均匀性会影响不同像素的电压一致性。若阻值不均，会导致局部灰阶表现不同，降低显示均匀性和整体对比度。

4. 响应速度的影响

• 有源层（a-Si）：a-Si 的迁移率低，电子移动速度慢，导致像素充放电时间长，响应速度一般在毫秒级，不适合高刷新率应用。而 LTPS 或 Oxide TFT 的高迁移率能显著缩短响应时间。

• 金属走线：走线电阻过高会造成信号传输延迟，影响像素响应。采用低电阻材料可减少信号延迟，提升响应速度。

• 寄生电容（由金属布局和栅极绝缘层决定）：寄生电容过大时，像素充电需要更长时间，降低灰阶响应效率。合理的结构设计和绝缘层厚度优化有助于减小寄生电容。

5. 功耗的影响

• 源漏金属（Al、Mo、Cu）：低电阻材料能减少信号传输损耗，降低驱动功耗。Cu 因电阻率低，在降低功耗方面优势明显。

• 有源层（a-Si）：漏电流较大，像素电压容易衰减，需要更高的刷新频率来维持稳定画面，从而增加整体功耗。

• 像素电极（ITO）：高透光率电极能提升光利用效率，在相同亮度需求下，背光功率可以更低，从而降低能耗。

6. 可靠性与寿命的影响

• 栅极金属（Al）：在高温下易形成 Hillock（小突起），导致短路或开路失效，影响长期稳定性。

• Cu 金属：虽然电阻低，但扩散性强，若无阻挡层，容易污染半导体层并导致性能退化。

• 绝缘层（SiNx）：能有效阻挡 Na⁺离子、水汽和氧气渗入，若质量不足，会导致器件性能快速衰退。

• 有源层（a-Si）：长时间工作会发生阈值电压漂移，导致驱动电压需求增加，显示亮度和对比度下降，缩短使用寿命。

在 LCD 的工作中，TFT 基板不仅决定图像的显示效果，还直接影响分辨率、亮度、对比度、功耗和可靠性。整体来看，TFT基板既是LCD技术的基础，也是面板性能提升与工艺演进的关键。