基于固件库的STM32F10x程序在Keil v5 MDK 下的RAM调试方法

为什么要RAM调试？

1. 相比于FLASH调试，在RAM调试可以很快地装载代码，可以节省将代码下载到Flash的时间。

2. RAM的擦写次数几乎无限，RAM调试可延长Flash的使用寿命。图1

一、准备（这里以STM32F103C8的LED流水灯程序为例)

1. Keil mdk514

2. Template模板工程 LED流水灯，V3.5.0版本的固件库

3. 示例芯片型号：STM32F103C8，芯片的BOOT引脚必须接地

 二、修改工程：打开Keil mdk工程，修改以下设置

   1.添加一个Project target：

   如图1左Project视图中右键Template_Flash选择Manage Project Items…出现工程文件管理界面。

                       

图1 ：左为project视图，右为工程项管理界面 

   在弹出的工程文件管理界面作图1右图所示的设置：(1)单击添加按钮；(2)输入Target名称，如Template_RAM；(3)单击Set as Current Target按钮，然后按ok保存。

   这样做的好处是：可以使用下载按钮旁边的下拉列表切换用于Flash下载的配置和进行RAM调试的配置，如图2。

图2 ：编译目标选择下拉框

   2.分配RAM和Flash空间：

     由《STM32数据手册》得知，STM32F103C8的RAM大小为20K，根据自己索要调试的代码分配者20K的空间；

     例如：如图3是流水灯程序编译后的keil输出，流水灯程序占Flash：1352字节，占RAM：268+24+1632，那么可以将STM32F103C8的20K的RAM分10k给ROM，剩下10k作为RAM。

图3：流水灯程序Build Output

    单击keil工具栏中的魔术棒按钮如图4（Options for Target…）弹出工程选项窗口：

图4 ：工程选项Options forTarget按钮

     修改工程选项的Target标签的IROM和IRAM如图5。设置IROM的Start=0x20000000，Size=0x2800（0x2800=10k）；IRAM的Start=0x20002800，Size=0x2800。

图5 ：工程选项-Target标签设置

    为何这样设置？

    答：下图来自《Cortex-M3权威指南（中文）》84页，据图5.1知Cortex-M3内核MCU内部RAM起始地址为0x20000000，因为STM32F103C8的内部RAM=20K，因此地址范围是：0x20000000~0x20005000。这样上述设置将10k分给的代码区（IROM），将10k分给了数据区（IRAM）。

  3.修改中间文件和链接文件保存路径：（文件路径跟别的Target不同即可）

     如图6，打开选项的Output标签，将objects文件的保存路径改为工程目录/OBJ/RAM目录下；同理，选项的Listing标签中，将lst文件的保存路径改为工程目录/LIST/RAM目录下；

图6:工程选项-Output标签设置

     目的是：避免二、1步中所示的不同配置的Target产生的中间文件和链接文件混淆。

   4.添加宏定义：

    在选项的C/C++标签的Preprocessor Symbols的define中添加定义：VECT_TAB_SRAM，若有别的定义，则用英文逗号隔开。

图7：工程选项-C/C++标签设置

   5.清除flash编程算法以及添加初始化文件：

  （1）在选项的BEBUG标签中选择右侧的仿真器如Jlink，图8左；

图8 ：左 工程选项-Debug标签 ；右 单击左图Setting弹出的仿真器设置界面

     然后单击右边的Settings按钮：弹出如图8右图所示设置页，选择Flash download标签，设置如下：直到将Programming Algorithm中的内容清空。选项的Utilities标签也有一个Setting按钮，里面的设置同理。

  （2）在选项的BEBUG标签中选择右侧的仿真器选择下方有一个Initialization File，添加Dbg_RAM.ini文件；

    说明：Dbg_RAM.ini文件来自Keil安装目录\ARM\Pack\Keil\STM32F1xx_DFP\1.1.0\Boards\Keil\MCBSTM32C\Blinky\Dbg_RAM.ini，将其复制到工程目录的USER子目录下；不同版本Keil该文件路径可能不同。该文件可手动创建，内容如下：

FUNC void Setup (void) {
  SP = _RDWORD(0x20000000);          // Setup Stack Pointer
  PC = _RDWORD(0x20000004);          // Setup Program Counter
  _WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000);   // Setup Vector Table Offset Register
}
FUNC void OnResetExec (void)  {      // executes upon software RESET
  Setup();                           // Setup for Running
}
load %L incremental
Setup();                             // Setup for Running
g, main

   6.最后的设置：选项的Utilities标签的 Update Target Before DeBugging项不能选中!

图9：工程选项-Utilities标签

   上述设置完成后，注意单击ok保存设置。

三、enjoy程序调试:

    重新编译项目文件，单击keil工具栏中的Bebug按钮就可以在RAM中调试程序。

 注意：

         1.RAM调试Target不能用于下载，因此不能单击下载按钮；

       2.调试过程中复位后必须退出Debug再重新进入Debug。原因是复位后程序回到了芯片flash的起始地址而非RAM起始地址。

      3.若进入debug程序立即运行，可先在main函数或需要的地方加好断点，或者取消图8工程选项-Debug标签所示的Run to main().选项  为什么是取消勾选？？不得而知。

RAM调试工程模板下载：

http://download.csdn.net/detail/weboo10000/9085393